PODANIE - info.ifpan.edu.plinfo.ifpan.edu.pl/MIME/Materialy/Patenty/7_zgloszenie_patentowe.pdf ·...

INSTY111f ':ECHNJLG\i!l ELEKTRONOWEJ 02-668 vVa'szawa, AI. Lotnikow 32/46 000038971 Nr . Miejsce na piecz<ttktr zglaszaj<tcego Znak DNIMPI19/2010 . Data zgl. Int. Cl. "', . ".~~," ':" , .. \- . ,.-,., ',.,' . ',.. b:R~CZONO OSOe/Se/f: podpis czlonka Komisji Klasyfik. podpis przewod. Komisji Klasyfik. f • (wypelnia Ul7ll.dPatentow-y) URZf\D PATENTOWY RZECZYPOSPOLITEJ POLSKIEJ 00-950 WARSZA WA, AI. Niepodleg!osei 188/192 Skr. poezt. 203 PODANIE ••.••• ,r ZGLA'S'ZAjACY I) Instytut Technologii Elektronowej (podac kolejno: nazwisko i imic; tub nazwc; oraz adres) 02-668 Warszawa AI. Lotnikow 32/46 NIP Numer ewideneyjny PESEL * Numer identyfikaeyjny REGON* 5250009111 . 000038971 PELNOMOCNIK 2) _ .•••.••••.••...........•..•••••••.•••..•..•.••••............................... (nazwisko i imic; oraz adres pelnomocnika) Wnosz~ (wnosimy) 0 udzielenie 3): patentu na wynalazek' pra' •••• a OCnroRRego Ra ';',''lOr UZ)1ko 1 N),A dodatlmwego do' pod tytulem: Struktura p61przewodnikowa z reaktywn~ barier~ antykorozyjn~ oraz spos6b wytwarzania reaktywnej bariery antykorozyjnej (podac tytul wynalazku lub wzoru uiytkowego) Oswiadezenie 0 korzystaniu z pierwszenstwa 4): Data zgloszenia Kraj zgloszenia Numer zgloszenia (data wystawienia) (miejsce i kraj wystawy) (nazwa wystawy) TWORCA(Y) WYNALAZKU (WZORU UZYTKO\VEGO) 1. Eliana Kaminska zam. 00-743 Warszawa ul. Nabielaka 13 m 6 (nazwisko i imic; oraz adres) 2. Anna Piotrowska zam. 01-031 Warszawa ul. Narbutta 9 m 4 3. Michal Borysiewicz zam. 00-391 Warszawa AI. 3 Maja 2 m 71 4. Iwona Pasternak za~. 02-698 Warszawa ul. Niegocinska 14/125 'J niepotrzebne skreslic

Upload
others
Category

Documents
view
2
download
0

Embed Size (px):

Transcript of PODANIE - info.ifpan.edu.plinfo.ifpan.edu.pl/MIME/Materialy/Patenty/7_zgloszenie_patentowe.pdf ·...

$Page 1: PODANIE - info.ifpan.edu.plinfo.ifpan.edu.pl/MIME/Materialy/Patenty/7_zgloszenie_patentowe.pdf · INSTY111f ':ECHNJLG\i!l ELEKTRONOWEJ 02-668 vVa'szawa, AI. Lotnikow 32/46 000038971$

INSTY111f ':ECHNJLG\i!l ELEKTRONOWEJ02-668 vVa'szawa, AI. Lotnikow 32/46

000038971Nr .

Miejsce na piecz<ttktr zglaszaj<tcego

Znak DNIMPI19/2010 .

Data zgl.

Int. Cl.

"', .".~~," ':" ,.. \- .,.-,., ',.,' . ',.. b:R~CZONO OSOe/Se/f:

podpis czlonkaKomisji Klasyfik.

podpis przewod.Komisji Klasyfik.

f •

(wypelnia Ul7ll.dPatentow-y)

URZf\D PATENTOWYRZECZYPOSPOLITEJ POLSKIEJ00-950 WARSZA WA,AI. Niepodleg!osei 188/192Skr. poezt. 203

PODANIE••.••• ,r

ZGLA'S'ZAjACY I) Instytut Technologii Elektronowej(podac kolejno: nazwisko i imic; tub nazwc; oraz adres)

02-668 Warszawa AI. Lotnikow 32/46

NIP

Numer ewideneyjny PESEL *

Numer identyfikaeyjny REGON*

5250009111 .

000038971

PELNOMOCNIK 2) _ .•••.••••.••...........•..•••••••.•••..•..•.••••...............................

(nazwisko i imic; oraz adres pelnomocnika)

Wnosz~ (wnosimy) 0 udzielenie 3): patentu na wynalazek' pra' ••••a OCnroRRego Ra ';',''lOr UZ)1ko1N),A

dodatlmwego do' pod tytulem: Struktura p61przewodnikowa z reaktywn~ barier~ antykorozyjn~oraz spos6b wytwarzania reaktywnej bariery antykorozyjnej

(podac tytul wynalazku lub wzoru uiytkowego)

Oswiadezenie 0 korzystaniu z pierwszenstwa 4):

Data zgloszenia Kraj zgloszenia Numer zgloszenia(data wystawienia) (miejsce i kraj wystawy) (nazwa wystawy)

TWORCA(Y) WYNALAZKU (WZORU UZYTKO\VEGO)

1. Eliana Kaminska zam. 00-743 Warszawa ul. Nabielaka 13 m 6(nazwisko i imic; oraz adres)

2. Anna Piotrowska zam. 01-031 Warszawa ul. Narbutta 9 m 4

3. Michal Borysiewicz zam. 00-391 Warszawa AI. 3 Maja 2 m 71

4. Iwona Pasternak za~. 02-698 Warszawa ul. Niegocinska 14/125

'J niepotrzebne skreslic

$Page 2: PODANIE - info.ifpan.edu.plinfo.ifpan.edu.pl/MIME/Materialy/Patenty/7_zgloszenie_patentowe.pdf · INSTY111f ':ECHNJLG\i!l ELEKTRONOWEJ 02-668 vVa'szawa, AI. Lotnikow 32/46 000038971$

Warszawa,2010-12-22URZJ\D PATENTOWYRZECZYPOSPOLITEJ POLSKIEJKancelaria OgolnaAI. Niepodleglosci 188/19200-950 Warszawaskr. poczt. 203

BA-IIP .393392/Potw.l/iberINSTYTUT TECHNOLOGIIELEKTRONOWEJrzecz. pat. Magdalena JungAI. Lotnik6w 32/4602-668 Warszawa

Nasz znak: BA-IIP.393392/Potw.l/iberWasz znak: DN/MP/l9/20l0

POTWIERDZENIE

Urz'ld Patentowy RP stwierdza, ze dnia 2010-12-21 przyj~to wniosek 0 udzielenie patentu na wynalazek pt.:

Struktura polprzewodnikowa z reaktywn~ barier~ antykorozyjn~ oraz sposob wytwarzaniareaktywnej bariery antykorozyjnej

Zgloszenie oznaczono numerern P.393392

[WIPO ST lOIC PL393392]

Zglaszaj'l.cy: INSTYTUT TECHNOLOGII ELEKTRONOWEJ, Warszawa, Polska

Pouczenie:

1. Strony oraz ich przedstawicie1e i pelnornocnicy rnaj'l. obowi¥ek zawiadorni6 Urz'l.d 0 kazdej zmianieswojego adresu. W razie zaniedbania tego obowi'l.zku dor~czenie pisrna pod dotychczasowym adresem rnaskutek prawny (art. 41 kpa).2. W korespondencji na1ei:y powolywa6 si~ na nr P.393392.

PODRE

Irena B