DiodyDioda prostownicza:

Parametry charakterystyczne: - Napicie przewodzenia UF przy okrelonym prdzie przewodzenia IF lub max prdzie wyprostowania I0 - prd wsteczny IR przy szczytowym napiciu wstecznym pracy URWM Parametry graniczne: - max rednia prdu przewodzenia I0 - powtarzalny szczytowy prd przewodzenia IFRM - niepowtarzalny szczytowy prd przewodzenia IFSM - szczytowe napicie wsteczne pracy URWM - powtarzalne szczytowe napicie wsteczne URSM

Diody uniwersalne:

Napicie progowe: - dioda germanowa 0,2-0,3 V - dioda krzemowa 0,6-0,7 V Parametry statyczne: - napicie przewodzenia UF przy okrelonym prdzie przewodzenia IF - prd wsteczny IR przy okrelonym napiciu wstecznym UR Parametry dynamiczne: - pojemnod diody przy okrelonej czstotliwoci i okrelonym napiciu wstecznym - sprawnod detekcji (stosunek mocy sygnau zdemodulowanego do mocy sygnau wejciowego) Parametry graniczne: - max stay prd przewodzenia IFmax - max szczytowy prd przewodzenia IFMmax - max stae napicie wsteczne URmax - max szczytowe napicie wsteczne URMmax Stosuje si w ukadach odbiornikw AM i FM

Diody Zenera (stablilizacyjna):

Przebicie lawinowe UZ>7V (zcza sabo domieszkowe) Przebicie Zenera UZ UBE pracuje w obszarze aktywnym. Ten zakres pracy charakteryzuje si natomiast niemal sta wartoci prdu kolektora, ktra jest proporcjonalna do artoci prdu bazy (7C = P0/B) bdcego na wykresie parametrem. Przyczyn pewnego nachylenia charakterystyk w tym zakresie jest wystpowanie zjawiska Early'ego. Wzrost wartoci napicia UCE zmieniajc efektywn grubo bazy zwiksza gradient koncentracji nonikw w bazie, zwikszajc tym samym skadow dyfuzyjn prdu bazy, a nastpnie zwikszajc warto prdu kolektora. Charakterystyka przejciowa. Charakterystyka ta w przyblieniu jest liniowa, jdy Ic = (30/B. Napicie UCE wpywa na t zaleno przez zmian efektywnej gruboci bazy (podobnie jak w przypadku charakterystyki wejciowej).

Charakterystyka zwrotna. Gdyby charakterystyka ta bya lini prost rwnoleg do osi UCE, mona by mwi o braku wpywu napicia UCE na UBE oddziaywanie zwrotne z wyjcia na wejcie tranzystora). Fakt istnienia tego oddziaywania jest zjawiskiem negatywnym. Mwi si, e tranzystor w pewnych warunkach jest przezroczysty". Na skutek modulacji efektywnej gruboci bazy istnieje (cho niewielkie) oddziaywanie zwrotne w tranzystorze. Prd bazy jest parametrem charakterystyki zwrotnej. Przy wzrocie napicia UCE a wic i UBE) i zmniejszaniu si efektywnej gruboci bazy oraz, co za tym idzie, zmniejszaniu iloci rekombinujcych nonikw w zmniejszonej objtoci bazy stanowicych skadow prdu bazy, prd bazy ma tendencj malejc. Aby zachowa warto parametru IB = const, musi nastpi wzrost UBE celem zwikszenia iloci wstrzykiwanych nonikw. Aby prd rekombinacji by ten sam w mniejszej objtoci bazy, musi wpywa ich wicej. Std istnieje pewne pochylenie charakterystyki zwrotnej. Ograniczenia obszaru pracy tranzystora

Parametry statyczne wpywajce na ograniczenia obszaru pracy aktywnej tranzystora: - maksymalna moc admisyjna Pa (Moc admisyjna okrela maksymaln warto iloczynu prdu kolektora IC i napicia kolektor-emiter UCE, przy ktrym tranzystor moe pracowa w sposb dugotrway) - max prd kolektora ICmax (Prd maksymalny ICmax jest ograniczeniem wynikajcym czsto nie z nadmiernej iloci ciepa wydzielanego w tranzystorze, lecz ze zmian wspczynnika wzmocnienia prdowego ) - max napicie kolektora emiter UCEmax - prd zerowy ICE0 (Prd zerowy ICE0 jest to prd w obwodzie emiter-kolek-tor przy prdzie bazy IB = 0. Zwizek tego prdu ze znanym ju prdem ) - napicie nasycenia UCEsat Ograniczenia czstotliwociowe tranzystora: Sam tranzystor nie ma ograniczeo w przenoszeniu sygnau w dolnym zakresie czstotliwoci. Ograniczenia spowodowane s stosowaniem kondensatorw sprzgajcych w ukadach wzmacniaczy.