ZAK£AD TECHNOLOGII STRUKTUR … · • „Pó³przewodnikowe fotoogniwa GaSb/In(Al)GaAsSb do...

Kierownik: prof. dr hab. in¿. Anna PIOTROWSKA

e-mail: [email protected], tel. (0-prefiks-22) 548 79 40

Zespó³: mgr Krystyna Go³aszewska, e-mail: [email protected],dr in¿. Marek Guziewicz, e-mail: [email protected],mgr in¿. Pawe³ Jagodziñski, e-mail: [email protected],dr in¿. Eliana Kamiñska, e-mail: [email protected],mgr in¿. Renata Kruszka, e-mail: [email protected],mgr in¿. Rados³aw £ukasiewicz, e-mail: [email protected],dr Ewa Papis-Polakowska, e-mail: [email protected],dr in¿. Tadeusz T. Piotrowski, e-mail: [email protected],mgr in¿. Pawe³ Skoczylas, e-mail: [email protected],mgr in¿. Artur Szczêsny e-mail: [email protected],mgr in¿. Lidia Ilka, mgr in¿. Ireneusz Wójcik

1. Wprowadzenie

W 2005 r. Zak³ad Technologii Struktur Pó³przewodnikowych dla Fotoniki reali-zowa³ nastêpuj¹ce projekty badawcze:• „Technologia funkcjonalnych struktur cienkowarstwowych dla przyrz¹dów pó³-

przewodnikowych III-V”. Etap I (projekt statutowy nr 1.03.045),• “Wytwarzanie i optymalizacja kontaktu omowego typu p do GaN” DENIS (pro-

jekt EC nr G5RD-CT-2001-00566),• „Nanostrukturalne czujniki fotonowe" NANOPHOS (projekt EC nr IST-2001-39112),• „Hybrydowe pod³o¿a dla konkurencyjnej elektroniki wysokiej czêstotliwoœci"

HYPHEN (projekt EC nr FP-6 IST 027455),• Centrum Doskona³oœci “Fizyka i Technologia Nanostruktur dla Fotoniki” CEPHONA

(projekt badawczy nr G5MA-CT-2002-72100),• „Tranzystory polowe AlGaN/GaN nowej generacji dla elektroniki du¿ej mocy i wy-

sokiej czêstotliwoœci” (projekt badawczy nr 1359/T11/2004/26),• „Pó³przewodnikowe fotoogniwa GaSb/In(Al)GaAsSb do zastosowañ w przyrz¹-

dach termofotowoltaicznych” (projekt badawczy nr 1360/T11/2004/26),• „Detektory promieniowania THz oparte na mikrometrowych tranzystorach polo-

wych” (projekt badawczy we wspó³pracy z Instytutem Fizyki Doœwiadczalnej UW),• „Wytwarzanie i wykrywanie stanów spl¹tanych w nanostrukturach pó³przewod-

nikowych” (PBZ/KBN/044/P03/2001 we wspó³pracy z Instytutem Fizyki PANi Instytutem Fizyki Doœwiadczalnej UW).

ZAK£AD TECHNOLOGII STRUKTURPÓ£PRZEWODNIKOWYCH DLA FOTONIKI

Zak³ad œwiadczy³ równie¿ us³ugi badawcze i produkcyjne na zamówienieodbiorców zewnêtrznych oraz kontynuowa³ dzia³alnoœæ edukacyjn¹ we wspó³pracyz Instytutem Mikroelektroniki i Optoelektroniki PW.

Odrêbn¹ grupê dzia³alnoœci stanowi³y prace recenzenckie na rzecz KomisjiEuropejskiej w 6. Programie Ramowym, w czêœci Human Resources & Mobility.

2. Wyniki dzia³alnoœci naukowo-badawczej

G³ówny wysi³ek badawczy Zak³adu jest skoncentrowany na opracowywaniu i op-tymalizacji metod wytwarzania oraz obróbki technologicznej funkcjonalnych struk-tur cienkowarstwowych dla nowoczesnych przyrz¹dów pó³przewodnikowych z ma-teria³ów na bazie GaN, GaSb i GaAs. Przedmiotem badañ s¹ cienkowarstwowestruktury z materia³ów metalicznych i dielektrycznych pe³ni¹ce funkcje kontaktówomowych, kontaktów prostuj¹cych, elektrod przezroczystych, pow³ok przeciw-odblaskowych oraz pow³ok pasywacyjnych. Optymalizacja ich parametrów jestprowadzona pod k¹tem zastosowania w przyrz¹dach nara¿onych na dzia³anie pod-wy¿szonej temperatury (elektronika wysokotemperaturowa, optoelektronika zasto-sowañ specjalnych).

Program badañ w 2005 r. obejmowa³ nastêpuj¹ce zagadnienia:• nowe materia³y tlenkowe dla optoelektroniki, mikroelektroniki i termofoto-

woltaiki, a w szczególnoœci in¿ynieriê domieszkowania ZnO oraz przezroczystetlenki przewodz¹ce jako elektrody w przyrz¹dach fotonicznych i fotowoltaicznych;

• nowe typy metalizacji pó³przewodnikowych struktur III-V dla elektroniki i opto-elektroniki wysokotemperaturowej.Nieod³¹cznym elementem dzia³alnoœci zespo³u by³o doskonalenie metod litografii

i charakteryzacji opracowywanych struktur cienkowarstwowych oraz rozwój za-plecza technologicznego.

2.1. Nowe materia³y tlenkowe

2.1.1. In¿ynieria domieszkowania ZnO

Badania nad domieszkowaniem ZnO na typ p

Przyjêta metoda domieszkowania ZnO na typ p polega na utlenianiu termicznymzwi¹zku cynku zawieraj¹cego du¿¹ koncentracjê domieszki akceptorowej. W ba-daniach zapocz¹tkowanych w poprzednim projekcie statutowym materia³ wyjœciowystanowi³y warstwy Zn3N2 osadzane metod¹ reaktywnego magnetronowegorozpylania katodowego cynku. Wykazano, ¿e metoda ta umo¿liwia wytwarzaniecienkich warstw ZnO domieszkowanych azotem na poziomie ~5�1020 at./cm3. Ponad-to dowiedziono, ¿e zanieczyszczenie wodorem wyjœciowego Zn3N2 stanowi zasad-

2 Zak³ad Technologii Struktur...

nicz¹ przeszkodê w osi¹gniêciu efektywnego przewodnictwa dziurowego w ZnO.Dziêki obni¿eniu koncentracji wodoru poni¿ej 5�1019 at./cm3 otrzymano materia³typu p o koncentracji dziur ~5�1017 cm–3 i ruchliwoœci ~10 cm2 /V�s.

W obecnym etapie badañ zastosowano materia³ wyjœciowy wolny od zanieczyszczeñwodorem. Jest to epitaksjalny ZnTe:N hodowany w warunkach wysokiej pró¿ni metod¹epitaksji z wi¹zek molekularnych (MBE). ZnTe jest zwi¹zkiem pó³przewodnikowymII-VI o strukturze blendy cynkowej. Domieszkowanie azotem pozwala wytworzyæmateria³ typu p o koncentracji swobodnych noœników ³adunku siêgaj¹cej 5�1019 cm–3.Procesy MBE cienkich warstw ZnTe prowadzono w Œrodowiskowym Laboratorium„Fizyka i wzrost kryszta³ów niskowymiarowych” Instytutu Fizyki PAN. Na mono-krystalicznych pod³o¿ach SI ZnTe i SI GaAs o orientacji (001) wpierw hodowano nie-domieszkowany, wysokooporowy bufor ZnTe, a nastêpnie warstwy ZnTe domiesz-kowane atomowym azotem ze Ÿród³a plazmowego w.cz. Procesy utleniania prowa-dzono w temperaturze 600oC w atmosferze O2. W celu utlenienia warstwy ZnTegruboœci 0,15 � 1,0 �m przyjêto czas wygrzewania w 600oC od 4 do 25 min.

Analiza rentgenowska utlenionych warstw ZnTe:N (rys. 1) wykaza³a obecnoœæpolikrystalicznego ZnO o preferowanej orientacji (001) oraz œladowe iloœci metalicz-nego Te. Ziarna ZnO charakteryzuj¹ siê struktur¹ kolumnow¹ o d³ugoœci równej

gruboœci warstwy ZnO (rys. 2a). W wyniku transformacji kubicznego ZnTe w heksa-gonalny ZnO powierzchnia utlenionych warstw staje siê nierówna z chropowatoœci¹rms = 200 � 500 nm w zale¿noœci od czasu trwania obróbki termicznej (rys. 2b).

Na rys. 3 przedstawiono g³êbokoœciowe profile sk³adu dwóch utlenionych próbekZnTe:N/ZnTe/ GaAs ró¿ni¹cych siê gruboœci¹ warstwy buforowej ZnTe. Z powodudu¿ej chropowatoœci powierzchni oraz nieco ró¿ni¹cej siê prêdkoœci trawieniawarstw ZnO, ZnTe i GaAs w trakcie pomiaru SIMS przy interpretacji wynikównale¿y wzi¹æ pod uwagê „rozmycie” miêdzypowierzchni ZnO/ZnTe i ZnTe/GaAs.Przybli¿one po³o¿enie tych miêdzypowierzchni zaznaczono na wykresach przerywan¹lini¹. Œrednia koncentracja azotu wbudowanego do ZnO wynosi 5�1020 at./cm3. AnalizaSIMS ujawni³a ponadto znaczn¹ outdyfuzjê As z GaAs w kierunku miêdzy-

Zak³ad Technologii Struktur... 3

30 40 50 60 70 80 90

100

1000

10000

ZnO

101

ZnTe:N/ZnTe/GaAs

oxidized 6000C, 20 min.

GaA

s004

(K�)

ZnO

103

+Te

113

ZnTe

004

(K�)

GaA

s004

(K�)

ZnTe

004

(K�)

Te

201Te

110

Te

102

ZnO

002

ZnO

100

ZnTe

002

(K�)

Te

101

ZnTe

002

(K�)

Inte

nsity

(arb

.u.)

2� (deg)

Rys. 1. Dyfraktogram rentgenowski (promieniowanie FeK�) utlenionej struktury ZnTe:N/ZnTe/GaAs

powierzchni ZnO/ZnTe z maksimum umiejscowionym w ZnO. Œrednia koncen-tracja As w ZnO jest porównywalna z koncentracj¹ azotu. Nale¿y zauwa¿yæ, ¿epodobn¹ do As migracjê Ga w kierunku powierzchni obserwowano tylko w przy-padku cienkich warstw buforowych (rys. 3a). Przy gruboœci przekraczaj¹cej 3 �m Gapochodz¹cy z dekomponowanego GaAs by³ akumulowany w ZnTe przy miêdzy-powierzchni z GaAs (rys. 3b). Aby uzyskaæ pewnoœæ, ¿e migracja As nie zmody-fikowa³a w³aœciwoœci bufora ZnTe, przeprowadzono dodatkowe analizy SIMS i po-miary przewodnictwa bufora po strawieniu warstwy ZnO. Nie stwierdzono obec-noœci As w ZnTe, jak równie¿ nie uleg³y zmianie w³asnoœci izolacyjne ZnTe.

Pomiary SIMS pozwoli³y zlokalizowaæ wytr¹cenia Te w warstwie ZnO. Poniewa¿transformacja ZnTe w ZnO postêpuje od powierzchni w g³¹b materia³u, wiêc Tesublimuj¹cy w pocz¹tkowej fazie procesu, po uformowaniu siê ci¹g³ej warstwy ZnO,jest pu³apkowany w ZnO.


Rys. 2. Mikrostruktura ZnO typu p: a) obraz SEM przekroju poprzecznego warstwy ZnO typu p, b) obrazAFM powierzchni ZnO

a) b)

0 1 2 310

17

1018

1019

1020

1021

1022

1023

N

H

Depth [ �m ]

Conce

ntratio

nofN

,A

s,H

[at/cm

3]

100

101

102

103

104

105

106

107

108

GaAsZnTeZnO

O

Zn

Te

As

GaS

IMS

Sig

nal[

c/s]

0 2 4 610

17

1018

1019

1020

1021

1022

1023 GaAsZnTeZnO

Depth [ �m ]

Conce

ntratio

nofN

,A

s,H

[at/cm

3]

100

101

102

103

104

105

106

107

108

H

N

O

Zn Te

As

Ga

SIM

SS

ignal[

c/s]

Rys. 3. Profile g³êbokoœciowe SIMS utlenionych struktur ZnTe:N/ZnTe/GaAs dla ró¿nych gruboœci buforaZnTe (dZnTe): a) dZnTe = 2,5 �m, b) dZnTe = 5 �m

a) b)

Warstwy ZnO wytworzone na strukturach z grubym buforem na pod³o¿u GaAswykazywa³y przewodnictwo typu p z koncentracj¹ dziur powy¿ej 1019 cm–3.Warstwy ZnO typu p, otrzymane po utlenieniu podobnych warstw ZnTe:N wyho-dowanych na pod³o¿u ZnTe, charakteryzowa³y siê ~1,5 rzêdu ni¿sz¹ koncentracj¹dziur. Aby dok³adniej zbadaæ rolê As jako domieszki akceptorowej w ZnO, utleniononiedomieszkowane warstwy ZnTe gruboœci 4 � 5 �m wyhodowane na pod³o¿u GaAs.Otrzymane warstwy podobnie jak poprzednio charakteryzowa³y siê koncentracj¹dziur przewy¿szaj¹c¹ 1019 cm–3, co dowodzi, ¿e domieszk¹ odpowiedzialn¹ zabardzo wysokie przewodnictwo dziurowe jest As.

Poniewa¿ urz¹dzenie MBE wyposa¿one jest równie¿ w komórkê Mn, istniejemo¿liwoœæ wyhodowania struktur ZnTe:N:Mn. Okazuje siê, ¿e domieszkowanie Mnpowoduje obni¿enie koncentracji dziur w ZnO typu p. Utlenienie Zn0,98Mn0,02Tepozwoli³o wytworzyæ ZnO z zawartoœci¹ Mn ~0,5% i koncentracj¹ dziur~1�1017cm–3.

W³asnoœci elektryczne warstw ZnO zosta³y przedstawione w tab. 1.

Anomalnie wysokie wartoœci ruchliwoœci dziur w utlenionym ZnTe s¹ naj-prawdopodobniej zwi¹zane z obecnoœci¹ metalicznego Te. Taki znacz¹cy wzrostruchliwoœci obserwowano wczeœniej w warstwach pó³przewodnikowych zawiera-j¹cych metaliczne wytr¹cenia.

Wytwarzanie ZnO typu n

Warstwy ZnO typu n osadzano metod¹ magnetronowego rozpylania katodowegow modzie r.f., w plazmie Ar z targetu ZnO (99,95%). Gruboœæ warstw wynosi³a0,4 � 0,6 �m.


Tabela 1. W³asnoœci elektryczne typowych warstw ZnO wytworzonych na

drodze utleniania warstw ZnTe wyhodowanych MBE na pod³o¿ach ZnTe lub

GaAs

Materia³ wyjœciowyUtlen

termicz.dZnO

[�m]Domieszki Typ

p[cm–3]

�

[cm2/V�s]

�

[�cm]

GaAs/ZnTe(5 �m)/ZnTe:N(0,5 �m)

600oC8 min.

1 N, As p 1,6�1019 2,5 0,15

GaAs/ZnTe(3,5 �m)600oC8 min.

1 As p 2,9�1019 2,4 0,09

ZnTe(001)/ZnTe:N600oC

12 min.2 N p 6,7�1017 95,2 0,1

GaAs/ZnTe(5 �m)/Zn0,98Mn0,02Te:N(0,7 �m)

600oC16 min.

1,8 N, As, Mn p 9,7�1016 9,1 7,1

Pomiary transportowe wykaza³y, ¿e ZnO charakteryzuje siê przewodnictwemelektronowym, przy czym koncentracja swobodnych noœników ³adunku jest napoziomie ~1�1021cm–3, a ruchliwoœæ ~2 cm2/V�s.

Wytwarzanie izolacyjnego ZnO

Wysokooporowy ZnO wytwarzano metod¹ reaktywnego rozpylania katodowegow plazmie O2-Ar, z targetu metalicznego Zn (99,995%). Ca³kowite ciœnienie w czasieprocesu wynosi³o p = 1�10–2 mbar, a ciœnienie cz¹stkowe tlenu pO2 = 3�10–3 mbar.

Z³¹cze p-n na bazie ZnO

W celu zweryfikowania w³asnoœci warstw ZnO o przewodnictwie dziurowymi elektronowym wykonano struktury z³¹czowe p-n i p-i-n. Na rys. 4a przedstawionodyfraktogram rentgenowski z³¹cza p-n wykonanego zgodnie z opisanymi wczeœniejprocedurami. Warstwy ZnO typu n, nanoszone metod¹ rozpylania katodowego naZnO typu p, charakteryzuj¹ siê struktur¹ podobn¹ do warstw ZnO typu p z wyraŸniezaznaczon¹ tekstur¹ (001). Potwierdzeniem tego jest równie¿ obraz przekrojupoprzecznego warstwy ZnO typu n pokazany na rys. 4b.

a) b)

Obróbka technologiczna z³¹czy p-n polega³a na uformowaniu struktur mesa i wy-konaniu kontaktów omowych do obszarów p i n ZnO. Metalizacjê kontaktow¹stanowi³a dwuwarstwa Cr(10nm)/Au(100nm) osadzana metod¹ rozpylania katodo-wego. W przypadku ZnO typu p metalizacjê dodatkowo wygrzewano w 350oC w prze-p³ywie N2. Kontakty omowe do ZnO typu n formowano w 200oC w atmosferze N2.

Z³¹cza p-n z silnie domieszkowanymi warstwami ZnO:As charakteryzowa³y siêw³asnoœciami tunelowymi. Do wytworzenia z³¹czy prostuj¹cych p-n u¿yto mniejprzewodz¹cych warstw ZnO:Mn:As typu p. Warstwy ZnO:As o koncentracji dziurna poziomie 1019 cm–3 zosta³y wykorzystane w z³¹czach prostuj¹cych p-i-n.Charakterystyki I-V z³¹czy prostuj¹cych p-n oraz p-i-n przedstawiono na rys. 5.


40 50 60 70 80 90

100

1000

10000ZnOtypu pGaAs/ZnTe/ZnMn

.003Te:N (~0.7�m)

O2600

0C 16 min, dox.~1.8�m

p= 9.72 x1016

cm-3, �=9.08 cm

2/Vs

2� (deg)

Inte

nsi

ty(a

rb.u

.)

GaA

s004

(K�)

GaA

s004

(K�)

ZnTe

004

(K�)

ZnTe

004

(K�)

ZnO

101

K�

ZnO

002

K�

ZnTe

002

(K�)

z³¹cze na bazie ZnO

ZnOtypu nsputt. dox.=0.6�m

�=1x10-2cm

Rys. 4. Mikrostruktura z³¹cza p-n na bazie ZnO: a) dyfraktogram rentgenowski (promieniowanie FeK�)struktury p-n na bazie ZnO, b) obraz SEM przekroju poprzecznego warstwy ZnO typu n

Podsumowuj¹c wyniki otrzymane w obecnym etapie badañ nad domieszko-waniem warstw ZnO, za najwa¿niejsze nale¿y uznaæ uzyskanie rekordowegoprzewodnictwa swobodnych noœników ³adunku w materiale typu p oraz pokazanie,¿e arsen pozwala znacznie efektywniej ni¿ azot domieszkowaæ ZnO na typ p. Z uwagina znaczn¹ ró¿nicê w wielkoœci promieni jonowych tlenu i arsenu domieszkowanieprzez podstawienie tlenu jest ma³o prawdopodobne. Realne jest natomiast podsta-wianie cynku przez arsen, co jest równoznaczne z utworzeniem donora. Taki scena-riusz jest spójny z niedawno opublikowanym modelem teoretycznym, zgodniez którym w trakcie domieszkowania ZnO domieszk¹ grupy V o du¿ym promieniujonowym domieszka podstawia cynk. Jednoczeœnie tworz¹ siê dwie wakansjecynkowe i powstaje kompleks AsZn–2VZn, który jest p³ytkim akceptorem o energiijonizacji ~150 meV.

2.1.2. Przezroczyste tlenki przewodz¹ce jako elektrody w przyrz¹dach

fotonicznych i termofotowoltaicznych

Fotodetektory oraz ogniwa s³oneczne i termofotowoltaiczne to grupa przyrz¹dów,dla których przezroczyste elektrody maj¹ szczególne znaczenie. O ile w przypadkuogniw s³onecznych ich zastosowanie jest szeroko opisywane, o tyle nieliczne praceinformuj¹ o przezroczystych elektrodach tlenkowych dla przyrz¹dów pracuj¹cychw zakresie œredniej podczerwieni wytwarzanych ze zwi¹zków poczwórnych dopaso-wanych sieciowo do GaSb. W tych przyrz¹dach standardowo s¹ stosowane metali-zacje kontaktowe na bazie Ti/Pt/Au, Ti/Ni/Au lub Au/Zn/Au.

Przedstawione wyniki dotycz¹ efektów zastosowania tlenku cynku, tlenku kadmui tlenku rutenowo-krzemowego w procesie wytwarzania przyrz¹dów fotonicznychwykorzystuj¹cych struktury typu GaSb/InGaAsSb/AlGaAsSb wytwarzane w kon-wencjonalnym stanowisku LPE, charakteryzuj¹ce siê wykrywalnoœci¹ na poziomie108 cm Hz1/2/W.

Kontakty przezroczyste by³y osadzane metod¹ rozpylania katodowego: CdO i RuSiO4

reaktywnie z targetów Cd i Ru1Si1 w atmosferze Ar-O, ZnO – z targetu ZnO w atmo-


-10 -8 -6 -4 -2 0 2 4 6 8 10

0,0

1,0x10-4

2,0x10-4

3,0x10-4

4,0x10-4

p-ZnO:As/i-ZnO/n-ZnO

1�m/0.1�m/0.4�m

p-ZnO:As:Mn/n-ZnO

1.2�m/0.4�m

Curr

ent[A

]Voltage [V]

Rys. 5. Charakterystyki I-V z³¹czy prostuj¹cych p-n i p-i-n na bazie ZnO

sferze Ar. Dla porównania wykonano strukturê ze standardowym kontaktemAu/Zn/Au w formie siatki szerokoœci 10 μm powoduj¹cej zakrycie ok. 9% powierz-chni czynnej. Struktury przeznaczone do pomiarów nie by³y poddawane procesowipasywacji, nie stosowano tak¿e pow³ok przeciwodbiciowych.

Rysunek 6a przedstawia charakterystyki pr¹dowo-napiêciowe w kierunkuprzewodzenia i zaporowym badanych struktur. Zastosowanie kontaktu przezro-czystego z CdO lub ZnO na ca³ej powierzchni czynnej powoduje trzykrotn¹ redukcjêrezystancji szeregowej. Nieco gorszy efekt, czyli dwukrotn¹ redukcjê rezystancjiszeregowej, uzyskano stosuj¹c RuSiO4.

Na rys. 6b przedstawiono zale¿noœæ rezystancji ró¿niczkowej R od napiêciapolaryzacji. Wartoœæ R0 dla struktur z przezroczystymi kontaktami wynosi œrednio90 (R0A = 21 �cm2); w przypadku kontaktu standardowego R0 = 40 (R0A == 8 �cm2). Maksymalna wartoœæ R dla struktur z kontaktami TCO wynosi 120 � 140

(RA = 28 � 32 �cm2) i pojawia siê przy polaryzacji –0,05 V. Zale¿noœæ widmow¹wykrywalnoœci struktur GaSb/In(Al)GaAsSb przedstawiono na rys. 6c. Obserwujesiê tu znaczn¹ przewagê struktur z kontaktami CdO i ZnO. W ich przypadku wykry-


-0.8 -0.7 -0.6 -0.5 -0.4 -0.3 -0.2 -0.1 0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6

-50

0

50

100

150

200

250

300

RS

= 1.7

RS

= 1.3

RS

= 1.3

RS

= 4

standardowy

kontakt Au/Zn/Au

CdO

ZnO

RuSiO4

Natê

¿enie

pr¹

du

(mA

)

Napiêcie (V)-0.20 -0.15 -0.10 -0.05 0.00 0.05 0.10 0.15 0.20

0

20

40

60

80

100

120

140

160

Standardowy

kontakt Au/Zn/Au

CdO

ZnO

RuSiO4

Rezy

stancj

aró

¿nic

zkow

a(

)

Napiêcie (V)

1.4 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4 2.60

1x108

2x108

3x108

4x108

5x108

6x108

7x108

8x108

standardowy

kontakt

Au/Zn/Au

RuSiO4

ZnO

CdO

Wyk

ryw

aln

oœæ

(cm

Hz1

/2/W

)

D³ugoœæ fali (µm)

Rys. 6. Charakterystyki detektorów GaSb/InGaAsSb/AlGaAsSb z przezroczystymi elektrodami

a) b)

c)

walnoœæ dla d³ugoœci fali 2,0 μm wynosi 7,5 � 8�108 cmHz1/2/W. Dla kontaktówRuSiO4 uzyskano wykrywalnoœæ 4�108 cmHz1/2/W, podobn¹ jak dla nieprzezroczy-stego kontaktu metalicznego.

Zale¿noœæ fotonapiêcia obwodu otwartego Uoc od fotopr¹du obwodu zwartego Isc

dla fotodiod z trzema rodzajami kontaktów przezroczystych pokazano na rys. 7a.W przypadku struktur z kontaktami CdO i ZnO zaobserwowano nawet 40% wzrostwartoœci Uoc dla ni¿szych poziomów promieniowania w stosunku do pozosta³ychanalizowanych struktur.

Wa¿nym dla ogniw termofotowoltaicznych zagadnieniem jest zale¿noœæ ich para-metrów od temperatury, w praktyce pracuj¹ one zwykle w temperaturze do ok. 60oC.W kontaktach tlenkowych mechanizmem dominuj¹cym jest emisja polowa, ca³ko-wicie niezale¿na od temperatury. Wyniki pomiarów opornoœci w³aœciwej kontaktówTCO/AlGaAsSb metod¹ c-TLM z dla temperatur 20 ÷ 75oC pokazuj¹, ¿e wartoœæ rc

pozostaje sta³a w granicach b³êdu pomiarowego.

Zale¿noœæ fotonapiêcia obwodu otwartego Uoc od fotopr¹du obwodu zwartego Isc

w funkcji temperatury pokazano na przyk³adzie ogniwa TPV z kontaktem CdO(rys. 7b). Obserwuje siê istotny spadek wartoœci Uoc ze wzrostem temperatury.Charakter tych zmian jest zdeterminowany konstrukcj¹ struktury detektorowej i niezale¿y od rodzaju zastosowanego przezroczystego kontaktu omowego.

2.2. Nowe typy metalizacji pó³przewodnikowych struktur III-V dla elektroniki

i optoelektroniki wysokotemperaturowej

Stale rosn¹ce zapotrzebowanie na energiê elektryczn¹ (œwiatowe prognozy mówi¹o globalnym zapotrzebowaniu w 2025 r. na poziomie 60 TW) przy ograniczonychzasobach konwencjonalnych Ÿróde³ energii i coraz groŸniejszych skutkach efektucieplarnianego na Ziemi sprawia, ¿e racjonalna gospodarka energi¹ elektryczn¹ staje


1 10 100 1000

60

80

100

120

140

160

180

200

220

CdO

ZnO

RuSiO

Au/Zn/Au

Uoc(m

V)

ISC

(mA)1 10 100 1000

0

20

40

60

80

100

120

140

160

180

200

220

CdO

T = 75oC

T = 60oC

T = 40oC

T = 20oC

Uoc(m

V)

Isc

(mA)

a) b)

Rys. 7. Zale¿noœæ fotonapiêcia obwodu otwartego Uoc od fotopr¹du obwodu zwartego Isc: a) dla ró¿nychkontaktów przezroczystych, b) w funkcji temperatury dla kontaktu CdO

siê imperatywem dzia³añ wysoko uprzemys³owionych spo³eczeñstw XXI w. Wagêtego problemu podkreœlaj¹ nie tylko specjalistyczne opracowania i miêdzynarodoweuregulowania prawne (protokó³ Kyoto), ale równie¿ szeroko zakrojone dzia³aniabadawczo-wdro¿eniowe podjête przez przemys³ œwiatowy. Przemys³ elektroniczny,w tym przemys³ pó³przewodnikowy, ma do odegrania szczególn¹ rolê. Prace ba-dawcze s¹ skoncentrowane na dwóch zagadnieniach: opracowaniu alternatywnychpó³przewodnikowych Ÿróde³ energii elektrycznej oraz opracowaniu nowej generacjiprzyrz¹dów pó³przewodnikowych dla energoelektroniki i technik sensorowych.Pierwsze z nich to pó³przewodnikowe przyrz¹dy fotowoltaiczne i termofoto-woltaiczne, drugie to pó³przewodnikowe przyrz¹dy mocy/wysokiej czêstotliwoœciprzeznaczone do pracy w wysokich temperaturach (> 350oC).

Pierwszoplanowym zadaniem jest podwy¿szenie temperatury pracy przyrz¹dówpó³przewodnikowych do poziomu 350oC (aktualna norma to 30oC dla urz¹dzeñpowszechnego u¿ytku i 125oC dla urz¹dzeñ wojskowych). Pozwoli³oby to na zasad-nicze oszczêdnoœci energii zu¿ywanej obecnie przez systemy ch³odzenia wszystkichprzyrz¹dów mocy i na oszczêdnoœci energii wynikaj¹ce ze zwiêkszenia skaliintegracji oraz mo¿liwoœci umieszczenia czujników i uk³adów kontrolnych w strefiewysokiej temperatury. Opracowanie wysokotemperaturowych przyrz¹dów mocyoraz wysokiej czêstotliwoœci wymaga wprowadzenia pó³przewodników o przerwiezabronionej znacznie szerszej ni¿ przerwa energetyczna Si czy GaAs, charakte-ryzuj¹cych siê znacz¹co wy¿szymi wartoœciami natê¿enia pola elektrycznego, przyktórym nastêpuje przebicie, lepszym przewodnictwem cieplnym oraz odpornoœci¹ nadzia³anie wysokich temperatur. W tej grupie potencjalnymi kandydatami s¹ azotkigrupy III (GaN, AlN i BN), SiC oraz diament.

Celem badañ prowadzonych w Zak³adzie jest pog³êbienie wiedzy odnoœnie akty-wowanych termicznie oddzia³ywañ w strukturach metal/GaN i mo¿liwej kontroliprocesów interdyfuzji. Rysunek 8 przedstawia widma RBS typowego kontaktuomowego p-GaN/PdAu po wygrzewaniu w temperaturze 300 � 800oC, œwiadcz¹ceo bardzo ograniczonej stabilnoœci termicznej metalizacji na bazie Au w kontakciez GaN i o koniecznoœci stosowania barier antydyfuzyjnych separuj¹cych obszarkontaktu od zewnêtrznych (np. monta¿owych) warstw z³ota.


400 500 600 700 800 9000

2000

4000

6000

PdGa

Ga

AuGaN/Pd(20 nm)/Au (130 nm)

as dep.

300oC

500oC

800oC

Yie

ld[a

.u.]

Channel

Rys. 8. Widma 2 MeV He+ RBS metalizacji p-GaN/Pd(20 nm)Au(130 nm) poddanej obróbce termicznej RTP w N2

Bior¹c pod uwagê wczeœniejsze doœwiadczenia zespo³u, w obecnym etapie prackontynuowano badania nad cienkowarstwowymi barierami antydyfuzyjnymi z mate-ria³ów uk³adu Ta-Si-N i Ti-Si-N dla metalizacji na bazie z³ota do GaN. Warstwybarierowe by³y wytwarzane technik¹ reaktywnego rozpylania katodowego, a ichw³asnoœci strukturalne, mechaniczne i elektryczne okreœlano na podstawie pomiarówXRD i RBS (mikrostruktura, profile sk³adu chemicznego), pomiarów naprê¿eñ(TencorTMFLX) oraz pomiarów rezystywnoœci (sond¹ czterostrzow¹).

Optymalizowano procesy osadzania warstw TiSiN oraz TaSiN pod k¹tem niskiejrezystywnoœci, niskich naprê¿eñ oraz amorficznej struktury. Za optymalne uznanowarstwy o sk³adzie Ta0,24Si0,25N0,41 i Ti26Si17N57. Przedstawione na rys. 9 wynikipomiarów profili sk³adu chemicznego kontaktów technik¹ RBS potwierdzaj¹ przy-jêt¹ hipotezê.

W ramach wspó³pracy z Uniwersytetem w Bremie wykonano badania TEMprzekrojów poprzecznych kontaktów wielowarstwowych zawieraj¹cych barierêantydyfuzyjn¹ o zoptymalizowanych w³asnoœciach. Wyniki badañ mikrostrukturykontaktów przedstawione na rys. 10 i 11 œwiadcz¹ o stabilnoœci metalizacjip-GaN/PdAu/Ta0,24Si0,25N0,41/Au a¿ do temperatury 700oC.


600 700 800 9000

2000

4000

6000

8000 Au

GaPd

Ta

Au

GaN/Pd/Au/TaSiN/Au

as deposited

300oC, 3 min.

500oC, 3 min.

800oC, 3 min.

Channel

GaN/Pd/Au/TiSiN/Au

200 250 300 350 4000

5000

10000

15000

20000

25000

Si

TiGaPd

Au Au

( ) ( ) ( ) ( )

as dep.

400oC, 3 min.

700oC, 3 min.

800oC, 3 min.

Channel

Rys. 9. Widma 2 MeV He+ RBS kontaktów do p-GaN z warstwami barierowymi: a) Pd(20 nm)Au(130 nm)//Ta0,24Si0,25N0,41(100 nm)/Au(50 nm), b) Pd(20 nm)Au(130 nm)/Ti26Si17N57(100 nm)/Au(100 nm) po obrób-ce termicznej w N2

a) b)

a) b)

Rys. 10. Obrazy mikroskopowe XTEM i EDS kontaktów p-GaN/Pd(20 nm)/Au(130 nm)/Ta0,34Si0,25N0,41(100 nm)//Au(100nm) poddanych obróbce termicznej w atmosferze Ar przez 3 min. Mikrostruktura i sk³ad chemicznykontaktu wygrzewanego w temperaturze 400oC: a) jasne pole, b) EDS

3. Wspó³praca miêdzynarodowa

W ramach 5. i 6. Programu Ramowego Zak³ad uczestniczy³ w realizacji czterechprojektów europejskich: DENIS, NANOPHOS, HYPHEN, CEPHONA, œciœlewspó³pracuj¹c z oœrodkami europejskimi stanowi¹cymi konsorcja tych projektów.Za szczególne osi¹gniêcie Zak³adu nale¿y uznaæ zorganizowanie miêdzynarodo-wego sympozjum na temat nanostrukturalnych czujników fotonowych „Workshopon Nanostructured Photonic Sensor”, na którym referaty wyg³osili œwiatowej s³awyeksperci z W³och, Francji i Polski.

Publikacje’2005

[P1] DOBOSZ D., ¯YTKIEWICZ Z. R., KAMIÑSKA E., PIOTROWSKA A., GO£ASZEWSKA K.,PIOTROWSKI T. T.: Properties of ZrN Films as Substrate Masks in Liquid Phase Epitaxial Lateral Over-growth of Compound Semiconductors. Cryst. Res. Technol. 2005 nr 4/5 s. 492–497.

[P2] GRABECKI G., WRÓBEL J., DIETL T., JANIK E., ALESZKIEWICZ M., PAPIS E., KAMIÑSKA E.,PIOTROWSKA A., SPRINGHOLZ G., BAUER G.: Disorder Suppression and Precise ConductanceQuantization in Constructions of PbTe Quantum Wells. Phys. Rev. B 2005 vol. 72 s. 125332.

[P3] GRABECKI G., WRÓBEL J., DIETL T., JANIK E., ALESZKIEWICZ M., PAPIS E., KAMIÑSKA E.,PIOTROWSKA A., SPRINGHOLZ G., BAUER G.: PbTe-a New Medium for Quantum Ballistic Devices.Physica E (w druku).

[P4] GUZIEWICZ E., KOPALKO K., SADOWSKI J., GUZIEWICZ M., GO£ACKI Z.: Zn(Mn)O SurfaceAlloy Studied by Synchrotron Radiation Photoemission. Acta Phys. Pol. A 2005 vol. 108 s. 689–696.

[P5] JELINEK M., KLINI A., KOCOUREK T., ZEIPL R., SANTONI A., FOTAKIS C., KAMIÑSKA E.:Subpicosecond and Enhanced Nanosecond PLD to Grow ZnO Films in Nitrogen Ambient. Surf. &

Coatings Technol. 2005 nr 200 s. 418–420.

[P6] KAMIÑSKA E., KOSSUT J., PIOTROWSKA A., PRZE�DZIECKA E., DOBROWOLSKI R., DYNOWSKA E.,BUTKUTE R., BARCZ A., JAKIE£A R., ALESZKIEWICZ M., JANIK E., KOWALCZYK E.: Transparentp-Type ZnO by Oxidation of Zn-Based Compounds. AIP Conf. Proc. 2005 nr 772 s. 185–186.


a) b)

Rys. 10. Obrazy mikroskopowe XTEM i EDS kontaktów p-GaN/Pd(20 nm)/Au(130 nm)/Ta0,34Si0,25N0,41(100 nm)//Au(100nm) poddanych obróbce termicznej w atmosferze Ar przez 3 min. Mikrostruktura i sk³ad chemicznykontaktu wygrzewanego w temperaturze 700oC: a) jasne pole, b) EDS

[P7] KAMIÑSKA E., PIOTROWSKA A., KOSSUT J., BARCZ A., BUTKUTE R., DOBROWOLSKI R.,DYNOWSKA E., JAKIE£A R., £UKASIEWICZ R., ALESZKIEWICZ M., WOJNAR P., KOWALCZYK E.:Transparent p-Type ZnO Films Obtained by Oxidation of Sputter-Deposited Zn3N2. Solid State

Commun. 2005 vol. 135 nr 1–2 s. 11–15.

[P8] KAMIÑSKA E., PRZE�DZIECKA E., PIOTROWSKA A., KOSSUT J., DYNOWSKA E., DOBROWOLSKI W.,BARCZ A., JAKIE£A R., £USAKOWSKA E., RATAJCZAK J.: ZnO-Based p-n Junction with p-Type ZnOby ZnTe Oxidation. Mat. Res. Soc. Symp. Proc. (w druku).

[P9] KUCHUK A., KLADKO V. P., MACHULIN V. F., LYTVYN O. S., KORCHOVYI A. A., PIOTROWSKA A.,MINIKAYEV R. A., JAKIE£A R.: Effect of Nitrogen in Ta-Si-N Thin Films on Properties and DiffusionBarrier Performances. Metallofiz. Noveishie Tekhnol. 2005 vol. 27 nr 5 s. 625–634.

[P10] MADAMOPOULOS N., SIGANAKIS G., TSIGARA A., AtHANASEKOS L., PISPAS S., VAINOS N.,KAMIÑSKA E., PIOTROWSKA A., PERRONE A., RISTOUSCU C., KIBASI K.: Diffractive Optical Ele-ments for Photonic Gas Sensors. Proc. of SPIE, 6008 Nanosensing: Materials and Devices II 60081K(2005).

[P11] MAZINGUE T., SPALLUTO L., ESCOUBAS L., FlORY F., JELINEK M., MIHALESCU I., KAMIÑSKA E.,PIOTROWSKA A., PERRONE A.: Optical Sensitivity of Thin Films to Hydrocarbons and Ozone. Proc. of

SPIE, 5963 Advanced in Optical Thin Films II 59631K (2005).

[P12] PAPIS E., PIOTROWSKA A., KAMIÑSKA E., PIOTROWSKI T. T., KUD£A A., SZADE J., WINIARSKI A.,WAWRO A.: Electrochemical Sulphur Passivation of InGaAsSb and AlGaAsSb Surfaces. Mat. IV Int.Workshop on Semiconductor Surface Passivation SSP’2005, Ustroñ, 10–14.09.2005. Appl. Surface

Sci. (w druku).

[P13] PIOTROWSKA A., KAMINSKA E., GUZIEWICZ M., DYNOWSKA E., STONERT A., TUROS A.,FIGGE S., KRÖGER R., HOMMEL D.: Anti-Diffusion Barriers for Gold-Based Metallization to p-GaN.Mat. Res. Soc. Symp. Proc. (w druku).

[P14] PRZE�DZIECKA E., KAMIÑSKA E., DYNOWSKA E., DOBROWOLSKI W., JAKIE£A R.,K£OPOTOWSKI £., SAWICKI M., KIECANA K., KOSSUT J.: p-Type ZnO and ZnMnO by Oxidation ofZn(Mn)Te Films. phys. stat. sol. (c) 2005 vol. 2 nr 3 s. 1218–1223.

[P15] SAWICKI M., WANG K.-Y., EDMONDS K. W., CAMPION R. P., STADDON C. R., FARLAY N. R. S.,FAXON C. T., PAPIS E., KAMIÑSKA E., PIOTROWSKA A., DIETL T., GALLAGHER B. L.: In-Plane Uniax-ial Anisotropy Rotation in (Ga,Mn)As Thin Films. Phys. Rev B 2005 vol. 71 s. 121302.

[P16] SZCZÊSNY A., KAMIÑSKA E., PIOTROWSKA A., SZMIDT J.: GaN – materia³ do konstrukcjiprzyrz¹dów pracuj¹cych przy wysokich czêstotliwoœciach (HEMT) i w ekstremalnych warunkach.Elektronika 2005 nr 2–3 s. 16–17.

[P17] SZCZÊSNY A., KAMIÑSKA E., PIOTROWSKA A., GUZIEWICZ M., JAGODZIÑSKI P., MROCZYÑSKI R.,SZMIDT J.: Ru-Si-O/AlN,Si3N4 Schottky Contats for n-Type GaN and AlGaN. J. of Superhard Mater.(w druku).

Konferencje’2005

[K1] GO£ASZEWSKA K., PIOTROWSKA A., KAMIÑSKA E., RUTKOWSKI, GOTSZALK T., SZELOCH R.,SKOCZYLAS P., £UKASIEWICZ R., PIOTROWSKI T. T., KOWALCZYK E., KRUSZKA R., JAGODZIÑSKI P.:Thin Film Transparent Conducting Oxides as Ohmic Contacts to GaSb/In(Al)GaAsSb Thermophoto-voltaic Cells. SPIE Int. Congress on Optics and Optoelectronics. Warszawa, 28.08–2.09.2005.

[K2] GRABECKI G., WRÓBEL J., DIETL T., JANIK E., ALESZKIEWICZ M., PAPIS E., KAMIÑSKA E.,PIOTROWSKA A., SPRINGHOLZ G., BAUER G.: Suppression of Nanoscale Disorder in PbTe Nano-


structures. XXXIV Int. School on the Physics of Semiconducting Compounds 2005. Ustroñ Jaszowiec,4–10.06.2005.

[K3] GRABECKI G., WRÓBEL J., DIETL T., JANIK E., ALESZKIEWICZ M., PAPIS E., KAMIÑSKA E.,PIOTROWSKA A., SPRINGHOLZ G., BAUER G.: PbTe-a New Medium for Quantum Ballistic Devices.16th Int. Conf. on Electronic Properties of Two-Dimensional Systems (EP2DS-16). Albuquerque, NM,USA, 10–15.07.2005.

[K4] GUZIEWICZ E., KOPALKO K., SADOWSKI J., GUZIEWICZ M., GO£ACKI Z.: Zn(Mn)O SurfaceAlloy Studied by Synchrotron Radiation Photoemission. XXXIV Int. School on the Physics of Semi-conducting Compounds 2005, Ustroñ Jaszowiec, 4–10.06.2005.

[K5] KAMIÑSKA E., ILCZUK E., PIOTROWSKA A., KOSSUT J., BARCZ A., JAKIE£A R., DOBROWOLSKI W.,£UKASIEWICZ R.: Effect of Atmosphere on the Thermally Activated Diffusion of Ga and As acrossZnTe/GaAs Interface. XXXIV Int. School on the Physics of Semiconducting Compounds 2005, UstroñJaszowiec, 4–10.06.2005.

[K6] KAMIÑSKA E., PIOTROWSKA A., GO£ASZEWSKA K., GUZIEWICZ M., JAGODZIÑSKI P., KRUSZKA R.,KUD£A A., KOWALCZYK E., MADAMOPOULOS N., VAINOS N., ESCOUBAS L., MAZINGUE T., COURIS S.:Deposition, Characterisation and Patterning of Materials for Nanostructured Photonic Sensors. Work-shop on Nanostructured Photonic Sensors. Warszawa, 3.09.2005.

[K7] KAMIÑSKA E., PRZE�DZIECKA E., PIOTROWSKA A., KOSSUT J., DYNOWSKA E., DOBROWOLSKI W.,BARCZ A., JAKIE£A R., LUSAKOWSKA E., RATAJCZAK J.: ZnO-Based p-n Junction with p-Type ZnOby ZnTe Oxidation. MRS Fall Meet. 2005, Boston, USA, 28.11–2.12.2005.

[K8] KAMIÑSKA E., PRZE�DZIECKA E., PIOTROWSKA A., KOSSUT J., £UKASIEWICZ R., JAGODZIÑSKI P.,GO£ASZEWSKA K., DYNOWSKA E., DOBROWOLSKI W., JAKIE£A R., £USAKOWSKA E.: Study of KeyTechnological Processes to Achieve ZnO p-n Junction. 12th Int. Conf. on II-VI Compounds. Warszawa,12–16.09.2005.

[K9] PAPIS E., PIOTROWSKA A., GO£ASZEWSKA K., £UKASIEWICZ R., PIOTROWSKI T. T., KAMIÑSKA E.,KRUSZKA R., KUD£A A., RUTKOWSKI J., SZADE J., WINIARSKI A., WAWRO A.: Properties of InGaAsSband AlGaAsSb Surfaces under Sulphide Treatments Studies using XPS and VASE Techniques. SPIEInt. Congress on Optics and Optoelectronics. Warszawa, 28.08–2.09.2005.

[K10] PAPIS E., PIOTROWSKA A., KAMIÑSKA E., PIOTROWSKI T. T., KUD£A A., SZADE J., WINIARSKI A.,WAWRO A.: Electrochemical Sulphur Passivation of InGaAsSb and AlGaAsSb Surfaces. IV Int. Work-shop on Semiconductor Surface Passivation SSP’2005. Ustroñ, 10–14.09.2005.

[K11] PIOTROWSKA A., GO£ASZEWSKA K., RUTKOWSKI J., PAPIS E., £UKASIEWICZ R., KAMIÑSKA E.,PIOTROWSKI T. T.: Long Term Stability of GaSb-Based MIR Photodetectors Passivated by Electro-chemical Treatment in Sulphur Containing Solutions. SPIE Int. Congress on Optics and Optoelectron-ics. Warszawa, 28.08–2.09.2005.

[K12] PIOTROWSKA A., KAMINSKA E., GUZIEWICZ M., DYNOWSKA E., STONERT A., TUROS A.,FIGGE S., KRÖGER R., HOMMEL D.: Anti-Diffusion Barriers for Gold-Based Metalli Zation to p-GaN.2005 MRS Fall Meet. Boston, USA, 28.11–3.12.2005.

[K13] PRZE�DZIECKA E., KAMIÑSKA E., DYNOWSKA E., BUTKUTE R., DOBROWOLSKI W., JAKIE£A R.,ALESZKIEWICZ M., £USAKOWSKA E., ANDREARCZYK T., K£OPOTOWSKI £., KOSSUT J.: Preparationand Characterization of p-Type ZnO by Oxidation of ZnTe Films. XXXIV Int. School on the Physics ofSemiconducting Compounds 2005, Ustroñ Jaszowiec, 4–10.06.2005.

[K14] PRZE�DZIECKA E., KAMIÑSKA E., DYNOWSKA E., BUTKUTE R., DOBROWOLSKI W., JAKIE£A R.,ALESZKIEWICZ M., £USAKOWSKA E., ANDREARCZYK T., SAWICKI M., KIECANA K., K£OPOTOWSKI £.,


KOSSUT J.: p-Type ZnO and ZnMnO by Oxidation of Zn(Mn)Te Films. 12th Int. Conf. on II-VI Com-pounds. Warszawa, 12–16.09.2005.

[K15] SKOCZYLAS P. A., PISKORSKI M., PIOTROWSKA A., GO£ASZEWSKA K., PIOTROWSKI T. T.,K¥TCKI J., RATAJCZAK J., JUNG W., PRZES£AWSKI T., WAWRO A., WÓJCIK M., GACA J.:GaAlAsSb/GaInAsSb/GaSb Structures for Thermophotovoltaic Cells. SPIE Int. Congress on Opticsand Optoelectronics. Warszawa, 28.08–2.09.2005.

[K16] SZCZÊSNY A., KAMIÑSKA E., PIOTROWSKA A., GUZIEWICZ M., JAGODZIÑSKI P., MROCZYÑSKI R.,SZMIDT J.: Ru-Si-O/AlN,Si3N4 Schottky Contats for n-Type GaN and AlGaN. 4th Int. Conf.Nanodiamond and Related Materials jointly with 6th Diamond and Related Films. Zakopane,28.06–1.07.2005.


ZAK£AD TECHNOLOGII STRUKTUR … · • „Pó³przewodnikowe fotoogniwa GaSb/In(Al)GaAsSb do...

Documents

Transcript of ZAK£AD TECHNOLOGII STRUKTUR … · • „Pó³przewodnikowe fotoogniwa GaSb/In(Al)GaAsSb do...