NJW4110-T1 · ch1 on/off en1 ch2 o n/ f pg d1 pgnd2 pvdd1 pvdd2 c2 rc2 cc1 rc1 cpvdd1 cpvdd2 v+...

NJW4110-T1

- 1 - Ver.1.0 http://www.njr.co.jp/

ローカル電源向け同期整流方式

2.4MHz, 3A x 2ch 降圧用スイッチングレギュレータ IC ■特長 ■概要 ■アプリケーション ■アプリケーション回路例

VIN

SW1

FB1

CFB1

R2COUT1

L1

NJW4110

R1

VOUT1

RFB1

COMP1

CIN

SW2

FB2

CFB2

R4COUT2

L2

R3

VOUT2

RFB2

COMP2

High: ONLow: OFF(Standby)

SS2

RT

GND

RT

CSS2

SS1CSS1

MODE/SYNC

PG2

PG1Power Good1

Power Good2

EN2

EN1CH1 ON/OFF

CH2 ON/OFF PGND1

PGND2

PVDD1 PVDD2

CC2

RC2

CC1

RC1

CPVDD1 CPVDD2

V+

・同期整流方式の 2ch 降圧回路・カレントモード制御・動作電圧範囲 2.7V to 5.5V ・スイッチング電流 3.3A min. ・設定可能な発振周波数 100kHz to 2.4MHz ・外部クロックに同期可能・PWM 制御方式・最大デューティーサイクル 100% ・軽負荷時の高効率対応（動作選択可能）・スリープ状態での低消費電流 500 A typ. ・CH1 と CH2 は逆位相動作・外部調整可能な位相補償回路・セラミックコンデンサ対応・可変型ソフトスタート機能・低電圧誤動作防止回路内蔵・過電流保護機能（ヒカップ方式）・サーマルシャットダウン機能・Power Good 機能・スタンバイ機能・外形 EQFN24-LE

NJW4110 は、3A のパワー MOSFET を内蔵した同

期整流方式のローカル電源向け 2ch 降圧用スイッチン

グレギュレータ IC です。発振周波数は 100kHz～

2.4MHz と広範囲をカバーしており、外部同期機能も備え

ています。また広い負荷電流範囲にわたって最大効率を

実現するため、軽負荷時にPFM動作を選択することがで

きます。 NJW4110 の CH1 と CH2 は逆位相でスイッチング動

作を行うため入力のリップル電流を抑えることができま

す。それぞれの制御回路にはスタンバイ機能、ソフトスタ

ート機能、過電流保護機能、パワーグッド機能が独立して

搭載されています。また共通の保護機能として、UVLO、

サーマルシャットダウンを内蔵しており、異常時の回路保

護を行います。 SoC、DSP、DDR メモリなど、過渡応答の優れた電源

回路に最適です。

・SoC、ASIC、DDR などの電源供給

NJW4110-T1


■ブロック図

GND

LogicEnable

Control 2

SYNC

OSC

UVLO

MODE/SYNC

EN2

Anti Phase

PG2

COMP2

FB2

SS2SW2

500kW

TSD

Enable/Auto Discharge1

V+

Error AMP1

Soft Start1

Power GoodControl Logic1

PG1

COMP1

FB1

SS1

Control1

HS OCP1

CurrentSense1

SlopeCOMP.

S QR

SW1

PWM1

EnableSignal1

OVP1

HSDriver1Dead time

Control1

LS OCP1

ModeSignal

LSDriver1

VREFVB=0.6V

500kW

EnableControl 2

500kW

Enable/Auto Discharge2

Mode

Auto Discharge Contol1

RT

EN1

PVDD2

PVDD1

PGND1

PGND2

Ligit Load Mode1

Error AMP2

Soft Start2

Power GoodControl Logic2

Control2

HS OCP2

CurrentSense2

SlopeCOMP.

S QR

PWM2

EnableSignal2

OVP2

HSDriver2Dead time

Control2

LS OCP2

ModeSignal

LSDriver2

Auto Discharge Contol2

Ligit Load Mode2

NJW4110-T1


■端子配置図 EQFN24-LE

端子番号端子名機能 1 SS1 Ch.1 ソフトスタート設定端子 2 RT 発振周波数設定端子

3 MODE/SYNC 動作モード選択、外部同期入力端子

4 GND グラウンド端子 5 SS2 Ch.2 ソフトスタート設定端子 6 PG2 Ch.2 パワーグッド出力 7 COMP2 Ch.2 エラーアンプ出力 8 FB2 Ch.2 フィードバック入力 9 EN2 Ch.2 イネーブルコントロール端子 10 V+ IC の電源端子 11 PVDD2

Ch.2 電源端子 12 PVDD2 13 SW2 Ch.2 スイッチ出力端子 14 PGND2

Ch.2 パワーグラウンド端子 15 PGND2 16 PGND1

Ch.1 パワーグラウンド端子 17 PGND1 18 SW1 Ch.1 スイッチ出力端子 19 PVDD1

Ch.1 電源端子 20 PVDD1 21 EN1 Ch.1 イネーブルコントロール端子 22 FB1 Ch.1 フィードバック入力 23 COMP1 Ch.1 エラーアンプ出力 24 PG1 Ch.1 パワーグッド出力

Exposed PAD onbackside connect to GND

1

COMP2

SS1

2 3 4 5 6

RT

MO

DE/SYN

C

GN

D

SS2

PG2

FB2

EN2

V+

PVDD2

PVDD2

7

8

9

10

11

12

131415161718

19

20

21

22

23

24PG1

COMP1

FB1

EN1

PVDD1

PVDD1

SW1

PGN

D1

PGN

D1

PGN

D2

PGN

D2

SW2

Note) Exposed Pad on backside should be connected to ground and soldered to PCB.

NJW4110-T1


■製品名構成

■オーダーインフォメーション

製品名パッケージ車載仕様

RoHS Halogen- Free

めっき組成

マーキング製品重量 (mg)

最低発注数量

(pcs) NJW4110MLE (TE1) EQFN24-LE ○ ○ Sn2Bi 4110 31 1,000 NJW4110MLE-T1 (TE1) EQFN24-LE ○ ○ ○ Sn2Bi 4110T1 31 1,000

本データシートは、「NJW4110MLE-T1」に適用されます。他のバージョンについては、それぞれのデータシートを参照してください。

NJW4110 MLE - T1 (TE1)

品番パッケージMLE:EQFN24-LE

仕様None: 一般仕様T1: 車載仕様

テーピング仕様

NJW4110-T1


■絶対最大定格項目記号定格単位

入力電圧 V+ -0.3 to +7 V PVDD1,2 端子電圧 PVDD1,2 -0.3 to +7 V SW1,2 端子電圧 VSW1,2 -0.3 to +7 V EN1,2 端子電圧 VEN1,2 -0.3 to +7 V FB1,2 端子電圧 VFB1,2 -0.3 to +7 V PG1,2 端子電圧 VPG1,2 -0.3 to +7 V MODE/SYNC 端子電圧 VMODE/SYNC -0.3 to +7 V 消費電力(Ta=25°C)

EQFN24-LE PD

(2-layer / 4-layer) mW

1,000(1)/ 2,800(2) 接合部温度 Tj -40 to +150 C 動作温度 Topr -40 to +125 C 保存温度 Tstg -50 to +150 C

(1): 基板実装時 101.5×114.5×1.6mm (2層 FR-4)でEIA/JEDEC 規格サイズ、且つExposed Pad使用 (2): 基板実装時 101.5×114.5×1.6mm (4層 FR-4)でEIA/JEDEC規格サイズ、且つExposed Pad使用（4層基板内箔：99.5×99.5mm、JEDEC 規格JESD51-5 に基づき、基板にサーマルビアホールを適用）

■推奨動作条件

項目記号値単位電源電圧 V+ 2.7 to 5.5 V PVDD1,2 端子電圧 PVDD1,2 Up to 5.5 V PG1,2 端子電圧 VPG1,2 0 to 5.5 V タイミング抵抗 RT 2.26 to 84.5 k 発振周波数 fOSC 100 to 2,400 kHz

外部クロック入力 fSYNC fOSC 0.9 to fOSC 1.9

200kHz 下限、2,800kHz 上限 kHz

NJW4110-T1


■電気的特性指定なき場合には PVDD=V+=VEN =3.3V, PGND=GND, RT=6.8k , CH1 と CH2 共通, Ta=25 C

項目記号条件最小標準最大単位低電圧誤動作防止回路部

ON スレッショルド電圧 VT_ON V+= L → H 2.5 2.6 2.7

V V+= L → H, Ta=-40 C to +125 C 2.48 – 2.7

OFF スレッショルド電圧 VT_OFF V+= H → L 2.4 2.5 2.6

V V+= H → L, Ta=-40 C to +125 C 2.38 – 2.6

ヒステリシス幅 VHYS 80 100 –

mV Ta=-40 C to +125 C 80 – –

ソフトスタート部

充電電流 ICHG 6 8 10

A Ta=-40 C to +125 C 6 – 10

発振器部

発振周波数１ fOSC1 RT=26.1k 255 300 345

kHz RT=26.1k , Ta=-40 C to +125 C 245 – 355

発振周波数２ fOSC2 RT=6.8k 850 1,000 1,150

kHz RT=6.8k , Ta=-40 C to +125 C 825 – 1,160

発振周波数３ fOSC3 RT=2.26k 2,160 2,400 2,640

kHz RT=2.26k , Ta=-40 C to +125 C 2,112 – 2,688

誤差増幅器部

基準電圧 VB -1.0% 0.6 +1.0%

V Ta=-40 C to +125 C -2.0% – +2.0%

入力バイアス電流 IB -0.1 – 0.1

A Ta=-40 C to +125 C -0.1 – 0.1

エラーアンプトランスコンダクタンス

gm – 450 – A/V

エラーアンプゲイン AV – 1,400 – –

出力ソース電流 IOM+ 33 45 60

A Ta=-40 C to +125 C 25 – 70

出力シンク電流 IOM- 33 45 60

A Ta=-40 C to +125 C 25 – 70

PWM 比較器部

最大デューティーサイクル MAXDUTY VFB=0.5V 100 – –

% VFB=0.5V, Ta=-40 C to +125 C 100 – –

最小OFF 時間 tOFF-min – 80 – ns 最小ON 時間 tON-min – 80 – ns

NJW4110-T1



項目記号条件最小標準最大単位過電流保護回路部

COOL DOWN 時間 tCOOL – 120 – ms

出力部

ハイサイド SW ON 抵抗 RONH ISW=-3A – 80 120 m ローサイド SW ON 抵抗 RONL ISW= 3A – 60 100 m ハイサイドスイッチング電流制限

ILIMH 3.3 4.5 6 A

ローサイドスイッチング電流制限

ILIML SW to PGND 2.3 3.5 5.5 A

オートディスチャージ機能抵抗値

RAUTODIS ISW=10mA – 60 100

ISW=10mA, Ta=-40 C to +125 C – – 110

ハイサイド SW リーク電流 ILEAKH PVDD - VSW=5.5V – – 5

A PVDD - VSW=5.5V, Ta=-40 C to +125 C

– – 25

ローサイド SW リーク電流 ILEAKL VSW - PGND=5.5V – – 1

A VSW - PGND=5.5V, Ta=-40 C to +125 C

– – 5

イネーブル制御部

EN 端子 High スレッショルド電圧

VTHH_EN VEN= L → H 1.0 – 5.5

V VEN= L → H, Ta=-40 C to +125 C 1.0 – 5.5

EN 端子 Low スレッショルド電圧

VTHL_EN VEN= H → L 0 – 0.4

V VEN= H → L, Ta=-40 C to +125 C 0 – 0.4

EN 端子入力バイアス電流

IEN VEN=5.5V – 10 15

A VEN=5.5V, Ta=-40 C to +125 C – – 17

動作モード制御／同期入力部

MODE/SYNC 端子 High スレッショルド電圧

VTHH_MODE/SYNC VMODE/SYNC= L → H 1.2 – 5.5

V VMODE/SYNC= L → H, Ta=-40 C to +125 C 1.2 – 5.5

MODE/SYNC 端子 Low スレッショルド電圧

VTHL_MODE/SYNC VMODE/SYNC= H → L 0 – 0.4

V VMODE/SYNC= H → L, Ta=-40 C to +125 C 0 – 0.4

MODE/SYNC 端子入力バイアス電流

IMODE/SYNC VMODE/SYNC=5.5V – 10 15

A VMODE/SYNC=5.5V, Ta=-40 C to +125 C – – 17

NJW4110-T1



項目記号条件最小標準最大単位 Power Good 部

High レベル検出電圧 VTHH_PG Measured at FB pin, Rising 0.63 0.642 0.654

V Measured at FB pin, Rising, Ta=-40 C to +125 C

0.623 – 0.661

Low レベル検出電圧 VTHL_PG Measured at FB pin, Falling 0.558 0.57 0.582

V Measured at FB pin, Falling Ta=-40 C to +125 C

0.553 – 0.587

ヒステリシス幅 VHYS_PG – 12 – mV Power Good ON 抵抗 RON_PG IPG=10mA – 100 –

OFF 時リーク電流 ILEAK_PG VPG=5.5V – – 0.1

A VPG=5.5V, Ta=-40 C to +125 C – – 0.1

総合特性

消費電流１ (PWM Mode)

IDD1

RL=無負荷, Not Switching, VMODE/SYNC=H, 両ch 動作

– 3.8 5.0

mA RL=無負荷, Not Switching, VMODE/SYNC=H, 両ch 動作, Ta=-40 C to +125 C

– – 6.0

消費電流２（Light Load Mode）

IDD2

RL=無負荷, Not Switching, VMODE/SYNC=L, 両ch 動作,

– 500 750

A RL=無負荷, Not Switching, VMODE/SYNC=L, 両ch 動作, Ta=-40 C to +125 C

– – 800

スタンバイ時消費電流 IDD_STB VEN1, 2=0V, PVDD=open – – 1

A VEN1, 2=0V, PVDD=open

Ta=-40 C to +125 C – – 10

NJW4110-T1


■熱特性項目記号値単位

接合部－周囲雰囲気間 θja EQFN24-LE 126(3) 45(4)

°C/W

接合部－ケース表面間 ψjt EQFN24-LE 8(3)

2.8(4) °C/W

(3): 基板実装時 101.5×114.5×1.6mm (2層 FR-4)でEIA/JEDEC 規格サイズ、且つExposed Pad使用 (4): 基板実装時 101.5×114.5×1.6mm (4層 FR-4)でEIA/JEDEC規格サイズ、且つExposed Pad使用（4層基板内箔：99.5×99.5mm、JEDEC 規格JESD51-5 に基づき、基板にサーマルビアホールを適用）

■消費電力－周囲温度特性例

0

500

1000

1500

2000

2500

3000

-50 -25 0 25 50 75 100 125 150

Pow

er D

issi

patio

n P

D(m

W)

Ambient Temperature Ta (°C)

NJW4110MLE (EQFN24-LE Package)Power Dissipation vs. Ambient Temperature

(Topr=-40°C to +125°C, Tjmax=150°C)

At on 4 layer PC Board (4)At on 2 layer PC Board (3)

NJW4110-T1


■アプリケーション回路例

MODE/SYNC端子による動作モード選択

MODE/SYNC端子電圧動作モード発振周波数 1.2V to 5.5V 強制PWMモード動作内蔵周波数 0V to 0.4V 軽負荷時にPWM/PFM切り替え動作内蔵周波数

外部クロック信号強制PWMモード動作外部クロック周波数

VIN

SW1

FB1

CFB1

R2COUT1

L1

NJW4110

R1

VOUT1

RFB1

COMP1

CIN

SW2

FB2

CFB2

R4COUT2

L2

R3

VOUT2

RFB2

COMP2

High: ONLow: OFF(Standby)

SS2

RT

GND

RT

CSS2

SS1CSS1

MODE/SYNC

PG2

PG1Power Good1

Power Good2

EN2

EN1CH1 ON/OFF

CH2 ON/OFF PGND1

PGND2

PVDD1 PVDD2

CC2

RC2

CC1

RC1

CPVDD1 CPVDD2

V+

NJW4110-T1


■特性例

0.59

0.595

0.6

0.605

0.61

2 3 4 5 6

Ref

eren

ceVo

ltage

: VB

(V)

Supply Voltage: V+ (V)

Reference Voltage vs. Supply Voltage(Ta=25ºC)

0

500

1000

1500

2000

2500

0 10 20 30 40 50 60 70 80 90

Osc

illat

ing

Freq

uenc

y:f O

SC(k

Hz)

Timing Resistor: RT (k )

Timing Resistor vs. Oscillating Frequency(V+=3.3V, Ta=25ºC)

0

1

2

3

4

5

6

0 1 2 3 4 5 6

Qui

esce

ntC

urre

nt 1

: ID

D1

(mA)


Quiescent Current 1 vs. Supply Voltage(RL=No Load, Not Switching, VMODE/SYNC=H,

Both channel operation, Ta=25ºC)

0

100

200

300

400

500

600

700

800

0 1 2 3 4 5 6

Qui

esce

ntC

urre

nt 2

: ID

D2

(A)


Quiescent Current 2 vs. Supply Voltage(RL=No Load, Not Switching, VMODE/SYNC=L,

Both channel operation, Ta=25ºC)

NJW4110-T1


■特性例

240

260

280

300

320

340

360

-50 -25 0 25 50 75 100 125 150

Osc

illat

ing

Freq

uenc

y1:

f OSC

1(k

Hz)

Temperature: (ºC)

Oscillating Frequency 1 vs Temperature(V+=3.3V, RT=26.1k )

800

850

900

950

1000

1050

1100

1150

1200

-50 -25 0 25 50 75 100 125 150

Osc

illat

ing

Freq

uenc

y2:

f OSC

2(k

Hz)

Temperature: (ºC)


2100

2200

2300

2400

2500

2600

2700

-50 -25 0 25 50 75 100 125 150

Osc

illat

ing

Freq

uenc

y3:

f OSC

3(k

Hz)

Temperature: (ºC)


0.59

0.595

0.6

0.605

0.61

-50 -25 0 25 50 75 100 125 150

Refe

renc

eVo

ltage

: VB

(V)

Temperature: (ºC)

Reference Voltage vs. Temperature(V+=3.3V)

0

20

40

60

80

100

120

140

-50 -25 0 25 50 75 100 125 150

Min

imum

ON

Tim

e: t O

N-m

in(n

s)

Temperature: (ºC)

Minimum ON Time vs. Temperature(V+=3.3V, RT=6.8k )

0

20

40

60

80

100

120

140

-50 -25 0 25 50 75 100 125 150

Min

imum

OFF

Tim

e: t O

FF-m

in(n

s)

Temperature: (ºC)

Minimum OFF Time vs. Temperature(V+=3.3V, RT=6.8k )

NJW4110-T1


■特性例

3

3.5

4

4.5

5

5.5

6

-50 -25 0 25 50 75 100 125 150

Hig

h Si

de S

witc

hing

Cur

rent

Lim

it: I L

IMH

(A)

Temperature: (ºC)

High Side Switching Current Limitvs. Temperature

V+=3.3V

V+=5.5V

V+=2.7V

0

0.02

0.04

0.06

0.08

0.1

0.12

-50 -25 0 25 50 75 100 125 150

Hig

h Si

de S

WO

NR

esis

tanc

e: R

ON

H(Ω

)

Temperature: (ºC)

High Side SW ON Resistancevs. Temperature (ISW=-3A)

V+=5.5V

V+=2.7V

V+=3.3V

0

0.01

0.02

0.03

0.04

0.05

0.06

0.07

0.08

0.09

0.1

-50 -25 0 25 50 75 100 125 150

Low

Sid

e SW

ON

Res

ista

nce:

RO

NL

(Ω)

Temperature: (ºC)

Low Side SW ON Resistancevs. Temperature (ISW=3A)

V+=5.5V

V+=2.7V

V+=3.3V

2.4

2.45

2.5

2.55

2.6

2.65

2.7

-50 -25 0 25 50 75 100 125 150

Thre

shol

dVo

ltage

:(V)

Temperature: (ºC)

Under Voltage Lockout Voltage vs. Temperature

VT_ON

VT_OFF

6

6.5

7

7.5

8

8.5

9

9.5

10

-50 -25 0 25 50 75 100 125 150

Cha

rge

Cur

rent

: IC

HG

(A)

Temperature: (ºC)

Charge Current vs. Temperature(V+=3.3V)

2

2.5

3

3.5

4

4.5

5

5.5

-50 -25 0 25 50 75 100 125 150

Low

Sid

e Sw

itchi

ngC

urre

ntLi

mit:

I LIM

L(A

)

Temperature: (ºC)

Low Side Switching Current Limitvs. Temperature (SW to PGND)

V+=3.3V

V+=2.7V

V+=5.5V

NJW4110-T1


■特性例

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

-50 -25 0 25 50 75 100 125 150

Stan

dby

Cur

rent

: ID

D_S

TB(μ

A)

Temperature: (ºC)

Standby Current vs. Temperature(VEN1,2=0V, PVDD=open)

V+=2.7V, 3.3V, 5.5V

0

1

2

3

4

5

6

-50 -25 0 25 50 75 100 125 150

Qui

esce

ntC

urre

nt 1

: ID

D1

(mA)

Temperature: (ºC)

Quiescent Current 1 vs. Temperature(RL=No Load, Not Switching, VMODE/SYNC=H,

Both channel operation, RT=6.8k )

V+=5.5VV+=3.3VV+=2.7V

0

100

200

300

400

500

600

700

800

-50 -25 0 25 50 75 100 125 150

Qui

esce

ntC

urre

nt 2

: ID

D2

(A)

Temperature: (ºC)

Quiescent Current 2 vs. Temperature(RL=No Load, Not Switching, VMODE/SYNC=L,

Both channel operation, RT=6.8k )

V+=3.3V V+=5.5V

V+=2.7V

0

5

10

15

20

25

-50 -25 0 25 50 75 100 125 150

Hig

h Si

de S

WLe

akC

urre

nt: I

LEAK

H(μ

A)

Temperature: (ºC)

High Side SW Leak Current vs. Temperature(PVDD-VSW=5.5V)

0

1

2

3

4

5

-50 -25 0 25 50 75 100 125 150

Low

Sid

e SW

Leak

Cur

rent

: ILE

AKL

(μA)

Temperature: (ºC)

Low Side SW Leak Current vs. Temperature(VSW-PGND=5.5V)

NJW4110-T1


■端子説明端子名称端子番号機能

SS1 1 Ch.1 のソフトスタート時間を設定する端子です。コンデンサの容量によってソフトスタート時間が決まります。

RT 2 タイミング抵抗を接続して、発振周波数を決める端子です。発振周波数は、100kHz～2.4MHz の間で設定してください。

MODE/SYNC 3

動作モードを選択する端子です。内部は抵抗によってプルダウンされています。High レベルで強制PWM モード、Low レベルまた

はオープンで軽負荷モード動作となります。またクロック信号を入力することで、信号に同期した発振周波数で動作します。

GND 4 接地 SS2 5 Ch.2 のソフトスタート時間を設定する端子です。SS1 端子と同機能です。

PG2 6 Power Good 出力端子です。オープン・ドレインで構成され、FB 端子電圧が+7%, -5%で安定した

とき、出力はハイインピーダンスになります。

COMP2 7 Ch.2 のエラーアンプの出力端子です。 COMP 端子－GND 間に補償用の抵抗・コンデンサを接続します。

FB2 8 Ch.1 の出力電圧を検出する端子です。FB 端子電圧が基準電圧 0.6V typ.となるように出力電圧

を抵抗分割して入力します。

EN2 9 Ch.2 の動作・停止を制御する端子です。内部は抵抗によってプルダウンされています。Highレベルで動作、Lowレベルまたはオープンで

スタンバイモードとなります。

V+ 10 IC への電源供給端子です。電源供給のインピーダンスを下げるため、IC の近傍に入力コンデン

サを接続してください。 PVDD2 11

Ch.2 電源供給端子です。 PVDD2 12 SW2 13 Ch.2 パワーMOSFET のスイッチ出力端子です。

PGND2 14 Ch.2 パワーグラウンド端子です。

PGND2 15 PGND1 16

Ch.1 パワーグラウンド端子です。 PGND1 17

SW1 18 Ch.1 パワーMOSFET のスイッチ出力端子です。 PVDD1 19

Ch.1 電源供給端子です。 PVDD1 20

EN1 21 Ch.1 の動作・停止を制御する端子です。EN2 端子と同機能です。 FB1 22 Ch.1 の出力電圧を検出する端子です。FB2 端子と同機能です。

COMP1 23 Ch.1 のエラーアンプの出力端子です。COMP2 端子と同期能です。 PG1 24 Ch.1 の Power Good 出力端子です。PG2 端子と同機能です。

Exposed PAD

– 裏面 PAD はグラウンドに接続し、PCB にはんだ付けする必要があります。

NJW4110-T1


■外形寸法図 ■フットパターン

0.10 M S A

0.075 S

+0.010

-0.008

0.7±

0.05

0.4±

0.05

2.5+0.06

-0.04

2.5 +0.06-0.04

0.23+0.06-0.04

C0.83-R0.8

1pin

4.0±0.05

4.0±

0.05

0.10

MS

B

0.01

S

0.05 S

B

0.50.05 M S AB

A

2.5

2.5

4.3

4.3

0.25

0.5

0.5

0.6

EQFN24-LE Unit: mm

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■包装仕様テーピング寸法

Feed direction

A

BW1

P2 P0 φD0

P1

EF

W

T

φD1 T2

SYMBOL

A

B

D0

D1

E

F

P0

P1

P2

T

T2

W

W1

DIMENSION

4.35±0.05

4.35±0.05

1.5

1.0

1.75±0.1

5.5±0.05

4.0±0.1

8.0±0.1

2.0±0.05

0.3±0.05

1.3±0.05

12.0

9.5

REMARKS

BOTTOM DIMENSION

BOTTOM DIMENSION

THICKNESS 0.1max

+0.10

+0.10

+0.3-0.1

リール寸法

A

E

C D

B

W1

W

SYMBOL

ABCDEWW1

DIMENSIONφ180φ 60φ 13±0.2φ 21±0.8

2±0.5131.2

0-1.5+10

+1.00

テーピング状態

Feed direction

Sealing with covering tape

Empty tape Devices Empty tape Covering tape

more than 40pitch 1000pcs/reel more than 25pitch reel more than 1round

梱包状態

Put a reel into a box

LabelLabel

EQFN24-LE Unit: mm

Insert direction

(TE1)

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■推奨実装方法・リフローはんだ法

＊リフロー温度プロファイル

a：温度上昇勾配： 1～4℃/s b：予備加熱温度時間

： 150～180℃ ： 60～120s

c：温度上昇勾配： 1～4℃/s d：実装領域 A 温度時間 e：実装領域 B 温度時間

： 220℃ ： 60s 以内： 230℃ ： 40s 以内

f：ピーク温度： 260℃以下ｇ：冷却温度勾配： 1～6℃/s 温度測定点：パッケージ表面 a b c

e

g

150℃

260℃

常温

f

180℃

230℃ 220℃ d

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■改定履歴日付改訂変更内容

2017.08.21 Ver.1.0 新規リリース

NJW4110-T1


■注意事項１．当社は、製品の品質、信頼性の向上に努めておりますが、半導体製品はある確率で故障が発生することがありますので、当

社半導体製品の故障により結果として、人身事故、火災事故、社会的な損害等を生じさせることのないように、お客様の責任

においてフェールセーフ設計、冗長設計、延焼対策設計、誤動作防止設計等の安全設計を行い、機器の安全性の確保に十

分留意されますようお願いします。２．このデータシートの掲載内容の正確さには万全を期しておりますが、掲載内容について何らかの法的な保証を行うものでは

ありません。とくに応用回路については、製品の代表的な応用例を説明するためのものです。また、工業所有権その他の権

利の実施権の許諾を伴うものではなく、第三者の権利を侵害しないことを保証するものでもありません。このデータシートに記載されている商標は、各社に帰属します。

３．このデータシートに掲載されている製品を、特に高度の信頼性が要求される下記の機器にご使用になる場合は、必ず事前に

当社営業窓口までご相談願います。 · 航空宇宙機器 · 海底機器 · 発電制御機器 (原子力、火力、水力等) · 生命維持に関する医療装置 · 防災/ 防犯装置 · 輸送機器 (飛行機、鉄道、船舶等) · 各種安全装置

４．このデータシートに掲載されている製品の仕様を逸脱した条件でご使用になりますと、製品の劣化、破壊等を招くことがあり

ますので、なさらないように願います。仕様を逸脱した条件でご使用になられた結果、人身事故、火災事故、社会的な損害等

を生じた場合、当社は一切その責任を負いません。

５．ガリウムヒ素（GaAs）の安全性について対象製品：GaAs MMIC、フォトリフレクタ

ガリウムヒ素（GaAs）製品取り扱い上の注意事項この製品は、法令で指定された有害物のガリウムヒ素（GaAs）を使用しております。危険防止のため、製品を焼いたり、砕い

たり、化学処理を行い気体や粉末にしないでください。廃棄する場合は関連法規に従い、一般産業廃棄物や家庭ゴミとは混

ぜないでください。６．このデータシートに掲載されている製品の仕様等は、予告なく変更することがあります。ご使用にあたっては、納入仕様書の

取り交わしが必要です。

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