Lasery półprzewodnikowe kontra Lasery półprzewodnikowe kontra lasery argonowe.lasery argonowe.

Aneta Antczak Iwona Wieczorek

Laser argonowyLaser argonowy

Gazowo-jonowyMożliwość pracy w krótkofalowym zakresie

widmaGeneracja kilku linii widmowychDuże wzmocnienie (szczególnie dla linii:

488,514.5 i 476.5 nm)Parametry rury wyładowczej:

Prąd wyładowania łukowego (do 60A)Napięcie rzędu 300-600V

Zastosowanie:badanie zjawisk rozpraszania światłapompowanie laserów barwnikowych holografiamedycyna (okulistyka, mikroskopia)

Wady: trudności z technologią wykonania rury

wyładowczejduża moc wejściowa (od kilowata do kilu

kilowatów)

Laser półprzewodnikowyLaser półprzewodnikowyZalety: małe wymiary – średnie wymiary pojedynczego

emitera wynoszą 1x10x10 μm3; największa sprawności generacji dochodzącej do 70%

(lasery gazowe ≈ 0,1%, lasery ciała stałego ≈ 1%, lasery molekularne CO2 ≈ 30%);

prostoty zasilania ( ), gdzie: U- napięcie stałe źródła zasilania, hυ-energia; możliwości budowy wieloelementowych macierzy

emiterów (zasadnicza metoda powiększania mocy lub energii wyjściowej)

hU

e

Wady: asymetria wiązki (kąty rozbieżności wiązki w laserach

krawędziowych w płaszczyznach równoległych i prostopadłych nie są jednakowe)

stosunkowo silna zależność generowanej długości fali od temperatury

Budowa lasera półprzewodnikowegoBudowa lasera półprzewodnikowego

Sapphire – optycznie pompowany laser półprzewodnikowy.

Schematyczny przekrój poprzeczny lasera Schematyczny przekrój poprzeczny lasera półprzewodnikowegopółprzewodnikowego

Źródła

„Photonics spectra” (September 2003) E.Brunner, W.Radloff „Elektronika kwantowa”