Badania dyfrakcyjne cienkowarstwowych struktur pod k ątem ...Badania dyfrakcyjne cienkowarstwowych...

Badania dyfrakcyjne cienkowarstwowych struktur pod kątem zastosowań w elektronice spinowej

Jarosław Kanak

Katedra Elektroniki, WIEiT AGH

Seminarium WFiIS AGH, 25 I 2019NCN grant DEC-2012/05/E/ST7/00240

2

Laboratorium Badań Strukturalnych

W dniu 25 lipca 2013r. Laboratorium uzyskało akredytacjęz Certyfikatem Akredytacji Laboratorium Badawczego nr AB 1445

http://www.lbs.agh.edu.pl/

Seminarium WFiIS AGH, 25 I 2019

3

Plan prezentacji


• Układy Co/Pt z prostopadłą anizotropią magnetyczną

• Hybrydowe układy metal spinowo-orbitalny/ferromagnetyk do badań spinowego efektu Halla (Ta/CoFeB/MgO/Ta)

• Motywacja

• Magnetyczne złącza tunelowe (MTJ)

4

Spis publikacji


[1] J. Kanak , M. Czapkiewicz, T. Stobiecki, M. Kachel, I. Sveklo, A. Maziewski, and S. van Dijken, phys. stat. sol. (a), 204 (2007) 3950

[2] J. Kanak , T. Stobiecki, V. Drewello, J. Schmalhorst, and G. Reiss, phys. stat. sol. (a), 204 (2007) 3942

[3] J. Kanak , T. Stobiecki, A. Thomas, J. Schmalhorst, G. Reiss, Vacuum, 82 (2008) 1057

[4] J. Kanak , T. Stobiecki, S. van Dijken, IEEE Trans. Magn., 44 (2008) 238

[5] J. Cao, J. Kanak , T. Stobiecki, P. Wisniowski, and P.P. Freitas, Effect of Buffer Layer Texture on the Crystallization of CoFeB and on

the Tunnel Magnetoresistance in MgO Based Magnetic Tunnel Junctions, IEEE Trans Magn., 45 (2009) 3464,

[6] J. Kanak , P. Wiśniowski, T. Stobiecki, A. Zaleski, W. Powroźnik, S. Cardoso, P. Freitas, J. Appl. Phys. ( 2013) vol. 113, 023915,

[7] M. Cecot, J. Wrona, J. Kanak , S. Ziętek, W. Skowroński, A. Żywczak, M. Czapkiewicz, T. Stobiecki, IEEE Transactions on

Magnetism 51 (2015) 6101504

[8] M. Frankowski, A. Żywczak, M. Czapkiewicz, S. Ziętek, J. Kanak , M. Banasik, W. Powroźnik, W. Skowroński, J. Chęciński, J.

Wrona, H. Głowiński, J. Dubowik, J.-Ph. Ansermet, T. Stobiecki, J. Appl. Phys. 117, (2015) 223908,

[9] W. Skowroński, M. Cecot, J. Kanak , S. Ziętek, T. Stobiecki, L. Yao, S. van Dijken, T. Nozaki, K. Yakushiji, S. Yuasa, Appl. Phys.

Lett. 109 (2016) 062407,

[10] M. Cecot, Ł. Karwacki, W. Skowroński, J. Kanak , J. Wrona, A. Żywczak, L. Yao, S. Dijken, J. Barnaś, T. Stobiecki, Scientific

Reports 7, Article number: 968 (2017)

[11] P. Nawrocki, J. Kanak , M. Wójcik, T. Stobiecki,Co-59 NMR analysis of CoFeB-MgO based magnetic tunnel junction, Journal of

Alloys and Compounds. 741 (2018) 775-780

[12] W. Skowroński, Ł. Karwacki, S. Ziętek, J. Kanak , S. Łazarski, K. Grochot, T. Stobiecki, P. Kuświk, F. Stobiecki, and J. Barnaś,

Physical Review Applied, Accepted 15 January 2019

Motywacja

5

Everspin:1Gb STT-MRAM chip - grudzień 2018 (256Mb 2016)


Motywacja

6

10-5 10-4 10-3 10-2 10-1 100 10110-710-610-510-410-310-210-1100101102103104105

MTJ sizeMTJ sizeMTJ sizeMTJ size ((((µµµµmmmm

2222

))))

Samsung 2011

Avalanche 2010MagIC-IBM 2010

TSMC&Qualcomm 2009

Toshiba2008 MagIC-IBM 2008

IBM2003

Everspin2010

Everspin2010Hitachi&Tohoku 2010

SONY 2005

Grandis 2010

Everspin 2010

　　　　　　　

　　　　　　　　

Toshiba 2012

Writ

ing

ener

gy

(pJ/b

it

)

Writ

ing

ener

gy

(pJ/b

it

)

Writ

ing

ener

gy

(pJ/b

it

)

Writ

ing

ener

gy

(pJ/b

it

) MRAM(Øersted field)

Spin-transfer torque(STT) - RAM

Voltage effect

STT+voltage effect

MRAM

STT-RAM

Energy requiredfor data retention

(60 kBT)

Φ30nm Φ100nmΦ10nm

after T. Nozaki AIST


7

Magnetyczne złącze tunelowe (MTJ)


MR=(RAP-RP)/RP~ 1000%

Butler et al.PhysRev. B, 63 056614 (2001).

Mathon& Umerski, Phys. Rev. B 220403 (2001).

8

Zawór spinowy MTJ

M1

M2

RPRAP

Przełączanie zewnętrznym polem

Przełączanie prądem

W. Skowroński

warstwa swobodna

izolator

warstwa zamocowana

warstwy buforowe

antyferromagnetyk

podłoże


9

Tunelowa Magnetorezystancja (TMR)Ikeda, Appl. Phys. Lett. 93, 082508 (2008).

Próbki: J. Wrona, Singulus Timaris PVD Cluster Tool SystemTEM: L. Yao , S. Van Dijken, Aalto, Finland

MgO

CoFeB

CoFeBRu

CoFe


10

Magnetyczne złącze tunelowe (MTJ)

J. Kanak, et al. Vacuum 82 (2008)1057J. Kanak, et al. phys. stat. sol. (a) 204 (2007) 3942


Nanoszenie i strukturyzacja

11Seminarium WFiIS AGH, 25 I 2019

Leybold CLAB600 •sputter deposition•6 sources, 4", DC or RF mode•high vacuum•automatic sample handling•plasma oxidation chamber

University Bielefeld - Thin Films and Physics of Nanostructures

IrMn 12CoFeBMgO

CoFeB

Układy MTJ z barierą MgO


Si(100)SiO

Cu 25

Si(100)SiOTa 5

Cu 25

A B

J. Kanak, et al. Vacuum 82 (2008)1057J. Kanak, et al. phys. stat. sol. (a) 204 (2007) 3942

Ta 5

Cu 30Ta 3

Au 25

CoFeB

Układy MTJ z barierą Al-O i MgO


CoFeAlONiFe

MgOCoFeB

CoFeAlONiFe

CoFeBMgO

CoFeB

Si(100)SiO

Cu 25

Si(100)SiOTa 5

Cu 25

A

B

Układy PSV i EB-SV na buforze Ru

14

RMS 0.07 nm RMS 0.21 nm RMS 0.13 nm

J. Kanak, et al. J. Appl. Phys. 113, (2013) 023915

SubstrateTa 5

SubstrateTa 5

Ru 18

SubstrateTa 5

Ru 18

Ta 3

(a) (b) (c)

Bufor Ru


Substrate glass

Ta 5

Ru 18

Ta 3

CoFeBt

MgO t

CoFeBt

Ru 5

Ta 5

Substrate glass

Ta 5

Ru 18

Ta 3

PtMn 20, 16

CoFe2Ru 0.9

CoFeBt

MgO t

CoFeBt

Ru 5

Ta 5

EB-SV P-SV

warstwy buforowe

elektrody

INESC MN

Analiza XRR - bufor Ru

15

1 2 3 4 510-1

100

101

102

103

104

105

106

Inte

nsity

(co

unts

)

ω (°)

Ta 5 fit

1 2 3 4 510-1

100

101

102

103

104

105

106

Inte

nsity

ω (°)

Ta 5/Ru 18 fit

1 2 3 4 510-1

100

101

102

103

104

105

106

Inte

nsity

ω (°)

Ta 5/Ru 18/Ta 3 fit

Layer Thickness Roughness/ Interdiffusion

Ta 5.46 0.74

Ru 23.09 0.51


Ta 5.62 0.88 Ru 18.06 0.70 Ta 1.99 0.39

Ta-O 2.05 0.39

Roughness Interdiffusion


Ta 4.49 0.36

Ta-O 1.84 0.36


Symulacje profili XRD

16

z

i

k

j

2

1 1 1

,,,,,,,, )

sin4exp(

)()()()(

∑∑∑= = =

⋅

=I

i

K

k

J

j

kjikjikjikji

i k zitf

GLCPI

λθπ

σ

θθθθ


Symulacje profili XRD

17

J. Kanak, et al. J. Appl. Phys. 113, (2013) 023915

Sample

Ru 18 nm PtMn 20 nm CoFeB 15 nm

D

[nm]

texture

coeff.

D

[nm]

texture

coeff.

D

[nm]

texture

coeff.

PSV 16 1 - - 7 0.16

EB-SV 16 1 12 0.56 6 0.12


Nanoszenie - system przemysłowy


Optymalizacja struktury bufora

Ta 5 nm

CuN 50 nm

Ta 5 nm

CuN 50 nm

Ta 3 nm

Ru 20 nm

PtMn 16 nm

Co70Fe30 2 nm

Ru 0.9 nm

CoFeB 2.5 nm

MgO (0.65-1.1) nm

CoFeB 2.5 nm

Ru 5 nm

SiO2

Si

Ta 5 nm

Ta 3 nm

PtMn 16 nm

Co70Fe30 2 nm

Ru 0.9 nm

CoFeB 2.5 nm

MgO (0.65-1.1) nm

CoFeB 2.5 nm

Ru 5 nm

SiO2

Sipodłoże

warstwybuforowe

warstwy aktywne

warstwa przykrywająca

19

Potrzeba zastosowania bufora o odpowiedniej grubości - dolna elektroda


Optymalizacja struktury bufora

20

30 40 50 60 70 80 90 100

- C

u(22

2)

PtM

n(31

1)

Cu(

111)

- P

tMn(

110)

- P

tMn(

222)

- C

u(20

0)

PtM

n(11

1)

bufor/PtMn/CoFe/Ru/CoFeB/MgO/CoFeB/Ru

Log

inte

nsity

(ar

b. u

nits

)

- R

u(00

04)

- T

a(22

0)

- R

u(00

02) bufor:

Ta/CuN/Ta/CuN/Ta Ta/Ru/Ta

2θ (°)

- T

a(11

0)

Próbki wygrzane: 350 °C, 2 godziny

30 40 50 60 70 80 90 100

- C

uN(2

22)

CuN

(111

)

- P

tMn(

222)

- C

uN(2

00)

PtM

n(11

1)

bufor/PtMn/CoFe/Ru/CoFeB/MgO/CoFeB/Ru

Log

inte

nsity

(ar

b. u

nits

)

- R

u(00

04)

- T

a(22

0)

- R

u(00

02) bufor:


2θ (°)

- T

a(11

0)Próbki niewygrzane

PtMn fct (tetragonal)

PtMn fcc (cubic)

20

40

60

80PtMn[111] - 39.79

20

40

60

80PtMn[200] - 46.27

20

40

60

80PtMn[111]h - 40.3

20

40

60

80PtMn[002]h - 49.575


Przejście do stanu antyferromagnetycznego

Pomiary XRR, AFM

21

1 2 3 4 5

Log

inte

nsity

(ar

b. u

nits

)

ω (°)

2137 5 Ta 2133 5 Ta/50 CuN/3 Ta/50 CuN/3 Ta 2141 5 Ta / 20 Ru / 3 Ta

interfejs Ta/Ru

interfejs Ta/CuN


Wpływ bufora na sprzężenia

22

-5000 -4000 -3000 -2000 -1000 0 1000 2000 3000 4000 5000

-1.0

-0.5

0.0

0.5

1.0

0.68 nm MgO 0.75 nm MgO 0.79 nm MgO 0.84 nm MgO 0.89 nm MgO 1.00 nm MgO

M

[a.u

.]

H [Oe]

-5000 -4000 -3000 -2000 -1000 0 1000 2000 3000 4000 5000

-1.0

-0.5

0.0

0.5

1.0


M [a

.u.]

H [Oe]

-100 0 100 200 300 400 500


M [a

.u.]

H [Oe]

-100 0 100 200 300 400 500


M

[em

u]

H [Oe]

0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.11

10

100

1000


H IE

C[O

e]

t MgO [nm]

HIEC

−

−−×

−−=λ

πλ

πλ

πλ

π SPF

F

PS

ttt

t

MhH

22exp

22exp1

22exp1

2

22

Interlayer Exchange Coupling


Optymalizacja bariery MgO

23

39 40 41 42 43 44 45

10

20

30

40

50In

tens

ity [c

ount

s]

2 θ [°]

1mTorr 2mTorr 3.8mTorr 5.6mTorr 7.5mTorr 15mTorr

10 15 20 25 30

20

40

60

80

Inte

nsity

[cou

nts]

ω [°]


1 2 3.8 5.6 7.5 155.56.06.57.07.58.0

Ar pressure [mTorr]

FW

HM

[°]

XRD θ-2θ XRD rocking curve

Si (001)Si-OTa 5

CuN 50

Ta 5

CuN 50

Ta 3

PtMn 16

Ru 0.9

CoFe 2

CoFeB 2.3

MgO 5

CoFeB 2.3

Ta 10

CuN 30

Ru 7

Wygrzewanie – 3600C, 2h pole 1T

6

7

8

1 2 3.8 5.6 7.5 152.124

2.128

2.132

2.136

High pressure

FW

HM

[°]

(a)Low pressure

Ar pressure [mTorr]

Inte

rpl.

dist

. [Å

]

(b)

J Wrona, J Kanak, et al., Journal of Physics: Conference Series, 200, (2010) 052032


Optymalizacja bariery MgO

24

Si (001)Si-OTa 5

CuN 50

Ta 5

CuN 50

Ta 3

PtMn 16Ru 0.9CoFe 2

CoFeB 2.3MgO klinCoFeB 2.3

Ta 10CuN 30

Ru 7

0.6 0.7 0.8 0.9 1.00

40

80

120

160

200

240

TM

R [%

]

tMgO

[nm]


0.6 0.7 0.8 0.9 1.0

1

10

RA

[Ω(µ

m)2 ]

tMgO

[nm]


0.6 0.7 0.8 0.9 1.0

10

100

IEC

fiel

d [O

e]

tMgO

[nm]

1mTorr 2mTorr 3.8mTorr

Low pressure

5.6mTorr 7.5mTorr 15mTorr

High pressure

Bufor CuN

klin MgO

0.7 nm 1 nm


Układy Co/Pt z antyferromagnetykiem


Pt 2 nmIrMn 10 nm

CoPt 2 nm

CoPt 2 nm

CoPt 2 nm

CoPt 2 nm

CoPt 2 nm

Co

IrMn 10 nm

Pt 2 nm

AF

AF

topbottom

J. Kanak, et al. IEEE Trans. Magn., 44 (2008) 238

Si

SiO

Ta 5 nm

Cu 10 nm

Si

SiO

Ta 5 nm

Si

SiO

Ta 5nm

Si

SiO

Si

SiO

Ta 5 nm

Si

SiOPt 2 nm

Cu 10 nm Cu 10 nm

Pt 10 nm

Ta 5 nm Ta 5nm

Cu 10 nm

Pt 2 nm

Si

SiO

Cu 10 nm

A B C D E F G

Co 0.5, 0.7 nm

100nm 100nm

RMS = 0.55 nm RMS = 0.81 nm

100nm

RMS = 0.22 nm

IrMn 10 nm

Co 0.5 nmPt 2 nm

Co 0.5 nmPt 2 nm

Co 0.5 nmPt 2 nm

1 2 3 4 510-1

100

101

102

103

104

105

106

Inte

nsity

ω [O]

Bottom Pt2 #487 #487 fit #487@250 #487@250 fit

Układy Co/Pt z antyferromagnetykiem


Pt 2 nmCo

Pt 2 nmCo

Pt 2 nm

Supersieć Co/Pt


CoPt 2 nm

CoPt 2 nm

CoPt 2 nm

SiSiO

Ta 5 nm

Cu 10 nm

SiSiO

Ta 5 nm

SiSiO

Ta 5nm

Cu 10 nm Cu 10 nm

Ta 5 nm Ta 5nm

Cu 10 nm

SiSiO

Cu 10 nm

A B C D

J. Kanak, et al. phys. stat. sol. (a), 204 (2007) 3950

Układy Co/Pt z prostopadłą anizotropią


J. Kanak, et al. phys. stat. sol. (a), 204 (2007) 3950

Spinowy efekt Halla

29

• Spinowo spolaryzowany prąd w metalach ciężkich - oddziaływanie spin-orbita• Materiał ferromagnetyczny Fe, Co, CoFeB• Materiały: ciężki metal - Ta, W, Pt,

K. Ando, et al., J. Appl. Phys. 109, 103913 (2011)

Spinowy kąt Halla θSH stosunek prądu spinowego do prądu ładunkowego:


Ta/CoFeB – badania strukturalne

30

Ta x nmSiO2

Si

Wygrzewanie: 330 °C, 20 minBufory: Ta 5 nm, 10 nm, 15 nm

Ta x nmSiO2

Si

30 35 40 45 50

400

600

800

1000

1200

1400 Si/SiO/Ta/

Inte

nsity

[a.u

.]

2θ (°)

Si/SiO substrate Ta 5 nm Ta 10 nm Ta 15 nm

θ-2θ

30 35 40 45 50200

400

600

800

1000

1200

1400Si/SiO/Ta/CFB/MgO/Taθ-2θ

Inte

nsity

[a.u

.]

2θ (°)

Si/SiO substrate Ta 5 nm Ta 10 nm Ta 15 nm

20 40 60 80 100 12010

100

1000

10000

100000

Si (

006)

Si (

004)

2θ

15 nm Ta

coun

ts Si (

002)


Analiza pomiarów XRD

31

200400600800

100012001400

200400600800

100012001400

30 32 34 36 38 40 42 44 46 48 50200400600800

100012001400

Si (

002)

MgO

(00

2)

Ta 5 nmSi/SiO/Ta/CFB/MgO/Taθ-2θ

Inte

nsity

[a.u

.]

Si (

002)

MgO

(00

2)

Ta 10 nm

Inte

nsity

[a.u

.]

Ta

(002

)

Ta

(410

)

Ta

(330

)T

a (2

02)

Ta

(212

)T

a (4

11)

Ta

(331

)

Ta

(312

)

Si (

002)

MgO

(00

2)

Ta 15 nm

Inte

nsity

[a.u

.]

2θ (°)

Ta

(002

)

Ta

(410

)

Ta

(330

)T

a (2

02)

Ta

(212

)T

a (4

11)

Ta

(331

) Ta

(312

)

200400600800

100012001400

200400600800

100012001400

30 32 34 36 38 40 42 44 46 48 50200400600800

100012001400

Si (

002)

MgO

(00

2)

Ta 5 nmSi/SiO/Ta/CFB/MgO/Taθ-2θ

Inte

nsity

[a.u

.]

Si (

002)

MgO

(00

2)

Ta 10 nm

Inte

nsity

[a.u

.]

Ta

(002

)

Ta

(410

)

Ta

(330

)T

a (2

02)

Ta

(212

)T

a (4

11)

Ta

(331

)

Ta

(312

)

Si (

002)

MgO

(00

2)

Ta 15 nm

Inte

nsity

[a.u

.]

2θ (°)

Ta

(002

)

Ta

(410

)

Ta

(330

)T

a (2

02)

Ta

(212

)T

a (4

11)

Ta

(331

) Ta

(312

)

200

400

600

800

1000

1200

200

400

600

800

1000

1200

30 32 34 36 38 40 42 44 46 48 50

200

400

600

800

1000

1200

Ta 5 nm

Inte

nsity

[a.u

.]

Ta

(312

)

Ta

(331

)

Ta

(411

)T

a (2

12)

Ta

(202

)

Ta

(330

)

Ta

(410

)

Ta 10 nm

Inte

nsity

[a.u

.]

Si/SiO/Ta x/CFB/MgO/TaGID@ω = 1°

Ta

(002

)

Ta 15 nm

Inte

nsity

[a.u

.]

2θ (°)

Ta

(002

)

Ta

(410

)

Ta

(330

)

Ta

(202

)T

a (2

12) T

a (4

11)

Ta

(331

)

Ta

(312

)

200

400

600

800

1000

1200

200

400

600

800

1000

1200

30 32 34 36 38 40 42 44 46 48 50

200

400

600

800

1000

1200

Ta 5 nm

Inte

nsity

[a.u

.]

Ta

(312

)

Ta

(331

)

Ta

(411

)T

a (2

12)

Ta

(202

)

Ta

(330

)

Ta

(410

)

Ta 10 nm

Inte

nsity

[a.u

.]

Si/SiO/Ta x/CFB/MgO/TaGID@ω = 1°

Ta

(002

)

Ta 15 nm

Inte

nsity

[a.u

.]

2θ (°)

Ta

(002

)

Ta

(410

)

Ta

(330

)

Ta

(202

)T

a (2

12) T

a (4

11)

Ta

(331

)

Ta

(312

)

θ-2θ GID (grazing incidence diffraction)

M. Cecot, J. Kanak, et al., Scientific Reports 7, Article number: 968 (2017)


Struktura warstwy Ta

32

Ta 5 nm

SiO2

Si

RMS = 0. 23 nm

Ta 10 nm

SiO2

Si

RMS = 0. 26 nm

RMS = 0. 29 nm

Ta 15 nm

SiO2

Si


Badanie interfejsu Ta/CoFeB

33

1E+02

1E+04

1E+06

1E+08

1E+02

1E+04

1E+06

1E+08

1 2 3 4 5

1E+02

1E+04

1E+06

1E+08

simulation

5 Ta

a)

simulation

Cou

nts

[a.u

.] 10Ta

b)

simulation

ω (°)

15Ta

c)

0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.00.30

0.35

0.40

0.45

0.50

0.55

0.60

0.65

0.70as deposited Ta 5 nm

Ta 10 nm Ta 15 nm

annealed Ta 5 nm Ta 10 nm Ta 15 nm

Rou

ghne

ss R

MS

[nm

]

CFB thickness [nm]

Ta 5 nm

SiO2

Si

RMS = 0.57 nm

RMS = 0.53 nm

RMS = 0.51 nm

CoFeB 1 nm

MgO 5 nm

Ta 5 nm

Ta 10 nm

SiO2

Si

CoFeB 1 nm

MgO 5 nm

Ta 5 nm

Ta 15 nm

SiO2

Si

CoFeB 1 nm

MgO 5 nm

Ta 5 nm

RMS = 0.22 nm

RMS = 0.23 nm

RMS = 0.23 nm


Kąt Halla, MDL


0

1

2

3

0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.00

1

2

3

0

1

2

3

4

10Ta as deposited 10Ta annealed

b)

15Ta as deposited15Ta annealed

CoFeB thickness [nm]

c)


M/A

[em

u/cm

2 ] x 1

0-4

a)

0

1

2

3

0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.00

1

2

3

0

1

2

3

4


b)

15Ta as deposited15Ta annealed

CoFeB thickness [nm]

c)


M/A

[em

u/cm

2 ] x 1

0-4

a)

5 10 150.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

As deposited

DL

[nm

]

Ta [nm]

Annealed

Warstwa magnetycznie martwa

M. Cecot, J. Kanak, et al., Scientific Reports 7, Article number: 968 (2017)

Ta/CoFeB/MgO

35

Podsumowanie


• W pracy przebadano szeroką gamę materiałów stosowanych w elektronice spinowej

• Wykazano, że dobór materiałów, sposób nanoszenia oraz struktura warstwowa ma ogromny wpływ na własności mikrostrukturalne

• Pokazano wpływ struktury na międzywarstwowe sprzężenia magnetyczne i charakterystyki przełączania

Podziękowania

36

Katedra Elektroniki, AGH:• Monika Cecot• Witold Skowroński• Sławomir Ziętek• Tomasz Stobiecki• Maciej Czapkiewicz• Wiesłw Powroźnik• Piotr Wiśniowski• Marek Frankowski• Stanisław Łazarski• Krzysztof Grochot

• Antoni Żywczak – ACMiN, AGH• Jerzy Wrona – Singulus Technologies, Niemcy• S. van Dijken, L. Yao - Nanomagnetism and spintronics, Uniwersytet Aalto, Finlandia


NCN grant DEC-2012/05/E/ST7/00240 - Struktura krystaliczna, modele oraz własności magnetoelektryczne układów wielowarstwowych nanoelektroniki spinowej

37

Dziękuję za uwagę


Badania dyfrakcyjne cienkowarstwowych struktur pod k ątem ...Badania dyfrakcyjne cienkowarstwowych...

Documents

Transcript of Badania dyfrakcyjne cienkowarstwowych struktur pod k ątem ...Badania dyfrakcyjne cienkowarstwowych...