ZAKŁAD TECHNOLOGII STRUKTUR … · • ﬁPółprzewodnikowe fotoogniwa GaSb/In(Al)GaAsSb do...

Kierownik:prof. dr hab. inż. Anna PIOTROWSKAe-mail: [email protected], tel. (0-prefiks-22) 548 79 40

Zespół: dr hab. inż. Jerzy Ciosek, e-mail: [email protected],mgr Krystyna Gołaszewska, e-mail: [email protected],dr inż. Marek Guziewicz, e-mail: [email protected],mgr inż. Paweł Jagodziński, e-mail: [email protected],dr inż. Eliana Kamińska, e-mail: [email protected],mgr inż. Renata Kruszka, e-mail: [email protected] inż. Radosław Łukasiewicz, e-mail: [email protected],dr Ewa Papis-Polakowska, e-mail: [email protected],dr inż. Tadeusz T. Piotrowski, e-mail: [email protected],dr inż. Maciej Piskorski, e-mail: [email protected],mgr inż. Paweł Skoczylas, e-mail: [email protected],mgr inż. Artur Szczęsny e-mail: [email protected],mgr Andrian Kuchuk, mgr inż. Lidia Ilka, mgr inż. Ireneusz Wójcik

1. Wprowadzenie

W 2004 r. Zakład Technologii Struktur Półprzewodnikowych dla Fotoniki reali-zował następujące projekty badawcze:• Opracowanie procesów wytwarzania cienkich warstw tlenków i azotków prze-

wodzących dla potrzeb półprzewodnikowych przyrządów fotonowych Etap III(projekt statutowy nr 1.03.035, termin realizacji 31.12.2004);

• Procesy obróbki powierzchni struktur półprzewodnikowych na bazie GaSb i ichzastosowanie w technologii źródeł i detektorów podczerwieni (grant promotor-ski KBN nr 4 T1B 039 22, termin realizacji 15.05.2004);

• Tranzystory polowe AlGaN/GaN nowej generacji dla elektroniki dużej mocyi wysokiej częstotliwości (grant KBN nr 1359/T11/2004/26, termin realizacji25.04.2007);

• Półprzewodnikowe fotoogniwa GaSb/In(Al)GaAsSb do zastosowań w przyrzą-dach termofotowoltaicznych (grant KBN nr 1360/T11/2004/26, termin realiza-cji 03.05.2007);

• Wytwarzanie i optymalizacja kontaktu omowego typu p do GaN, DENIS(projekt EC nr G5RD-CT-2001-00566, termin realizacji 31.03.2005);

• Nanostrukturalne czujniki fotonowe", NANOPHOS (projekt EC nr IST-2001-39112, termin realizacji 31.12.2005).

ZAKŁAD TECHNOLOGII STRUKTURPÓŁPRZEWODNIKOWYCH DLA FOTONIKI

2 Zakład Technologii Struktur Półprzewodnikowych dla Fotoniki

Zakład świadczył również usługi badawcze na zamówienie odbiorców zewnętrz-nych, m. in. w zakresie opracowania technologii wytwarzania masek ZrN na pod-łożach GaAs i GaSb stosowanych do lateralnego wzrostu warstw epitaksjalnychmetodą LPE.

Odrębną grupę działalności stanowiły prace recenzenckie na rzecz KomisjiEuropejskiej w 6. Programie Ramowym, w części Human Resources & Mobility.

2. Wyniki działalności naukowo-badawczej

Najważniejszymi zadaniami naukowo-badawczymi w 2004 r. było:• opracowanie technologii wytwarzania przezroczystych przewodzących warstw

ZnO typu p,• opracowanie technologii wytwarzania przewodzących warstw tlenkowych o struk-

turze amorficznej z materiałów na bazie rutenu,• przeprowadzenie badań stabilności termicznej metalicznych barier antydyfuzyj-

nych W-Ti-N, Ta-Si-N i Ti-Si-N.Równolegle prowadzono prace aplikacyjne związane z zastosowaniem opraco-

wywanych struktur cienkowarstwowych w technologii półprzewodnikowych przy-rządów opto- i mikroelektronicznych z materiałów na bazie GaSb, GaAs i GaN.

Nieodłącznym elementem działalności było doskonalenie metod litografii i cha-rakteryzacji opracowywanych struktur cienkowarstwowych.

2.1. Technologia i własności cienkich warstw p-ZnO

Bazując na wynikach prac z 2003 r. za najbardziej perspektywiczną drogę douzyskania cienkich warstw ZnO typu p uznano metodę utleniania termicznegoZn3N2 z ewentualnym kodomieszkowaniem chromem. W przyjętym podejściuwarstwy Zn3N2 były wytwarzane techniką reaktywnego magnetronowego roz-pylania katodowego r.f. z targetu Zn w plazmie Ar/N2; dla kodomieszkowaniachromem stosowano dodatkowo target Cr. Procesy utleniania Zn3N2 były pro-wadzone w standardowym piecu do obróbki termicznej w przepływie tlenu.

Celem badań było określenie:• wpływu warunków procesu rozpylania katodowego oraz struktury krystalicznej

podłoża na mikrostrukturę warstw Zn3N2 i dalej na własności strukturalne ZnO;• wpływu zanieczyszczeń wodorem oraz domieszkowania azotem i chromem na

własności transportowe p-ZnO.Jako podłoża stosowano kwarc (struktura amorficzna), szafir (struktura heksa-

gonalna) oraz GaN (struktura heksagonalna, dopasowana sieciowo do ZnO) i cien-kie, monokrystaliczne warstwy ZnO na podłożu GaN. W badaniach mikrostrukturycienkich warstw zastosowano techniki XRD, SIMS, AFM.

Zakład Technologii Struktur Półprzewodnikowych dla Fotoniki 3

Otrzymane wyniki wskazują, że czynnikiem decydującym o strukturze kry-stalicznej warstw Zn3N2 jest skład plazmy, w jakiej odbywa się proces rozpylaniakatodowego. Przy niskiej zawartości azotu, poniżej 25% N2, otrzymywane warstwyZn3N2 zawierają wytrącenia metalicznego Zn. Jednofazowy, polikrystaliczny Zn3N2o charakterystycznej dla tego materiału strukturze kubicznej otrzymuje się przy 25%zawartości azotu. W zakresie 50 ÷ 70% N2 struktura krystaliczna Zn3N2 jest uporząd-kowana, o orientacji (100). Dalszy wzrost zawartości N2 sprawia, że warstwy Zn3N2stają się drobnokrystaliczne i amorficzne. Ilustrują to przedstawione na rys. 1 wynikianaliz rentgenowskich warstw Zn3N2.

Co ciekawe, powyższe zależności były obserwowane niezależnie od rodzajupodłoża, na którym osadzano Zn3N2. W przeciwieństwie do tego mikrostrukturawarstw ZnO bardzo silnie zależała zarówno od struktury wyjściowego podłoża, jaki od struktury Zn3N2.

Na rys. 2 przedstawiono dyfraktogramy rentgenowskie ilustrujące wpływwyjściowego podłoża (szafir, kwarc, epi-ZnO) na mikrostrukturę warstw ZnOotrzymywanych w wyniku utleniania monokrystalicznego Zn3N2 (o strukturze jakna rys. 1c). Jak widać, na podłożach niedopasowanych sieciowo do ZnO kwarcui szafirze otrzymano polikrystaliczny ZnO. W przypadku gdy podłożem był

30 40 50 60 70

100

200

300

400

500

600

700

PRF=1.9W/cm2,

ptot.=1x10-2mbar,

pN2=2x10-3mbar

Zn

400 Z

n3N

2 d

exp =

2.4

57A

440 Zn

3N2 d

exp =

1.7

27 A

321 Zn

3N

2 d

exp =

2.6

14 A

Inte

nsity

2 θ [ deg ]

a)

30 40 50 60 70

200

400

600

800

1000

PRF

=1.9W/cm2,

ptot.=1x10-2mbar,

pN2=2.5x10-3mbar

222 Zn

3N2 d

exp=

2.8

26A

440 Z

n3N

2 d

exp =

1.7

32A

332 Z

n3N

2 d

exp =

2.0

89A

400 Z

n3N

2 d

exp =

2.4

50A

321 Zn

3N2 d

exp =

2.6

19 A

Inte

nsity

2 θ [ deg ]

b)

30 40 50 60 700

50

100

150

200

250

300 PRF=1.9W/cm2,

ptot.=1x10-2mbar,

pN2=5-7x10-3mbar

400 Zn3N2

Inte

nsity

2 θ [ deg ]

c) d)

30 40 50 60 700

50

100

150

200

250

300 PRF=1.9W/cm2,

ptot.=1x10-2mbar,

pN2=9x10-3mbar

Inte

nsity

2 θθθθ [ deg ]

Rys. 1. Dyfraktogramy rentgenowskie warstw Zn3N2 osadzanych metodą reaktywnego rozpylania kato-dowego przy różnym stosunku ciśnień N2/Ar: a) 20% N2 → Zn3N2 + Zn, b) 25% N2→ polikrystalicznyZn3N2, c) 50% ÷ 70% N2 → monokrystaliczny, d) N2 > 80% polikrystaliczny/amorficzny


tlenek cynku lub GaN, struktura ZnO charakteryzowała się wysokimuporządkowaniem zgodnym z orientacją krystaliczną podłoża. Komplementarnebadania morfologii powierzchni technikami mikroskopii optycznej i AFMwykazały, że transformacja strukturalna silnie uporządkowanego kubicznegoZn3N2 w heksagonalny ZnO, zachodząca na niedopasowanym do ZnO podłożu,daje w efekcie warstwy polikrystaliczne o jednorodnej morfologii (rys. 3). Jeśli

a) b)

Rys. 3. Morfologia powierzchni warstwy ZnO wytworzonej poprzez utlenianie monokrystalicznego Zn3N2na szafirze: a) obraz z mikroskopu optycznego, b) obraz AFM

40 50 60 700

100

200

300

400

500

600

700

800

ZnO

Zn3N

2 d=650nm na kwarcu

utlenianie @ 600oC

11

.0 10

.2

10

.1

10

.1 K

β βββ

00

.2

10

.0

Inte

nsity

2 θ [ deg ]

40 45 50 55 60 95 100

200

400

600

800

1000Zn

3N

2 d=650nm na GaN

utlenianie @ 600oC 0

0.4

GaN

00

.4 Z

nO

00.6

Al 2O

3

00

.2 Z

nO

00.2

GaN

In

tens

ity

2 θ [ deg ]

45 50 55 600

200

400

600

800

1000

ZnO

Zn3N

2 d=650nm na Al

2O

3

utlenianie @ 600oC

2 θ (deg)

10

1

102

00

2

Kα

Kβ

006 Al2O3

Inte

nsity

(cps

)

a) b)

c)

Rys. 2. Dyfraktogramy rentgenowskie warstw ZnO na podłożach z szafiru, kwarcu oraz GaN: a) poli-krystaliczny ZnO na szafirze, b) polikrystaliczny ZnO na kwarcu, c) epitaksjalny ZnO na Ga


zaś proces transformacji przebiega na podłożu dopasowanym sieciowo, tonaprężenia wewnętrzne generowane w trakcie przemiany strukturalnej sprawiają,że otrzymany materiał mimo monokrystalicznej struktury charakteryzuje się bardzoniejednorodną topografią (rys. 4).

a) b)

c)

d)

Rys. 4. Morfologia powierzchni warstwy ZnO podłożu GaN: a) obraz z mikroskopu optycznego, b)d)obrazy AFM cech charakterystycznych jak dziury, wzgórki i obszar płaski

Na rys. 5 przedstawiono dyfraktogramy rentgenowskie ilustrujące wpływ wyj-ściowego podłoża (ZnO, szafir) na mikrostrukturę warstw ZnO otrzymywanychw wyniku utleniania polikrystalicznego Zn3N2 (o strukturze jak na rys. 1a). Napodłożach dopasowanych sieciowo (GaN, ZnO) otrzymano monokrystaliczny ZnO,podczas gdy warstwy otrzymane na niedopasowanych sieciowo podłożach (kwarc,szafir) charakteryzują się strukturą polikrystaliczną.

Za najważniejszy wynik przeprowadzonych prac badawczych należy uznaćzoptymalizowanie parametrów wytwarzania jednorodnych, monokrystalicznychwarstw ZnO na podłożach GaN. W szczególności wykazano, iż stosując poli-krystaliczny/amorficzny Zn3N2 można uzyskać cienkowarstwowy monokrysta-liczny ZnO o regularnej morfologii powierzchni. Obrazy mikroskopowe tego typuwarstw przedstawiono na rys. 6.

W badaniach nad efektywnością domieszkowania ZnO ustalono korelacjęmiędzy własnościami transportowymi warstw ZnO a koncentracją aktywnejdomieszki, jaką jest azot, oraz koncentracją wodoru. Ilościowe badania składu

45 50 55 600

200

400

600

800

1000

po utlenianiu

po osadzeniu

2 θ (deg)

101

ZnO

102

ZnO

002

ZnO

Kα

Kβ

006 Al2O3

004

Zn3N

2

Al2O3/Zn3N2(90%N2)

Inte

nsity

(cps

)

42 43 44 450

1000

2000

3000

4000

5000

po utlenianiu

d = 2.631 Apo osadzeniu ZnO sputt.

002

GaNd = 2.606 A

002 ZnO

Al2O3/GaN/ZnOsputt./Zn3N2

2 θ (deg)

Inte

nsity

(cps

)

Rys. 5. Dyfraktogramy rentgenowskie warstw ZnO otrzymanych z drobnoziarnistego Zn3N2 na podłożachZnO oraz Al2O3


zostały wykonane metodą SIMS z użyciem specjalnie do tego celu wytworzonychwzorców azotu i wodoru w ZnO. Pomiary zawartości azotu wykazały jednorodnąi powtarzalną koncentrację N w utlenionej warstwie na poziomie 3 ÷ 5⋅1020 at./cm3.Stwierdzono, że warstwy ZnO zawierają porównywalną z azotem koncentracjęwodoru. Na rys. 7 przedstawiono wyniki badań głębokościowych składu Zn3N2 poosadzeniu i utlenianiu. Stwierdzono, że koncentracja wodoru w ZnO zależy odpoziomu ciśnienia resztkowego wodoru podczas procesu nanoszenia Zn3N2.Wprowadzenie specjalnego reżimu technologicznego, polegającego na dodat-kowym czyszczeniu komory próżniowej i trawieniu podłoża jonami Ar in situ,pozwoliło na znaczącą redukcję zawartości wodoru w warstwie ZnO. Stwierdzono,że zawartość graniczna, powyżej której nie jest możliwe uzyskanie w ZnOprzewodnictwa dziurowego, wynosi ok. 2⋅1020 at./cm3.

a) b)

Rys. 6. Morfologia powierzchni warstw ZnO wytworzonej poprzez utlenianie drobnokrystalicznego Zn3N2na podłożu GaN: a) obraz z mikroskopu optycznego, b) obraz AFM cech charakterystycznych

Wartości parametrów elektrycznych warstw ZnO, otrzymanych z materiałuwyjściowego Zn3N2 osadzonego przy różnej ilości azotu, zestawiono w tab. 1.W świetle tych wyników wydaje się, że rola chromu jako kodomieszkiumożliwiającej uzyskanie wyższej koncentracji dziur w p-ZnO polega na gete-rowaniu zanieczyszczeń wodorowych.

0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,01018

1019

1020

1021

1022

1023

Zn

O

N

H

Depth [ µµµµm]

Conc

entra

tion

of N

and

H [

at/c

m

3 ]

100

101

102

103

104

105

106

107

standard cleaningZn3N2 640nm on GaN

ht @ O2 6000C 15 min.

SIMS Signal [ c/s ]

0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,01018

1019

1020

1021

1022

1023

Conc

entra

tion

of N

and

H [

at/c

m

3 ]

Depth [µµµµm]

100

101

102

103

104

105

106

107

H

N

O

Zn

improved cleaningZn3N2 on GaN

ht @ O2 600015 min.

SIMS Signal [ c/s ]

0,0 0,2 0,4 0,6100

101

102

103

104

105

106

107

108

O

N

Zn

Zn3N2 650 nm as-depositedsubstrate SiO2

Depth [ µµµµm ]

SIM

S Si

gnal

[ c/

s ]

!) ") #)

Rys. 7. Profile głębokościowe warstw Zn3N2 i ZnO: a) Zn3N2 po osadzeniu, b) warstwa ZnO zawartość Hprzed optymalizacją czyszczenia stanowiska i podłoża; c) warstwa ZnO zawartość H po optymalizacjiprocesu oczyszczania


Tabela 1. Parametry elektryczne utlenionych warstw Zn3N2

Materiał wyjściowy Utlenianie dZnO[nm]

Typ ρ[Ω⋅cm]

Koncentr.[cm−3]

µ[cm2/Vs]

Al2O3/Zn3N2(30%N2) 600oC

15 min.

700 p 2,37 2,6⋅1017 10,0

Al2O3/Zn3N2(50%N2) 600oC

15 min.

660 p 1,52 2,3⋅1017 17,9

Al2O3/Zn3N2(80%N2) 600oC

15 min.

630 p 1,31 2,96⋅1017 16,0

ZnO/Zn3N2(90%N2) 600oC

30 min.

1450 p 3,51 5,04⋅1016 35,2

Al2O3/Zn3N2(100%N2) 600oC

15 min.

260 p 1,18 6,57⋅1017 7,9

Pomiary transmisji warstw p-ZnO:N przedstawione na rys. 8 wykazały dobrą,80% wartość dla zakresu podczerwieni 0,7 ÷ 2,2 µm i słabszą, ok. 60 ÷ 70 %, dlazakresu widzialnego.

Badania fotoluminescencji warstw p-ZnO:N w temperaturze 16 K przeprowa-dzono we współpracy z Instytutem Fizyki PAN. Jak można zauważyć na rys. 9,w widmie fotoluminescencji widoczny jest silny pik odpowiadający energii3,36 eV oraz emisji z głębokiego poziomu 2,33 eV. Pierwszy pik 3,36 eVprzypisuje się ekscytonowi związanemu z domieszką azotową (AoX), a wzbu-dzenie ok. 2,33 eV, tzw. green band, lukom tlenowym w ZnO.

400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800 2000 22000

10

20

30

40

50

60

70

80

90

100

Zn3N2/SiO2 ht@ O2, 6000C 15min.

ZnO d=260 nm ZnO d=600 nm

Tran

sim

issi

on (%

)

Wavelength (nm)2,0 2,5 3,0 3,5

2.33 eV

Zn3N2(902)/Al2O3, oxidized @ 6000C

3.36 eVT=16K, Excitation line 351nm (Argon laser)

Inte

nsity

[a.u

.]

E[eV]

Rys. 8. Transmisja warstw p-ZnO:N o grubości 260 nmi 600 nm

Rys. 9. Fotoluminescencja warstw p-ZnO:N utlenia-nych w 600oC


2.2. Technologia i własności cienkowarstwowych barier dyfuzyjnych dlametalizacji na bazie złota

Złoto oraz jego stopy i struktury warstwowe na bazie Au są najczęściej sto-sowanymi materiałami w technologii metalizacji przyrządów półprzewodnikowychIII-V. Wykorzystywane są zarówno w technologii warstw kontaktowych (kontaktyomowe), jak i warstw montażowych (doprowadzenia elektryczne). W szcze-gólności badania przeprowadzone w poprzednim etapie projektu DENIS wykazały,że kontakty Pd/Au mają najlepsze własności elektryczne (najniższe wartości rezy-stywności), jeśli chodzi o kontakty omowe do obszaru typu p lasera GaN/AlGaN//InGaN.

Zalety i wady metalizacji na bazie złota są nierozłącznie związane z metalurgiąukładu Au/półprzewodnik AIII-BV i aktywowanymi termicznie reakcjami zacho-dzącymi w tych układach. Mają one m. in. negatywny wpływ na długoczasowąstabilność mikrostruktury kontaktów i ich własności elektryczne.

Powszechne jest przekonanie, że rozwiązaniem problemu ograniczonejstabilności termicznej metalizacji na bazie Au jest wprowadzenie do nich cienko-warstwowych barier antydyfuzyjnych. Cienkowarstwowe materiały barierowemuszą spełniać warunki wysokiej stabilności termicznej, wysokiego przewodni-ctwa elektrycznego, odporności na korozję, kompatybilności z procesem wytwa-rzania struktur przyrządowych. Najnowsze badania w tym zakresie sugerują, żemateriały barierowe powinny się charakteryzować strukturą amorficzną, wolną odłatwej dyfuzji (np. po granicach ziaren).

Przedmiotem badań szczegółowych były dwa układy materiałowe: cienkowarstwoweprzewodzące azotki metali przejściowych, w tym warstwy układów Ta-Si-N, Ti-Si-Ni Ti-W-N, oraz cienkowarstwowe przewodzące tlenki na bazie rutenu, w tym war-stwy układów Ru-O and Ru-Si-O.

2.2.1. Cienkowarstwowe przewodzące azotki metali przejściowych

Cienkie warstwy Ta-Si-N, Ti-Si-N i W-Ti-N były wytwarzane metodą reaktyw-nego magnetronowego rozpylania katodowe w plazmie Ar/N2 przy użyciu targetówTa5Si3, Ti5Si3 i Ti(10%)W(90%). Osadzanie warstw Ta-Si-N i Ti-Si-N prowadzonow urządzeniu Leybold L560, a warstw W-Ti-N w sputronie Leybold Z550. Dużaczęść prac była wykonywana z użyciem podłoży (100)GaAs, końcowe ekspery-menty prowadzono stosując podłoża GaN.

Charakteryzacja wytworzonych warstw obejmowała pomiary oporności elek-trycznej (metodą czterech sond), naprężeń (Tencor FLX 2320), składu chemicz-nego (RBS i SIMS), struktury krystalicznej i morfologii powierzchni (XRD,AFM).

W celu określenia stabilności termicznej wytwarzane warstwy były poddawaneprocesom wygrzewania w atmosferze Ar w temperaturze 400 ÷ 1000oC.


Wytwarzanie i własności barierowe cienkich warstw Ta-Si-NWpływ parametrów osadzania (moc RF, zawartość N2 w plazmie) na podstawowe

własności warstw Ta-Si-N (skład chemiczny, rezystywność, naprężenia) ilustrujązależności przedstawione na rys. 10. Otrzymane wyniki, uzupełnione analizami XRD(rys. 11), wskazują, że skład gazu procesowego (zawartości N2 w plazmie) mazasadniczy wpływ na skład chemiczny i strukturę krystaliczną warstw Ta-Si-N.W szczególności dowodzą, że optymalizując parametry procesu osadzania możnaotrzymać przewodzące warstwy o strukturze amorficznej.

35 40 45 500

200

400

600

800

1000

PRF = 200 WTa.28Si.22N.50 fN2

= 20 sccm

Ta.33Si.23N.44 fN2 = 12 sccm

Ta.34Si.25N.41 fN2

= 10 sccm

Ta.40Si.24N.36 fN2 = 8 sccm



Ta.67Si.33

Coun

ts

2Θ [ deg ]

20 30 40 50 60 70 800

500

1000

1500

2000

GaA

s(40

0)

GaA

s(20

0)

GaAs/Ta.67Si.33 (100 nm)Cou

nts

2Θ [ deg ]

20 30 40 50 60 70 800

500

1000

1500

2000

GaA

s(40

0)

GaA

s(20

0)

GaAs/Ta.34Si.25N.41 (100 nm)

Cou

nts

2Θ [ deg ]

Rys. 11. Wpływ parametrów rozpylania katodowego (P = 200 W, fN2 = 2 20 sccm) na mikrostrukturęwarstw Ti-Si-N: a), b) widma XRD warstw GaAs/Ta0,67Si0,33 i GaAs/Ta0,34Si0,25N0,41, c) fragment widmaXRD ilustrujący zmianę struktury warstwy Ta-Si-N ze wzrostem zawartości azotu

0 5 10 15 200.0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

P = 200 W fAr = 100 sccm

Si

N

Ta

Laye

r com

posi

tion

[ at%

]

N2 flow [ sccm ]0 5 10 15 20

10-4

10-3

10-2

10-1

Ta.34Si.25N.41

Ta.67Si.33

P = 200 WfAr = 100 sccm

Res

istiv

ity [

Ωcm

]

N2 flow [ sccm ]0 5 10 15 20

-2.0

-1.5

-1.0

-0.5

0.0

Ta.40Si.24N.36

Ta.34Si.25N.41

Ta.67Si.33

P = 200 WfAr = 100 sccm

Stra

in [

GPa

]

N2 flow [ sccm ]

100 120 140 160 180 2000.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

fN2 = 8 sccm

fAr = 100 sccm

Si

N

Ta

Laye

r com

posi

tion

[ at%

]

RF power [ W ]100 120 140 160 180 200

10-4

10-3

10-2

10-1

fN2

= 8 sccmfAr = 100 sccm

Ta.29Si.22N.49

Ta.40Si.24N.36

Ta.38Si.20N.42

Res

istiv

ity [

Ωcm

]

RF power [ W ]100 120 140 160 180 200

-2.0

-1.5

-1.0

-0.5

0.0

Ta.38Si.22N.42

Ta.29Si.22N.49Ta.40Si.24N.36

fN2 = 8 sccm

fAr = 100 sccm

Stra

in [

GPa

]

RF power [ W ]

Rys. 10. Zależność składu (a, b), rezystywności (c, d) i naprężeń (e, f) warstwy Ta-Si-N od prze- pływu N2oraz mocy RF

a) b) c)

d) e) f)

a) c)

b)


Wpływ obróbki termicznej na mikrostrukturę i własności elektryczne warstwTa-Si-N ilustrują zależności przedstawione na rys. 1217 oraz w tab. 2.

Tabela 2. Wpływ procesów termicznych na skład warstw GaAs/TixSi1-x-yNy

Parametry procesu obróbki termicznejMetalizacjad = 100 nm 600oC, 5 min. 800oC, 5 min. 1000oC, 5min.

GaAs/Ta0,67Si0,33 Ta0,67Si0,33 Ta5Si3 + TaSi2 Ta5Si3 + TaSi2

GaAs/Ta0,34Si0,25N0,41 Ta0,34Si0,25N0,41 Ta0,34Si.0,5N0.41 Ta5Si3 + Ta0,2N0,8

Rys. 13. Obrazy AFM powierzchni warstw Ta-Si-N:Ta0,67Si0,33 po osadzeniu (a) i wygrzewaniu w T == 700oC, t = 5 min. (b); Ta0,40Si0,24N0,36 po osadzeniu (c) i wygrzewaniu w T = 900oC, t = 5 min. (d);Ta0,34Si0,25N0,41 po osadzeniu (e) i wygrzewaniu w T = 900oC, t = 5 min. (f)

0

1000

2000T = 6000C

20 30 40 50 60 70 800

1000

2000G

aAs(

400)

GaA

s(20

0)

GaAs/Ta.67Si.33(100 nm)

Cou

nts

as deposited

2Θ [ deg ]

0

1000

2000

·•

- TaSi2·- Ta5Si3

• · ······ ·· ••

•• •·

T = 8000C

20 30 40 50 60 70 800

1000

2000

GaAs/Ta.34Si.25N.41(100nm) GaA

s (4

00)

GaA

s (2

00)

as deposited

0

1000

2000

T = 9000C

0

1000

2000

···· - Ta5Si3• - Ta.2N.8

· ••· · ··

•

Cou

nts

2Θ [ deg ]

T = 10000C

Rys. 12. Wpływ temperatury wygrzewania na mikrostrukturę warstw: a) GaAs/Ta0,67Si0,33, b) GaAs//Ta0,34Si0,25N0,41

X 1 µm/divZ 10 nm/div

Ta.34Si.25N.41Ta.40Si.24N.36Ta.67Si.33

rms = 0.47 nm rms = 0.35 nm rms = 0.36 nm

T = 700oCrms = 4.4 nm

T = 900oCrms = 0.60 nm

X 0.2 µm/divZ 10 nm/div

T = 900oCrms = 0.46 nm



a) c) e)

b) d) f)


0 50 100 150 200 250100

101

102

103

104

105

106

107

GaAs/Ta.67Si.33 as deposited

Ta

Si

Ga

As

Cou

nts

[ c/s

]

Time [ s ]0 50 100 150 200 250

100

101

102

103

104

105

106

107

GaAs/Ta.67Si.33

600oC, 5 min, Ar

Ta

Si

Ga

As

Cou

nts

[ c/s

]

Time [ s ]0 50 100 150 200 250

100

101

102

103

104

105

106

107

GaAs/Ta.67Si.33

700oC, 5 min, Ar

Ta

Si

Ga

As

Cou

nts

[ c/s

]

Time [ s ]

0 50 100 150 200 250100

101

102

103

104

105

106

GaAs/Ta.40Si.24N.36

as deposited

O

N

Si

GaTa

Time [ s ]

Cou

nts

[ c/s

]

0 50 100 150 200 250100

101

102

103

104

105

106

GaAs/Ta.40Si.24N.36

700oC, 5 min, Ar

O

N

Si

GaTa

Time [ s ]

Cou

nts

[ c/s

]

0 50 100 150 200 250100

101

102

103

104

105

106

GaAs/Ta.40Si.24N.36

800oC, 5 min, Ar

O

N

Si

GaTa

Time [ s ]

Cou

nts

[ c/s

]

0 50 100 150 200 250100

101

102

103

104

105

106

GaAs/Ta.34Si.25N.41as deposited

O

N

Si

GaTa

Time [ s ]

Cou

nts

[ c/s

]

0 50 100 150 200 250100

101

102

103

104

105

106

GaAs/Ta.34Si.25N.41

900oC, 5 min, Ar

O

N

Si

Ga

Ta

Time [ s ]

Cou

nts

[ c/s

]

0 100 200 300 400 500100

101

102

103

104

105

106

GaAs/Ta.34Si.25N.41

1000oC, 5 min, Ar

O

N

Si

GaTa

Time [ s ]

Cou

nts

[ c/s

]

RTT

a) b) c)

d) e) f)

g) h) i)

ys. 14. Profile SIMS warstw Ta-Si-N:Ta0,67Si0,33 po osadzeniu (a) i po wygrzewaniu w T = 600oC (b), = 700oC (c); Ta0,40Si0,24N0,36 po osadzeniu (d) i po wygrzewaniu w T = 700oC (e), T = 800oC (f);a S N po osadzeniu (g) i po wygrzewaniu w T = 900oC (h), T = 1000oC (i)
0,34 0,25 0,41
0 400 500 600 700 800

0

2

4

6

8

10

12

14

16

Annealing temperature [ oC ]

GaAs/Au GaAs/Ta.67Si.33/Au GaAs/Ta.53Si.20N.27/Au GaAs/Ta.40Si.24N.36/Au GaAs/Ta.34Si.25N.41/Au

dAu = 90 nm dTa-Si-N = 100 nm

Res

ista

nce

[ Ω/s

q. ]

Rys. 15. Wpływ temperatury wygrzewania na rezystywność kontaktów GaAs/Ta-Si-N/Au


Podsumowując otrzymane wyniki należy podkreślić, iż cienkie warstwy o skła-dzie Ta0,34Si0,25N0,41 i grubości 100 nm stanowią znakomitą warstwę barierową,odporną na działanie podwyższonych aż do 800oC temperatur.

Wytwarzanie i własności barierowe cienkich warstw Ti-Si-NWpływ parametrów osadzania na rezystywność i własności barierowe warstw

Ti-Si-N jest przedstawiony na rys. 18. Otrzymane wyniki wskazują, że cienkie

150 200 250 300 350 400 4500.0

2.0x103

4.0x103

6.0x103

8.0x103

1.0x104

Channel

Ta

Au

GaAs

1.91.51.10.7Energy [ MeV ]

GaAs/Ta.53Si.20N.27(110nm)/Au(90nm)

as deposited

Ar, T = 8000C, t = 5 min.

Back

scat

terin

g yi

eld

[ a.u

. ]

150 200 250 300 350 400 4500.0

2.0x103

4.0x103

6.0x103

8.0x103

1.0x104 1.91.51.10.7

Ta

Au

GaAs

Energy [ MeV ]

GaAs/Ta.34Si.25N.41(110 nm)/Au(90nm)

as deposited

Ar, T = 8000C, t = 5 min.

Back

scat

terin

g yi

eld

[ a.u

. ]

Channel

Rys. 16. Widma RBS kontaktów GaAs/Ta0,53Si0,20N0,27/Au (a) i GaAs/Ta0,34Si0,25N0,41/Au (b) przed i powygrzewaniu w Ar, T = 800oC, t = 5 min.

a) b)

Rys. 17. Zdjęcia TEM kontaktu Au/Ta0,34Si0,25N0,41/GaN przed (a) i po (b) wygrzewaniu w Ar, T = 800oC,t = 5 min.

a) b)

a) b)

0 5 10 1510-4

10-3

10-2

10-1

Ti.30Si.22N.48

Ti.27Si.20N.53

Ti.58Si.42

P = 450 WfAr = 150 sccm

Res

istiv

ity [

Ωcm

]

N2 flow [ sccm ]0 400 500 600 700 800

0.1

1

10

100

GaAs/Ti.34

Si.26

N.40

/Au GaAs/Ti

.30Si

.22N

.48/Au

GaAs/Ti.27

Si.20

N.53

/Au GaAs/Ti

.26Si

.19N

.55/Au

GaAs/Ti.26

Si.18

N.57

/Aud

Ti-Si-N = 170 nm

dAu = 50 nm

Resi

stan

ce [

Ω/s

q. ]

Annealing temperature [ OC ]

Rys. 18. Wpływ parametrów procesu osadzania na rezystywność warstw Ti-Si-N (a) i wygrzewania narezystywność kontaktów GaAs/Ti-Si-N/Au (b)


warstwyTi0,27Si0,20N0,53 spełniają wymogi wysokiego przewodnictwa i stabilnościtermicznej w temperaturze do 800oC.

Wytwarzanie i własności barierowe cienkich warstw W-Ti-NWpływ parametrów osadzania na rezystywność, mikrostrukturę i własności

barierowe warstw W-Ti-N jest przedstawiony na rys. 1922. Otrzymane wynikiwskazują, że optymalizując parametry procesu osadzania można otrzymać prze-wodzące warstwy o strukturze amorficznej. Ich własności barierowe są jednakżegorsze w porównaniu z warstwami Ta-Si-N i Ti-Si-N. Najlepsze pod tym wzglę-dem warstwy W0,65Ti0,17N0,18 wykazują odporność na działanie podwyższonychtemperatur nie przekraczających 750oC.

Rys. 20. Obrazy AFM powierzchni warstw W-Ti-N: a) W0,78Ti0,22, b) W0,65Ti0,17N0,18, c) W0,42Ti0,12N0,46,d) W0,34Ti0,11N0,55

35 40 45 50 55 600.0

5.0x102

1.0x103

1.5x103

2.0x103

2.5x103

3.0x103

3.5x103

4.0x103

4.5x103

(111)TiN

(200)TiN

(200)β-W2N

(111)β-W2N

(110)W W.34

Ti.11

N.55

W.36

Ti.11

N.53

W.40Ti.11N.49

W.42Ti.12N.46

W.45Ti.13N.42

W.51Ti.13N.36

W.56Ti.14N.30

W.65Ti.17N.18

W.69

Ti.19

N.12

W.78

Ti.22

Inte

nsity

[ a.

u. ]

2Θ [deg]

Rys. 19. Dyfraktogramy XRD warstw W-Ti-N

a) b)

c) d)


2.2.2. Cienkowarstwowe tlenki przewodzące na bazie rutenu

Cienkie warstwy Ru-O i Ru-Si-O były wytwarzane metodą magnetronowegorozpylania katodowego w plaźmie Ar/O2 przy użyciu targetów Ru i Ru1Si1. Pro-cesy osadzania były prowadzone w urządzeniu Leybold Z400 w modzie DC.Materiałem podłożowym był kwarc, szafir, krzem i epi-GaN.

Zasadniczym zadaniem prowadzonych prac było ustalenie korelacji pomiędzyparametrami procesu osadzania a własnościami elektrycznymi i strukturą krysta-liczną otrzymywanych warstw.

0 550 600 650 700 750 8000.1

1

10

100

1000

GaAs/W.78Ti.22/Au GaAs/W.69Ti.19N12/Au GaAs/W.65Ti.17N18/Au GaAs/W.56Ti.14N30/Au GaAs/W.40Ti.11N49/Au GaAs/W.36Ti.11N53/Au GaAs/W.34Ti.11N55/Au

dW-Ti-N = 100 nmdAu = 90 nmRe

sista

nce

[ Ω

/sq.

]

Annealing temperature [ OC ]

Rys. 21. Wpływ wygrzewania na własności barierowe warstw W-Ti-N

150 200 250 300 350 4000.00

2.50x103

5.00x103

7.50x103

1.00x104

1.25x104

1.50x104

AuW

GaAs

2MeV He+GaAs/W.78Ti.22(100nm)/Au(200nm)

Channel

Bac

ksca

tter

ing

yiel

d [a

.u.] as-deposited

600oC, 5 min, Ar

700oC, 5 min, Ar

150 200 250 300 350 4000.00

2.50x103

5.00x103

7.50x103

1.00x104

1.25x104

AuW

GaAs

2MeV He+ GaAs/W.65Ti.17N.18(100nm)/Au(200nm)

Channel

Back

scat

terin

g yie

ld [a

.u.] as-deposited

750oC, 5 min, Ar

800oC, 5 min, Ar

a) b)

300 400 500 600 700 800 9000.0

2.0x103

4.0x103

6.0x103

8.0x103

1.0x104

1.2x104

1.4x104

GaAs

AuW

2MeV He+GaAs/W.56Ti.14N.30(100nm)/Au(200nm)

as-deposited

750oC, 5 min, Ar 800oC, 5 min, Ar

Bac

ksca

tter

ing

yiel

d [a

.u.]

Channel150 200 250 300 350 400 450

0.00

2.50x103

5.00x103

7.50x103

1.00x104

1.25x104

1.50x104

1.75x104

2.00x104

AuW

GaAs

2MeV He+GaAs/W.36Ti.11N.53(100nm)/Au(200nm)

Channel

Bac

ksca

tter

ing

yiel

d [a

.u.] as-deposited

650oC, 5 min, Ar

700oC, 5 min, Ar

c) d)

Rys. 22. Widma RBS kontaktów GaAs/W0,78Ti0,22/Au (a); GaAs/W0,65Ti0,17N0,18/Au (b); GaAs/ W0,56Ti0,14N0,30/Au (c)i GaAs/W0,36Ti0,11N0,53/Au (d) przed i po wygrzewaniu w Ar


Wpływ zawartości tlenu w procesie rozpylania katodowego na rezystywnośći skład chemiczny warstw Ru-O i Ru-Si-O ilustrują rys. 23 i 24. Komplementarnewyniki badań rentgenowskich wykazały, że warstwy RiO2 charakteryzują sięstrukturą nanokrystaliczną, a warstwy RuSiO4 cechuje struktura amorficzna.

Badania stabilności termicznej warstw Ru-O2/GaN i RuSiO4/GaN (rys. 25, 26)wykazały, że pierwsze z nich charakteryzują się odpornością na działanie tem-peratur do 800oC, drugie zaś cechuje stabilność termiczna aż do 900oC.

0 10 20 30 40 5010-5

10-4

10-3

10-2

10-1

100

Ru-O d = 50 nm

Ru-Si-O d = 50 nm

Res

istivity

[ Ωcm

]

O2 partial pressure [%]

Rys. 23. Zależność rezystywności warstw Ru-O i RuSi-O w funkcji względnego ciśnienia tlenu podczasrozpylania katodowego z targetu Ru i RuSi

0 10 20 30 40 500,0

0,2

0,4

0,6

0,8

1,0

Ruthenium

Oxygen

Ru-O d = 50 nmPDC = 100 W

p = 1x10-2 mbar

At

omic

conc

entra

tion

[%at

.]

O2 partial pressure [%]100 200 300 400 500 600 700 800

0

1000

2000

3000

4000

Si

Ru0

Optimisation of reactive sputtering of RuO2 100% Ar 80% Ar + 20% O2 50% Ar + 50% O2

substrate: Si

Yiel

d

Channel

0 5 10 15 200,0

0,1

0,2

0,3

0,4

0,5

0,6

0,7

Silicon

Ruthenium

Oxygen

Ru-Si-O d = 50 nmPDC = 100 Wp = 5x10-3 mbar

Ato

mic

con

cent

ration

[%

at.]

O2 partial pressure [%]100 200 300 400 500 600 700 800

0

500

1000

1500

2000

2500

Si0

Ru0

Optimisation of reactive sputtering of Ru-Si-O 100% Ar 98% Ar + 2% O2 96% Ar + 4% O2 90% Ar + 10% O2 80% Ar + 20% O2

Substrate: SiYiel

d

Channel

a) b)

c) d)

Rys. 24. Widma RBS i skład atomowy warstw Ru-O (a, b) i Ru-Si-O (c, d) osadzonych na Si


2.3. Cienkie warstwy CdO, ZnO i RuSiO jako przezroczyste elektrodykontaktowe dla struktur półprzewodnikowych na bazie GaSb pracujących

w zakresie średniej podczerwieni

Najpopularniejszym materiałem na przezroczyste elektrody kontaktowe w przy-rządach optoelektronicznych pracujących w zakresie widzialnym i bliskiej pod-czerwieni jest tlenek indowo-cynowy (ITO). Użycie ITO dla średniej podczerwieninapotyka na znaczne ograniczenia ze względu na wzrastające w tym zakresie

0 50 100 150100

101

102

103

104

105

106

107

108

Depth [ nm ]

Ru/GaN as-deposited

O Ru Ga N

SIM

S Si

gnal

[ c/

s ]

a)

0 50 100 150100

101

102

103

104

105

106

107

108

RuO2/GaN as-deposited

Depth [ nm ]

O Ru Ga N

SIM

S S

igna

l [ c

/s ]

c)

0 50 100 150100

101

102

103

104

105

106

107

RuSiO4/GaN as-deposited

O Ru Si Ga N

Depth [ nm ]

SIM

S S

igna

l [ c

/s ]

e)

0 50 100 150100

101

102

103

104

105

106

107

RuSiO4/GaN 9000C, N

2, 1 min.

Depth [ nm ]

O Ru Si Ga N

SIM

S Si

gnal

[ c/

s ]

0 50 100 150100

101

102

103

104

105

106

107

108

Depth [ nm ]

Ru/GaN 8000C, N2, 1 min.

O Ru Ga N

SIM

S Si

gnal

[ c/

s ]

b)

0 50 100 150100

101

102

103

104

105

106

107

108

RuO2/GaN 8000C, N2, 1 min.

O Ru Ga N

Depth [ nm ]

SIM

S S

igna

l [ c

/s ]

d) f)

Rys. 25. Profile SIMS warstw na bazie Ru osadzonych na GaN przed i po wygrzewaniu w azocie przez1 min.: a), d) warstwa Ru; b), e) warstwa RuO2; c), f) warstwa RuSiO4

0 200 400 600 800 100010-6

10-5

10-4

10-3

10-2

10-1

RuSiO4

RuO2

Ru

Annealing @ N2, 1 min.

Res

istiv

ity [Ω

cm]

Temperature [oC]

Rys. 26. Zależność rezystywności warstw Ru, RuO2 i RuSiO4 od temperatury ich wygrzewania


widmowym wartości odbicia i absorpcji. Tak więc dla półprzewodników na bazieGaSb konieczne jest poszukiwanie innych tlenków przewodzących.

Biorąc po uwagę dotychczasowe doświadczenia, przeprowadzono badaniaczterech materiałów przewodzących: tlenku kadmu, tlenku cynku, tlenku cyny oraztlenku rutenowo-krzemowego.

Badane TCO były osadzane na podłożach p-GaSb (p = 3⋅1017 cm3), domiesz-kowanych germanem p-Al0,30Ga0,70As0,03Sb0,97, oraz dodatkowo do badań optycz-nych na podłożach kwarcowych.

Warstwy Cd-O, Sn-O i Ru-Si-O były nakładane metodą reaktywnego rozpylaniakatodowego z targetów Cd, Sn i RuSi w atmosferze będącej mieszaniną argonui tlenu. ZnO osadzano metodą RF sputteringu w atmosferze argonowej stosująctarget ZnO. Optymalizacja warunków osadzania (stosunek przepływu Ar/O2, mocRF, ciśnienie w komorze procesowej) była prowadzona pod kątem uzyskania jaknajwyższych wartości transmisji optycznej i przewodnictwa elektrycznego.

Charakteryzację tlenków przewodzących prowadzono wykonując pomiaryrezystancji warstw tlenkowych (sonda czteroostrzowa), szybkości ich nakładania(pomiar grubości wykonywano za pomocą profilometru Tencor α-step 200),transmisji widmowej (spektrofotometr PerkinElmer Lambda 9 w Zakladzie Fizykii Technologii Struktur Niskowymiarowych) oraz pomiary elipsometryczne (elipso-metr spektroskopowy VASE w Zakładzie Badania Struktur MOS) pozwalające nawyznaczenie zależności widmowych współczynnika załamania i współczynnikaekstynkcji. Na podstawie pomiarów transmisji wyznaczano także szerokośćprzerwy zabronionej badanych tlenków. Rezystancję właściwą kontaktówomowych wyznaczano metodą c-TLM w układzie ze źródłem pomiarowymKeithey SourceMeter 2400. Skład warstw osadzanych reaktywnie określanometodą RBS (wiązka 4He+ o energii 2 MeV) stosując do interpretacji wynikówprogram symulacyjny RUMP. Morfologię powierzchni TCO badano technikąAFM (Digital Instruments Nanoscope IIIa).

W tab. 3 podano optymalne parametry procesów wytwarzania oraz podstawowecharakterystyki uzyskanych TCO.

Tlenki kadmu, cynku i rutenowo-krzemowy tworzą zarówno z podłożami GaSb,jak i AlGaAsSb typu p kontakt omowy bezpośrednio po nałożeniu i nie wymagajądodatkowej obróbki termicznej (rys. 27). W przeciwieństwie do nich tlenek cynynie daje z p-GaSb kontaktu omowego nawet po wygrzewaniu. Wartości rezy-stancji właściwej wyznaczone metodą c-TLM wynoszą od 5⋅104 Ω⋅cm2 dlakontaktu p-GaSb/CdO do 12⋅102 Ω⋅cm2 dla p-GaSb/RuSiO2. Wyższe wartościrezystywności dla AlGaAsSb wynikają z niższego poziomu domieszkowaniawarstwy poczwórnej. Analizując parametry elektryczne, można powiedzieć, żenajbardziej obiecującymi materiałami są tlenek cynku i tlenek kadmu.

Rysunek 28 przedstawia zależności widmowe transmisji warstw badanychtlenków przewodzących o grubości 100 nm osadzonych na podłożach kwar-cowych. W zakresie widmowym 1800 ÷ 2400 nm najwyższą wartość transmisji ob-


Tabela 3. Parametry procesu wytwarzania oraz własności tlenkówprzewodzących i kontaktów TCO/półprzewodnik

TCO

Warunkiosadzania

sputeringowego

Przerwazabroniona

[eV]

RezystywnośćTCO

[Ω⋅cm]

Rezystyw.kontaktu

TCO/GaSb[Ω⋅cm2

Rezystywnośćkontaktu

TCO/AlGaAsSb[Ω⋅cm2]

CdODC

P = 50 Wp = 1⋅102 mbar10%O2 − 90%Ar

2,4 5⋅10−4 3,4⋅10−4 5⋅10−3

ZnORF

Ic = 160 mApAr = 2⋅103 mbar

3,3 2⋅10−3 2,4⋅10−4 1,3⋅10−3

RuSiODC

P = 100 Wp = 5⋅103 mbar

20%O2 − 80%Ar

− 1⋅10−2 1,5⋅10−3 −

SnO2

DCP = 75 W

p = 1⋅102 mbar20%O2 − 80%Ar

3,6 4⋅10−3 NΩ −

serwuje się dla ZnO (na poziomie 90%) oraz RuSiO4 (85%), nieco niższe wartościdla CdO i SnO2 (ok. 75%). Jak widać, tlenki te spełniają kryterium dobrej przez-roczystości w wymaganym zakresie długości fali. Dla porównania pokazana zostałarównież transmisja warstwy ITO, która dla λ = 2400 nm spada do wartości 50%.

Morfologię powierzchni analizowanych tlenków osadzonych na podłożu GaSbpokazano na rys. 29.

-2.0 -1.5 -1.0 -0.5 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0-200

-150

-100

-50

0

50

100

150

200 p-GaSb/ZnO p-GaSb/CdO p-GaSb/RuSiO4 p-GaSb/SnO2

Prąd

(mA)

Napięcie (V)

Rys. 27. Charakterystyki prądowo-napięciowe struktur p-GaSb/TCO


3. Współpraca międzynarodowa

W ramach 6. Programu Ramowego Zakład uczestniczył w realizacji dwóch pro-jektów europejskich współpracując z następującymi ośrodkami zagranicznymi:• DENIS

− ACREO AB, Szwecja;− Linköping University, Linköping, Szwecja;− Centrum Badań Wysokociśnieniowych UNIPRESS PAN, Warszawa;− Okmetic, Finlandia;− Universität Bremen, Brema, Niemcy;

300 600 900 1200 1500 1800 2100 24000

10

20

30

40

50

60

70

80

90

100

d = 100 nm

SnO2CdO

RuSiO4

ZnO

ITO

Tran

smis

ja (%

)

Długość fali (nm)

Rys. 28. Widmowa zależność transmisji warstw ZnO, RuSiO4, SnO2, CdO i ITO

RMS = 24.7 nm

SnO2CdO

RMS = 2.7 nm

ZnO

RMS = 12.5 nm

RuSiO4

RMS = 1.1 nm

Rys. 29. Obrazy AFM powierzchni ZnO, RuSiO4, CdO i SnO2 osadzonych sputteringowo na podłożu GaSb


− OSRAM-Opto Semiconductors GmbH, Niemcy;− Instytut Fizyki PAN, Warszawa.

• NANOPHOS− National Research Foundation, Ateny, Grecja; THALES, Paryż, Francja; Jenasensoric E.V., Jena, Niemcy; Cybernetix, Marsylia, Francja; 3D Digital Design & Development Ltd, Broxbourne, Wielka Brytania; Foundation for Research and Technology Hellas, Iraklion, Grecja; The Weizmann Institute of Science, Rehovot, Izrael; Universite de Droit, dEconomie et des Sciences dAix-Marseille, Marsylia,

Francja; Universita Degli Studi di Lecce, Włochy; Institutul National de Cercetare Dezvoltare Pentru Fizica Laserilor, Plasmei si

Radiatiei, Bukareszt, Rumunia; Centre National de la Recherche Scientifique, Paryż, Francja.

Publikacje2004[P1] ANTONOV A. V., GAVRILENKO V. I., DEMIDOV E. V., MOROZOV S. V., DUBINOV A. A., LUSA-KOVSKI J., KNAP W., DYAKONOVA N., KAMIŃSKA E., PIOTROWSKA A., GOŁASZEWSKA K., SHUR M. S.:Electron Transport and Terahertz Radiation Detection in Submicrometer-Sized GaAs/AlGaAsField-Effect Transistors with Two-Dimensional Electron Gas. Phys. Solid State 2004 vol. 46 nr 1s. 146149.

[P2] ANTONOV A. V., GAVRILENKO V. I., DEMIDOV E. V., MOROZOV S. V., DUBINOV A. A., LUSA-KOVSKI J., KNAP W., DYAKONOVA N., KAMIŃSKA E., PIOTROWSKA A., GOŁASZEWSKA K., SHUR M. S.:Electron Transport and Terahertz Radiation Detection in Submicrometer-Sized GaAs/AlGaAsField-Effect Transistors with Two-Dimensional Electron Gas. Fizika Tverdovo Teła 2004 vol. 46s. 146149 (ros.).

[P3] DENNEMERCK J., BOTTCHER T., FIGGE S., EINFIELDT S., KROGER R., HOMMEL D., KAMIŃSKA E.,WIATROSZAK W., PIOTROWSKA A.: The Role of Sub-Contact Layers in the Optimization of Low-Resistivity Contacts to p-Type GaN. phys. stat. sol. (c) 2004 vol. 1 nr 10 s. 25372540.

[P4] GRABECKI G., WRÓBEL J., DIETL T., PAPIS E., KAMIŃSKA E., PIOTROWSKA A., RATUSZNA A.,SPRINGHOLZ G., BAUER G.: Ballistic Transport in PbTe-Based Nanostructures. Physica E 2004vol. 20 nr 34 s. 236245.

[P5] DOBOSZ D., ZYTKIEWICZ Z. R., KAMIŃSKA E., PIOTROWSKA A., GOŁASZEWSKA K., PIOTROWSKI T. T.:Properties of ZrN Films as Substrate Masks in Liquid Phase Epitaxial Lateral Overgrowth ofCompound Semiconductors. Cryst. Res. Technol. (w druku).

[P6] GRABECKI G., WRÓBEL J., FRONC K., ALESZKIEWICZ M., GUZIEWICZ M., PAPIS E., KAMIŃSKA E.,PIOTROWSKA A., SHTRIKMAN H., DIETL T.: Unidirectional Transmission of Electrons in a MagneticField Gradient. Physica E 2004 vol. 21 nr 24 s. 451455.

[P7] GUZIEWICZ E., GODLEWSKI M., KOPALKO K., LUSAKOWSKA E., DYNOWSKA E., GUZIEWICZ M.,GODLEWSKI M. M., PHILLIPS M.: Atomic Layer Deposition of Thin Films of ZnSe Structural andOptical Characterization. Thin Solid Films 2004 vol. 446 nr 2 s. 172177.


[P8] GUZIEWICZ E., KOPALKO K., SADOWSKI J., GUZIEWICZ M., GOLACKI Z.: Electronic Structure ofZn(Mn)O Surface Alloy a Resonant Photoemission Study. Mat. Res. Soc. Proc. 2004 vol. 786s. E6.4.1-6.

[P9] GUZIEWICZ E., KOPALKO K., SADOWSKI J., GUZIEWICZ M., GOLACKI Z., KANSKI J., ILVER L.:Mn on the Surface of ZnO(0001) - a Resonant Photoemisson Study. Physica Scripta 2004 (w druku).

[P10] JAROSZYŃSKI J., ANDREARCZYK T., KARCZEWSKI G., WRÓBEL J., WOJTOWICZ T., PAPIS E.,KAMIŃSKA E., PIOTROWSKA A., POPOVIC D., DIETL T.: Quantum Hall Ferromagnetism in II-VIBased Alloys. phys. stat. sol. (b) 2004 vol. 241 nr 3 s. 712717.

[P11] JAROSZYŃSKI J., ANDREARCZYK T., WRÓBEL J., KARCZEWSKI G., WOJTOWICZ T., PAPIS E.,KAMIŃSKA E., PIOTROWSKA A., POPOVIC D., DIETL T.: Quantum Hall Ferromagnet in Magnetically-Doped Quantum Wells. Physica E 2004 vol. 22 nr 13 s. 7681.

[P12] KAMIŃSKA E., GOŁASZEWSKA K., PIOTROWSKA A., KUCHUK A., KRUSZKA R., PAPIS E.,SZELOCH R., JANUS P., GOTSZALK T., BARCZ A., WAWRO A: Study of Long-Term Stability of OhmicContacts to GaN. phys. stat. sol. (c) 2004 vol. 1 nr 2 s. 219222.

[P13] KAMIŃSKA E., KOSSUT J., PIOTROWSKA A., PRZEŹDZIECKA E., DOBROWOLSKI W., DYNOWSKA E.,BUTKUTE R., BARCZ A., JAKIEŁA R., ALESZKIEWICZ M., JANIK E., KOWALCZYK E.: Transparent p-TypeZnO by Oxidation of Zn-Based Compounds. ICPS-27 Proc. (zgł. do druku).

[P14] KAMIŃSKA E., PIOTROWSKA A., GOŁASZEWSKA K., KRUSZKA R., KUCHUK A., SZADE J.,WINIARSKI A., JASINSKI J., LILIENTAL-WEBER Z.: ZnO-GaN Tunnel Junction for Transparent OhmicContacts to p-GaN. J. Alloys a. Compounds 2004 vol. 371 nr 12 s. 129132.

[P15] KAMIŃSKA E., PIOTROWSKA A., GOŁASZEWSKA K., ŁUKASIEWICZ R., SZCZĘSNY A., KOWALCZYK E.,JAGODZIŃSKI P., GUZIEWICZ M., KUDŁA A., BARCZ A., JAKIEŁA R.: Thermally Stable TransparentRu-Si-O Schottky Contacts for n-Type GaN and AlGaN. Mater. Res. Soc. Symp. Proc. (w druku).

[P16] KAMIŃSKA E., PIOTROWSKA A., KOSSUT J., BUTKUTE R., DOBROWOLSKI W., GOŁASZEWSKA K.,BARCZ A., JAKIELA R., DYNOWSKA E., PRZEZDZIECKA E., WAWER D.: P-Type in ZnO:N byCodoping with Cr. Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 2004 vol. 786 s. E6.1.1-6.

[P17] KAMIŃSKA E., PIOTROWSKA A., KOSSUT J., BUTKUTE R., DOBROWOLSKI W., GOŁASZEWSKA K.,BARCZ A., JAKIELA R., DYNOWSKA E., PRZEZDZIECKA E., WAWER D.: p-Type Conducting ZnO:Fabrication and Characterisation. phys. stat. sol. (c) 2004 (zgł. do druku).

[P18] KAMIŃSKA E., PIOTROWSKA A., SZCZĘSNY A., ŁUKASIEWICZ R., KUCHUK A., GOŁASZEWSKA K.,KRUSZKA R., BARCZ A., JAKIEŁA R., DYNOWSKA E., STONERT A., TUROS A.: Thermally StableRu-Si-O Gate Electrode for AlGaN/GaN HEMT. phys. stat. sol. (c) (w druku).

[P19] KANIEWSKA M., SADOWSKI J., GUZIEWICZ M.: DLTS Study of Deep Centers Created by Ar-IonBombardment in n- and p-Type MBE AIGaAs. Europ. Phys. J. Appl. Phys. 2004 vol. 27 s. 213217.

[P20] KORBUTYAK D. V., KLADKO V. P., KRYLYUK S. G., LITOVCHENKO V. G., SHALIMOV A. V.,KUCHUK A.: Influence of Layer Deformation on Thermal Quenching of Exciton Photoluminescencein Short-Period GaAs/AlAs Superlattices. Semicond. Sci. a. Technol. 2004 vol. 19 s. 475479.

[P21] KUCHUK A., KAMIŃSKA E., PIOTROWSKA A., GOŁASZEWSKA K., DYNOWSKA E., LYTVYN O. S.,NOWICKI L., RATAJCZAK R.: Amorphous Ta-Si-N Diffusion Barriers on GaAs. Thin Solid Films2004 vol. 459 nr 12 s. 292296.

[P22] KUCHUK A., CIOSEK J., PIOTROWSKA A., KAMIŃSKA E., WAWRO A., LYTVYN O. S., NOWICKI L.,RATAJCZAK R.: Barrier Properties of Ta-Si-N Films in Ag-and Au-Containing Metallization. Vacuum2004 vol. 74 nr 2 s. 195199.


[P23] KUCHUK A., PIOTROWSKA A., GOŁASZEWSKA K., JAKIELA R., LYTVYN O. S., KLADKO V. P.,KORCHOVYI A. A., OSADCHA N. V.: The Study of Thermal Stability of Ta-Si Films on the GaAsSubstrate. Phys. a. Chem. of Solid State 2004 vol. 5 nr 1 s. 8589 (ukr.).

[P24] KUCHUK A., KLADKO V. P., MACHULIN V. F., PIOTROWSKA A., KAMIŃSKA E., GOŁASZEWSKA K.,RATAJCZAK R., MINIKAYEV R.: Diffusion Barrier Properties of Reactively Sputtered W-Ti-N ThinFilms. Rev. Adv. Mater. Sci. 2004 vol. 8 s. 2226.

[P25] LUSAKOWSKI J., KNAP W., DYAKONOVA N., KAMIŃSKA E., PIOTROWSKA A., GOŁASZEWSKA K.,SHUR M. S., SMIRONOV D., GAVRILENKO V. I., ANTONOV A. V., MOROZOV S. V.: MagnetotransportCharacterization of THz Detectors Based on Plasma Oscillations in Submicron Field-EffectTransistors. Phys. Solid State 2004 vol. 46 nr 1 s. 138145.

[P26] LUSAKOWSKI J., KNAP W., DYAKONOVA N., KAMIŃSKA E., PIOTROWSKA A., GOŁASZEWSKA K.,SHUR M. S., SMIRONOV D., GAVRILENKO V. I., ANTONOV A. V., MOROZOV S. V.: MagnetotransportCharacterization of THz Detectors Based on Plasma Oscillations in Submicron Field-EffectTransistors. Fizika Tverdovo Teła 2004 vol. 46 s. 138145.

[P27] MYCIELSKI A., SZADKOWSKI A., KOWALCZYK L., WITKOWSKA B., JAKIELA R., BARCZ A.,ALESHEVYCH P., SZUSZKIEWICZ W., SUCHOCKI A., LUSAKOWSKA E., KAMIŃSKA E., DOBROWOLSKI W.:ZnO and ZnO:Mn Crystals Obtained with the Chemical Vapour Transport Method. phys. stat. sol. (c)2004 vol.1 nr 4 s. 884887.

[P28] MYCIELSKI A., KOWALCZYK L., SZADKOWSKI A., CHWALISZ B., WYSMOLEK A., STEPNIEWSKI R.,BARANOWSKI J. M., POTEMSKI M., BARCZ A., WITKOWSKA B., KAMIŃSKA E.: The Chemical VapourTransport Growth of ZnO Single Crystals. J. Alloys a. Compounds 2004 vol. 371 nr 12 s. 150152.

[P29] PAPIS E., PIOTROWSKA A., PIOTROWSKI T. T., GOŁASZEWSKA K., ILKA L., KRUSZKA R., RA-TAJCZAK J., KĄTCKI J., WRÓBEL J., ALESZKIEWICZ M., ŁUKASIEWICZ R.: Fabrication of GaSb Micro-lenses by Photo and E-Beam Lithography and Dry Etching. Solid St. Phenom. 2004 vol. 99100s. 8388.

[P30] PIOTROWSKA A., PAPIS E., GOŁASZEWSKA K., ŁUKASIEWICZ R., KAMIŃSKA E., PIOTROWSKI T. T.,KRUSZKA R., KUDŁA A., RUTKOWSKI J., SZADE J., WINIARSKI A., WAWRO A., ALESZKIEWICZ M.:Improved Performance of GaSb-Based MIR Photodetectors Through Electrochemical Passivation inSulphur Containing Solutions. Mater. Res. Soc. Symp. Proc. (w druku).

[P31] PISKORSKI M., PIOTROWSKA A., PIOTROWSKI T. T., GOŁASZEWSKA K., PAPIS E., KĄTCKI J.,RATAJCZAK J., BARCZ A., WAWRO A.: LPE Growth and Characterisation of GaInAsSb andGaAlAsSb Quaternary Layers on (100) GaSb Substrates. Thin Solid Films 2004 vol. 459 nr 12 s. 26.

[P32] PRZEŹDZIECKA E., KAMIŃSKA E., DYNOWSKA E., JANIK E., BUTKUTE R., DOBROWOLSKI W.,SAWICKI M., KEPA H., JAKIELA R., ALESZKIEWICZ M., KOSSUT J.: Preparation and Characterizationof Hexagonal MnTe and ZnO Layers. phys. stat. sol. (c) 2004 (zgł. do druku).

[P33] WRZESIŃSKA H., ILKA L., WAWER D., HEJDUK K., KUDŁA A., BUGAJSKI M., LUSAKOWSKA E.:Investigation of Indium Tin Oxide (ITO) Films for the VCSEL Laser with Dielectric BraggReflectors. phys. stat. sol. (c) 2004 vol. 1 nr 2 s. 396400.


Konferencje2004[K1] CIOSEK J., PASZKOWICZ W., KUBICKI J., PANKOWSKI P., PRZESŁAWSKI T., ZARASKA W.:Modification of Cu-Al-O Film Microstructure During Post-Deposition Annealing. 4th Int. Conf. onSolid State Crystals: Material Science and Applications, Zakopane, 1620.05.2004 (kom.).

[K2] CIOSEK J., PASZKOWICZ W., KUBICKI J., PIOTROWSKA A., KUDŁA A., PRZESŁAWSKI T.,PANKOWSKI P., MINIKAYEV R.: Phase Relationships in Annealed Cu-Al-O Layers. E-MRS FallMeet. 2004, Warszawa, 610.09.2004 (plakat).

[K3] DOBOSZ D., ZYTKIEWICZ Z. R., KAMIŃSKA E., PIOTROWSKA A., GOŁASZEWSKA K., PIOTROWSKI T. T.:Properties of ZrN Films as Substrate Masks in Liquid Phase Epitaxial Lateral Overgrowth ofCompound Semiconductors. 4th Int. Conf. on Solid State Crystals: Material Science andApplications, Zakopane, 1620.05.2004 (plakat).

[K4] GOŁASZEWSKA K., PAPIS E., PIOTROWSKA A., PIOTROWSKI T. T., KAMIŃSKA E., KRUSZKA R.,ŁUKASIEWICZ R., RUTKOWSKI J., SZADE J., WINIARSKI A., WAWRO A.: The Effect of SulphurPassivation Treatment on GaSb/InGaSb/AlGaSb Photovoltaic Detector Parameters. 4th Int. Conf. onSolid State Crystals: Material Science and Applications, Zakopane, 1620.05.2004 (plakat).

[K5] GOŁASZEWSKA K., KAMIŃSKA E., KOWALCZYK E., KRUSZKA R., ŁUKASIEWICZ R., PAPIS E.,PIOTROWSKA A., PIOTROWSKI T. T., SKOCZYLAS P., BARCZ A., JAKIELA R.: Transparent ConductingOxides as Ohmic Contacts for GaSb-Based Thermophotovoltaic Cells. E-MRS Fall Meet. 2004,Warszawa, 610.09.2004 (plakat).

[K6] GRABECKI G., WRÓBEL J., DIETL T., PAPIS E., KAMIŃSKA E., PIOTROWSKA A., SPRINGHOLZ G.,BAUER G.: Conductance Quantization in Nanostructures of Narrow PbTe Quantum Wells. XXXIIIInt. School on the Physics of Semiconducting Compounds, Ustroń-Jaszowiec, 29.054.06.2004(plakat).

[K7] GRABECKI G., WRÓBEL J., BASTJAN M., MICHALUK E., FRONC K., ALESZKIEWICZ M., PAPIS E.,KAMIŃSKA E., PIOTROWSKA A., SPRINGHOLZ G., BAUER G., DIETL T.: Andreev Reflection byIn/PbTe Interface. XXXIII Int. School on the Physics of Semiconducting Compounds, Ustroń-Jaszowiec, 29.054.06.2004 (kom.).

[K8] KAMIŃSKA E., PIOTROWSKA A., KOSSUT J., BUTKUTE R., DOBROWOLSKI W., GOŁASZEWSKA K.,BARCZ A., JAKIELA R., DYNOWSKA E., PRZEZDZIECKA E., WAWER D.: Formation Process andProperties of p-Type ZnO Thin Films. XXXIII Int. School on the Physics of SemiconductingCompounds, Ustroń-Jaszowiec, 29.054.06.2004 (plakat).

[K9] KAMIŃSKA E., PIOTROWSKA A., GOŁASZEWSKA K., KUCHUK A., ŁUKASIEWICZ R., SZCZĘSNY A.,WIATROSZAK M., BARCZ A., DYNOWSKA E., JAKIELA R., STONERT A., TUROS A.: Capabilities ofRuthenium-Based Contacts to GaN. XXXIII Int. School on the Physics of SemiconductingCompounds, Ustroń-Jaszowiec, 29.054.06.2004 (plakat).

[K10] KAMIŃSKA E., PIOTROWSKA A., KOSSUT J., PRZEZDZIECKA E., GOŁASZEWSKA K., DYNOWSKA E.,DOBROWOLSKA W., BUTKUTE R., BARCZ A., JAKIELA R., JANIK E., WAWER D.: Properties ofTransparent p-Type ZnO Films Grown by Oxidation of Zn-Based Compounds. 8th Int. Conf. onNanometer-Scale Science and Technology, Wenecja, Włochy, 28.062.07.2004 (kom.).

[K11] KAMIŃSKA E., PIOTROWSKA A., GOŁASZEWSKA K., KUCHUK A., ŁUKASIEWICZ R., KOWALCZYK E.,BARCZ A., DYNOWSKA E., JAKIELA R., STONERT A., TUROS A., SZCZĘSNY A., WIATROSZAK M.:Thermally Stable Transparent Ru-Si-O Schottky Contacts for n-Type GaN and AlxGa1-xN. 2004MRS Fall Meet., Boston, USA, 29.113.12.2004 (plakat).

[K12] KAMIŃSKA E., KOSSUT J., PIOTROWSKA A., PRZEŹDZIECKA E., DOBROWOLSKI W., DYNOWSKA E.,BUTKUTE R., BARCZ A., JAKIEŁA R., ALESZKIEWICZ M., JANIK E., KOWALCZYK E.: Transparent


p-Type ZnO by Oxidation of Zn-Based Compounds. 27th Conf. on the Physics of Semiconductors,Flagstaff, Arizona, USA, 2630.07.2004 (plakat).

[K13] KAMIŃSKA E., PIOTROWSKA A., SZCZĘSNY A., ŁUKASIEWICZ R., KUCHUK A., GOŁASZEWSKA K.,KRUSZKA R., BARCZ A., JAKIEŁA R., DYNOWSKA E., STONERT A., TUROS A.: Thermally Stable Ru-Si-OGate Electrode for AlGaN/GaN HEMT. Cells. E-MRS Fall Meet. 2004, Warszawa, 610.09.2004(plakat).

[K14] KAMIŃSKA E., PIOTROWSKA A., KOSSUT J., BUTKUTE R., DOBROWOLSKI W., GOŁASZEWSKA K.,BARCZ A., JAKIEŁA R., DYNOWSKA E., PRZEŹDZIECKA E., WAWER D.: p-Type Conducting ZnO;Fabrication and Characterisation. E-MRS Fall Meet. 2004, Warszawa, 610.09.2004 (kom.).

[K15] KROEGER R., DENNEMARCK J., FIGGE S., BOETTCHER T., HOMMEL D., KAMIŃSKA E.,PIOTROWSKA A.: Microstructure of Highly p-Type Doped GaN Sub-Contact Layers for Low-Resistivity Contacts. 2004 MRS Fall Meet., Boston, USA, 29.113.12.2004 (plakat).

[K16] KUCHUK A., PIOTROWSKA A., KAMIŃSKA E., GOŁASZEWSKA K., PIOTROWSKI T.T., KRUSZKA R.,MINIKAYEV R.A., LYTVYN O. S., TUROS A.: Barrier Properties of Reactively Sputter-Deposited W-Ti-N Thin Films on GaAs. 8th Int. Conf. on Nanometer-Scale Science and Technology, Wenecja,Włochy, 28.062.07.2004 (plakat).

[K17] KUCHUK A., KLADKO V. P., PIOTROWSKA A., KAMIŃSKA E., GOŁASZEWSKA K., MACHULIN V. F.,MINIKAYEV R., RATAJCZAK R.: Diffusion Barrier Properties of Reactively Sputtered W-Ti-N ThinFilms. E-MRS Fall Meet. 2004, Warszawa, 610.09.2004 (plakat).

[K18] KUCHUK A., KLADKO V. P., MACHULIN V.F., PIOTROWSKA A., MINIKAYEV R., LYTVYN O. S.:Structural Analysis of Reactively Sputtered W-Ti-N Thin Films. E-MRS Fall Meet. 2004,Warszawa, 610.09.2004 (plakat).

[K19] MANASIS G., TSIGARA A., ANYFANTIS G., MADAMOPOULOS N., MOUSDIS G., GATSOULI K.,PISPAS S., VAINOS N., PERRONE A., DATTA R., CIOSEK J., GOŁASZEWSKA K., KAMIŃSKA E.,KRUSZKA R., PIOTROWSKA K., COURIS S.: Nanocomposite Photonic Sensors: First Approach by theNanophos Initiative. E-MRS Fall Meet. 2004, Warszawa, 610.09.2004 (plakat).

[K20] PAPIS E., PIOTROWSKA A., KAMIŃSKA E., PIOTROWSKI T. T., GOŁASZEWSKA K., ILKA L.,KRUSZKA R., RATAJCZAK J., KĄTCKI J., WRÓBEL J., ALESZKIEWICZ M., ŁUKASIEWICZ R.: GaSbMicrolenses Fabricated by Photo and E-Beam Lithography and Dry Etching. 4th Int. Conf. on SolidState Crystals: Material Science and Applications, Zakopane, 1620.05.2004 (plakat).

[K21] PAPIS E., PIOTROWSKA A., PIOTROWSKI T. T., GOŁASZEWSKA K., KAMIŃSKA E., KRUSZKA R.,ŁUKASIEWICZ R., KUDŁA A., RUTKOWSKI J., SZADE J., WINIARSKI A., WAWRO A.: SulphurPassivation of GaSb Surface and GaSb-Based MIR Photodetector Heterostructures. 8th Int. Conf. onNanometer-Scale Science and Technology, Wenecja, Włochy, 28.062.07.2004 (plakat).

[K22] PIOTROWSKA A., KAMIŃSKA E., GOŁASZEWSKA K., WIATROSZAK M., PIOTROWSKI T. T.,BARCZ A., DENNEMARCK J., FIGGE S., BOTTCHER T., HOMMEL D.: Ohmic Contacts Study for GaN-Based Laser Diodes. 4th Int. Conf. on Solid State Crystals: Material Science and Applications,Zakopane, 1620.05.2004 (plakat).

[K23] PIOTROWSKA A., KAMIŃSKA E., GOŁASZEWSKA K., WIATROSZAK M., PIOTROWSKI T. T.,BARCZ A., DENNEMARCK J., FIGGE S., BOTTCHER T., HOMMEL D.: Application of Ta-Si-N Thin FilmDiffusion Barrier in PdAu Metalization to p-Type GaN. 8th Int. Conf. on Nanometer-Scale Scienceand Technology, Wenecja, Włochy, 28.062.07.2004 (plakat).

[K24] PIOTROWSKA A., PAPIS E., GOŁASZEWSKA K., ŁUKASIEWICZ R., PIOTROWSKI T.T., KRUSZKA R.,KUDŁA A., RUTKOWSKI J., SZADE J., WINIARSKI A., ALESZKIEWICZ M.: Improved Performance ofGaSb-Based MIR Photodetectors trough Electrochemical Passivation in Sulphur ContainingSolutions. 2004 MRS Fall Meet., Boston, USA, 29.113.12.2004 (kom.)


[K25] PIOTROWSKA A., KAMIŃSKA E., KUCHUK A., GOŁASZEWSKA K., WIATROSZAK M., ŁUKASIEWICZ R.,PIOTROWSKI T. T., KĄTCKI J., RATAJCZAK J., BARCZ A., JAKIELA R., TUROS A., STONERT A.,DENNEMARCK J., FIGGE S., BOTTCHER T., HOMMEL D.:TaSiN, TiSiN and TiWN Diffusion Barriers forMetallization Systems to GaN. E-MRS Fall Meet. 2004, Warszawa, 610.09.2004 (plakat).

[K26] PISKORSKI M., PIOTROWSKA A., GOŁASZEWSKA K., PIOTROWSKI T. T., JUNG W., PRZESŁAWSKI T.,KĄTCKI J., RATAJCZAK J., BARCZ A., WAWRO A.: Sn and Te Doped InGaAsSb Quaternary Layers forTPV Applications. 8th Int. Conf. on Nanometer-Scale Science and Technol- ogy, Wenecja, Włochy,28.062.07.2004 (plakat).

[K27] PISKORSKI M., PIOTROWSKI T. T., GOŁASZEWSKA K., SKOCZYLAS P., PIOTROWSKA A., JUNG W.,PRZESŁAWSKI T., KĄTCKI J., RATAJCZAK J., BARCZ A., WAWRO A.: Luttice Matched InGaAsSb//GaSb Heterostructures for Thermophotovoltaic Cells. 6th Int. Conf. on Mid-Infrared OptoelectronicsMaterials and Devices, MIOMD-VI, 28.062.07.2004 St. Petersburg, Rosja (plakat).

[K28] PRZEŹDZIECKA E., KAMIŃSKA E., DYNOWSKA E., JANIK E., BUTKUTE R., DOBROWOLSKI W.,SAWICKI M., KEPA H., JAKIELA R., KOSSUT J.: In Search for Magnetism in II-VI Materials. XXXIIIInt. School on the Physics of Semiconducting Compounds, Ustroń-Jaszowiec, 29.054.06.2004(plakat).

[K29] PRZEŹDZIECKA E., KAMIŃSKA E., DYNOWSKA E., JANIK E., BUTKUTE R., DOBROWOLSKI W.,SAWICKI M., KEPA H., JAKIELA R., ALESZKIEWICZ M., KOSSUT J.: Preparation and Characterizationof Hexagonal MnTe and ZnO Layers. E-MRS Fall Meet. 2004, Warszawa, 610.09.2004 (plakat).

[K30] SOCHACKI M., ŁUKASIEWICZ R., SZMIDT J., RZODKIEWICZ W., LEŚKO M., WIATROSZAK M.:Thermal Oxidation and Nitridation of 4H-SiC for MS and MIS Power Devices. VIII Konf. Nauk.Technologia Elektronowa ELTE 2004, Stare Jabłonki, 1922.04.2004 (plakat, abstr. s. 140141).

[K31] SZCZĘSNY A., KAMIŃSKA E., SZMIDT J.: GaN The Material for High Power MicrowaveDevices (HEMT) Working in Extreme Conditions. VIII Konf. Nauk. Technologia ElektronowaELTE 2004, Stare Jabłonki, 1922.04.2004 (plakat, abstr. s. 146147).

ZAKŁAD TECHNOLOGII STRUKTUR … · • ﬁPółprzewodnikowe fotoogniwa GaSb/In(Al)GaAsSb do...

Documents

Transcript of ZAKŁAD TECHNOLOGII STRUKTUR … · • ﬁPółprzewodnikowe fotoogniwa GaSb/In(Al)GaAsSb do...