Elementy Elektroniczne

Elementy ElektroniczneElementy Elektroniczne

TRANZYSTOR BIPOLARNYn-p-n

KOLEKTOR

EMITER

KOLEKTOR

EMITER

Dr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl)

Elementy ElektroniczneElementy ElektroniczneTRANZYSTOR BIPOLARNY

Nośniki mniejszościowe

np0 pn0

Prąd nasycenia

Prąd płynący przez złącze p-n spolaryzowane w kierunku zaporowym

zależy od koncentracji nośników mniejszościowych po obu stronach złącza

pDqAI 00

P nnp0

pn0 EWzrost koncentracji

nośników mniejszościowych skutkuje wzrostem wartości prądu

nasycenia

Jak zwiększyć koncentrację nośników mniejszościowych docierających do

obszaru złącza p-n?1. Poprzez wywołanie zjawiska generacji par

elektron dziura2. Poprzez „dobudowanie”, spolaryzowanego

w kierunku przewodzenia, złącza p-n

P nhfhfhfhf

Generacja par elektron-dziura

np>np0

np0P n

np>np0n

emiter baza kolektorE B C

(KOLEKTOR)

(EMITER)

(BAZA) np

(KOLEKTOR)

(EMITER)

(BAZA)

Elementy ElektroniczneElementy ElektroniczneTR. BIPOLAR.– ZASADA DZIAŁANIA (BEZDRYFTOWY)

złącze E-B złącze B-C

Elementy ElektroniczneElementy ElektroniczneTR. BIPOLAR.– ZASADA DZIAŁANIA (DRYFTOWY)

Elementy ElektroniczneElementy ElektroniczneTRANZYSTOR BIPOLARNY– ZASADA DZIAŁANIA

1. Złącze E-B, spolaryzowane w kierunku przewodzenia, wprowadza do obszaru bazy nośniki mniejszościowe

2. Nośniki te dyfundują, poprzez bazę, w tranzystorze bezdryftowym, lub są unoszone w tranzystorze dryftowym

3. Po dotarciu do, spolaryzowanego w kierunku zaporowym, złącza B-C, nośniki są unoszone przez obszar złącza

UfIIIUfI

Napięcie baza-emiter (UBE )

steruje prądem kolektora ( IC)

TRANZYSTOR BIPOLARNYWZMACNIACZ

Elementy ElektroniczneElementy ElektroniczneTRANZYSTOR BIPOLARNY – WZMACNIACZ

„Wzmacniacz jest przyrządem umożliwiającym sterowanie większej mocy

– mniejszą”Do uzyskania efektu wzmocnienia konieczne

są dwie rzeczy:- źródło energii, - przyrząd do sterowania przepływu tej

energii „wzmacniacz”

Załóżmy, że spolaryzowane w kierunku przewodzenia złącze EMITER-BAZA jest reprezentowane przez rezystor o wartości

Wartość prądu:

AVRUIE 1.0

Rozpraszana moc:

WWRIP 11000122

0.1A10V

Załóżmy, że spolaryzowane w kierunku zaporowym złącze BAZA-KOLEKTOR jest reprezentowane przez rezystor o

wartości 10kΩ

Wartość prądu:

AII EC 1.0Rozpraszana moc:

WWRIP 100100000122

W rezultacie, tracąc 1W mocy tranzystor pozwala na sterowanie sygnałem o mocy 100W

100W1W

emiter baza kolektor

W rzeczywistości, część nośników (elektronów) rekombinuje z dziurami w obszarze bazy, co, ze względu na neutralność elektryczną obszaru bazy, wymusza dopływ

niewielkiego prądu dziurowego do bazy

IIIIII

Strumień elektronów

Strumień dziur

Elementy ElektroniczneElementy ElektroniczneTRANZYSTOR BIPOLARNY-ZALEŻNOŚCI

IIIIIIIII

Elementy ElektroniczneElementy ElektroniczneTRANZYSTOR BIPOLARNY- DEFINICJE

PARAMETRÓW

Wzmocnienie prądowe (dla prądu stałego) – parametr βDC

Stosunek prądu kolektora do prądu emitera (dla prądu stałego)

– parametr αDC

2002021

99.095.0

TRANZYSTOR BIPOLARNY

WYKRESY PASMOWE

Elementy ElektroniczneElementy ElektroniczneTRANZYSTOR BIPOLARNY- WYKRES PASMOWY

n nPUE UC

n nPWFWC

Wi qUE

UKŁADY POLARYZACJI

(WSPÓLNA BAZA)

Elementy ElektroniczneElementy ElektroniczneDr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl)

TRANZYSTOR BIPOLARNY – UKŁADY POLARYZACJI

UE< UB< UC

UE> UB> UC

PRZEPŁYW STRUMIENIA NOŚNIKÓW PRZEZ

TRANZYSTOR BIPOLARNY – PRZEPŁYW STRUMIENIA NOSNIKÓW PRZEZ STRUKTURĘ TRANZYSTORA

100% 92%÷98%

2%÷8%

Strumień elektronów

UKŁADY POLARYZACJI

(WSPÓLNY EMITER)

TRANZYSTOR BIPOLARNY – PRZEPŁYW STRUMIENIA NOSNIKÓW PRZEZ STRUKTURĘ TRANZYSTORA

2%÷8%

iter ba

92%÷98%

TRANZYSTOR BIPOLARNY – STANY PRACY

Ponieważ każde złącze może być polaryzowane na dwa sposoby:

Złącze B-E(kier.przewodzenia) UBE(+)

Złącze B-E(kierunek zaporowy) UBE(-)

Złącze B-C(kier.przewodzenia) UBC(+)

Złącze B-C(kierunek zaporowy) UBE(-)

istnieją cztery stany pracy tranzystora

TRANZYSTOR BIPOLARNY – STANY PRACY

przewodzenie

zaporowy

(+)UBC

(-)UBC

(+)UBE(-)UBE

aktywny normalny

aktywny inwersyjny nasycenia

zatkania

CZWÓRNIK

TRANZYSTOR BIPOLARNY – CZWÓRNIK NIELINIOWY

CZWÓRNIK NIELINIOWY

Równania impedancyjne

IIfUIIfU

Równania admitancyjne

,,UUfIUUfI

CZWÓRNIK NIELINIOWYU1 U2

Równania mieszane

,,UIfIUIfU

TRANZYSTOR BIPOLARNY – CHARAKTERYSTKI

CHARAKTERYSTYKI

układ WB

TRANZYSTOR BIPOLARNY – CHARAKTERYSTYKI

Charakterystyka wejściowa

,,UIfIUIfU

constUEEBconstU CBIfUIfU

I1=IE I2=IC

U1=UEB U2=UCB

TRANZYSTOR BIPOLARNY – CHARAKTERYSTYKI (WB)

0.3 0.6

-IE [mA]

UEB [V]

-UCB=0UCB=5WEJŚCIOWACharakterystyka

wejściowa:

podobna kształtem do charakterystyki złącza p-n spolaryzowanego w kierunku przewodzenia

UEB=f(IE) dla UCB=const

Charakterystyka wyjściowa

,,UIfIUIfU

constICBCconstI EUfIUfI

I1=IE I2=IC

U1=UEB U2=UCB

-IC [mA]

-UCB [V]

WYJŚCIOWACharakterystyka wyjściowa:

podobna kształtem do charakterystyki złącza p-n spolaryzowanego w kierunku zaporowym

IC=f(UCB) dla IE=const

IE=9 [mA]

IE=6 [mA]

IE=3 [mA]

Charakterystyka przejściowa

,,UIfIUIfU

constUECconstU CBIfIIfI

I1=IE I2=IC

U1=UEB U2=UCB

-IC [mA]

IE [mA]

PRZEJŚCIOWACharakterystyka przejściowa: Przedstawia zależności pomiędzy prądami na wejściu i wyjściu czwórnika

IC=f(IE) dla UCB=const

|-UCB|>0V

UCB=0V

Charakterystyka sprzęż. zwrotnego

,,UIfIUIfU

constICBEBconstI EUfUUfU

I1=IE I2=IC

U1=UEB U2=UCB

UBE [V]

-UCB [V]

IE=12mA

SPRZĘŻENIA ZWROTNEGO

Charakterystyka sprzężenia zwrotnego: przedstawia wpływ napięcia wyjściowego na napięcie wejściowe

UBE=f(UCB) dla IE=const

IE=6mAIE=0mA

WYJŚCIOWAPRZEJŚCIOWA

WEJŚCIOWA ZWROTNA

IC [mA]

IE=-10mA

IE [mA]

UCB [V]

IE=-8mA

IE=-6mA

IE=-4mAIE=-2mA

IE=-10mA

IE=-5mAIE=-3mAIE=-1mA

UCB =5VUCB =0V

UCB =5V

UCB =0V

246810

-5-10 2 4 6 8

TRANZYSTOR BIPOLARNY – CHARAKTERYSTKI

CHARAKTERYSTYKI

układ WE

Charakterystyka wejściowa

,,UIfIUIfU

constUBBEconstU CEIfUIfU

I1=IB I2=IC

U1=UBE U2=UCE

TRANZYSTOR BIPOLARNY – CHARAKTERYSTYKI (WE)

0.3 0.6

-IB [µA]

UBE [V]

UCE>0UCE=0WEJŚCIOWACharakterystyka

wejściowa:

podobna kształtem do charakterystyki złącza p-n spolaryzowanego w kierunku przewodzenia

UBE=f(IB) dla UCE=const

,,UIfIUIfU

constICECconstI BUfIUfI

I1=IB I2=IC

U1=UBE U2=UCE

-IC [mA]

-UCE [V]

WYJŚCIOWACharakterystyka wyjściowa:

podobna kształtem do charakterystyki złącza p-n spolaryzowanego w kierunku zaporowym

IC=f(UCE) dla IB=const

IB=60 [μA]

IB=40 [μA]

IB=20 [μA]

Charakterystyka przejściowa

,,UIfIUIfU

constUBCconstU CEIfIIfI

I1=IB I2=IC

U1=UBE U2=UCE

-IC [mA]

IB [μA]

PRZEJŚCIOWACharakterystyka przejściowa: Przedstawia zależności pomiędzy prądami na wejściu i wyjściu czwórnika

IC=f(IB) dla UCE=const

|-UCE|>0V

UCE=0V3

Charakterystyka sprzęż. zwrotnego

,,UIfIUIfU

constICEBEconstI BUfUUfU

I1=IB I2=IC

U1=UBE U2=UCE

UBE [V]

-UCE [V]

IB=120μASPRZĘŻENIA ZWROTNEGOCharakterystyka

sprzężenia zwrotnego: przedstawia wpływ napięcia wyjściowego na napięcie wejściowe

UBE=f(UCE) dla IB=const

IB=40μA

WYJŚCIOWAPRZEJŚCIOWA

WEJŚCIOWA ZWROTNA

IC [mA] IB=1.00mA

IB [mA]

UCE [V]

IB=0.75mA

IB=0.50mA

IB=0.25mA

IB=0mA

IB=1.0mA

IB=0.2mA

UCE =10VUCE =2V

UCE =10V

UCE =2V

20406080

0.51.0 2 4 6 8

TRANZYSTOR BIPOLARNY – PARAMETRY STATYCZNE

PARAMETRY STATYCZNE

Charakterystyki prądowo-napięciowe tranzystora pozwalają na określenie parametrów statycznych

CHARAKTERYSTYKA WYJŚCIOWA

TRANZYSTORA W UKŁADZIE WB

Parametry statyczne ukazują ograniczenia dozwolonego obszaru pracy aktywnej tranzystora bipolarnego

IE=1mA

IE=2mA

IE=3mA

IE=4mAWB

1. Moc admisyjna P=U·I

IE=1mA

IE=2mA

IE=3mA

IE=4mA

2. Prąd maksymalny ICmax

IE=1mA

IE=2mA

IE=3mA

IE=4mA

ICmaxWB

3. Napięcie maksymalne UCBmax

IE=1mA

IE=2mA

IE=3mA

IE=4mA

UCBmax

4. Prąd „zerowy” ICB0

IE=1mA

IE=2mA

IE=3mA

IE=4mA

UCBmax

5. Napięcie nasycenia UCB=0

IE=1mA

IE=2mA

IE=3mA

IE=4mA

UCBmax

ICICmax

Obszary pracy tranzystora –aktywny, odcięcia, nasycenia

IE=1mA

IE=2mA

IE=3mA

IE=4mAIC

ODCIĘCIE

AKTYWNY

CHARAKTERYSTYKA WYJŚCIOWA

TRANZYSTORA W UKŁADZIE WE

Parametry statyczne ukazują ograniczenia dozwolonego obszaru pracy aktywnej tranzystora bipolarnego

IB=10μA

IB=20μA

IB=30μA

IB=50μAWE

1. Moc admisyjna P=U·I

IB=10μA

IB=20μA

IB=30μA

IB=50μA

2. Prąd maksymalny ICmax

IB=10μA

IB=20μA

IB=30μA

IB=50μA

ICmaxWE

3. Napięcie maksymalne UCEmax

IB=10μA

IB=20μA

IB=30μA

IB=50μA

ICmaxWE

UCEmax

4. Prąd „zerowy” ICE0

IB=10μA

IB=20μA

IB=30μA

IB=50μA

ICmaxWE

UCEmax

5. Napięcie nasycenia UCEsat

IB=10μA

IB=20μA

IB=30μA

IB=50μA

ICmaxWE

UCEmax

UCEsat

Obszary pracy tranzystora –aktywny, odcięcia, nasycenia

IB=10μA

IB=20μA

IB=30μA

IB=50μAWE

AKTYWNY

ODCIĘCIE

TRANZYSTOR BIPOLARNY – PRĄDY ZEROWE

PRĄDY ZEROWE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO

PRĄD ICB0

PRĄD ICE0

βICB0

PRĄD ICE0

CBCBDCCE

UKŁAD POLARYZACJI TRANZYSTORA BIPOLARNEGO

TRANZYSTOR BIPOLARNY – UKŁAD POLARYZACJI

RB UCC

CECCCC

BEBBBB

URIUURIU

ECB III ,,

CBCEBE UUU ,,UCC

TRANZYSTOR BIPOLARNY – RÓWNANIA

BEBBBB

Dla tranzystora krzemowego

VU BE 7.0

CCCCCE

CECCCC

KSZTAŁT CHARAKTERSYTYKI

WYJŚCIOWEJ TRANZYSTORA

PRACUJĄCEGO W UKŁADZIE WE

TRANZYSTOR BIPOLARNY– IC=f(UCE)

TRANZYSTOR BIPOLARNY – IC=f(UCE)

UCEUCEmax

Obszar aktywny Obszar przebiciaObszar nasycenia

określony prąd bazy IB

UBB UCC=0

Punkt -AUCB

przewodzenie

1. Napięcie UBB jest na tyle duże, ze wywołuje przepływ prądu IB. Napięcie UCC jest równe zero.

2. Oba złącza BAZA-EMITER i BAZA-KOLEKTOR są spolaryzowane w kierunku przewodzenia. Ponieważ potencjał na BAZIE jest równy 0.7V, a potencjały EMITERA i KOLEKTORA wynoszą 0V

3. Ze względu na mniejszą rezystancję ścieżki prąd bazy zamyka się przez złącze BAZA-EMITER

4. W rezultacie prąd kolektora:

STAN PRACY:

NASYCENIE

UCEUCEmax

UBB UCC

A-BUCB

przew.

mniejszy niż na bazie

Emiter

Kolektor

BazaPo

WYSOKI

PZłącze BAZA-KOLEKTOR przewodzenie

Złącze EMITER-

BAZA przewodzenie

TRANZYSTOR BIPOLARNY – IC=f(UCE)1. Napięcie UBB pozostaje na niezmienionym poziomie,

Napięcie UCC zaczyna wzrastać, ale potencjał KOLEKTORA jest stale niższy niż potencjał BAZY

2. Oba złącza BAZA-EMITER i BAZA-KOLEKTOR są nadal spolaryzowane w kierunku przewodzenia (ponieważ potencjał na BAZIE jest równy 0.7V, potencjał EMITERA wynosi 0V, a potencjał kolektora jest niższy niż BAZY)

3. Oba złącza, EMITER-BAZA i BAZA-KOLEKTOR wprowadzają nośniki (elektrony) do obszaru bazy

4. W rezultacie prąd kolektora IC rośnie wraz ze wzrostem napięcia UCC (UCE)

STAN PRACY:

AKTYWNY

UCEUCEmax

n Ep B

UBB UCC

B-CUCB

zaporowy

przew.

Emiter

Kolektor

WYSOKI n

Złącze BAZA-KOLEKTOR

zaporowy

Złącze EMITER-

BAZA przewodzenie

TRANZYSTOR BIPOLARNY – IC=f(UCE)1. Napięcie UBB pozostaje na niezmienionym poziomie,

Napięcie UCC wzrasta i przewyższa potencjał BAZY

2. Gdy napięcie UCE przekroczy wartość 0.7V następuje przełączenie złącza KOLEKTOR-BAZA z polaryzacji w kierunku przewodzenia na kierunek zaporowy

3. W tym momencie tranzystor wchodzi w aktywny stan pracy

4. W tym stanie pracy duże zmiany napięcia UCE nie wpływają już znacząco na wartość prądu kolektora IC, ponieważ o jego wartości decyduje teraz złącze BAZA-KOLEKTOR spolaryzowane w kierunku zaporowym (prąd płynący przez złącze spolaryzowane w kierunku zaporowym nie zależy od wartości napięcia polaryzującego w szerokim zakresie tego napięcia)

STAN PRACY:

PRZEBICIE

UCEUCEmax

1. Zbyt wysoka wartość napięcia UCC powoduje pojawienie się przebicia złącza p-n (spolaryzowanego w kierunku zaporowym złącza BAZA-KOLEKTOR), co w konsekwencji prowadzi do gwałtownego wzrostu wartości prądu IC

CHARAKTERSYTYKA WYJŚCIOWA

TRANZYSTORA

UKŁAD WE

UCEUCEmax

Obszar aktywny

Obszar odcięcia

IB6> IB5> IB4> IB3> IB2> IB1> IB0

PROSTA OBCIĄŻENIA

RB UCC

CCCECC

CECCCC

UURIURIU

2UCE=UCCUCE=0

IC= UCC

RCm=-1/RC

współczynnik kierunkowy

prostej

Zmiana prądu bazy, czyli „przejście” na charakterystykę IC=f(UCE)

odpowiadającą danej wartości IB pozwala na przesuwanie punktu pracy

z obszaru odcięcia, poprzez zakres aktywny normalny do obszaru

nasycenia

UCE(sat)

IC(sat)

Dalsze zwiększanie prądu bazy, czyli „przechodzenie” na kolejne

charakterystyki IC=f(UCE) dla IB=const nie powoduje już widocznego przesunięcia punktu pracy

Obserwujemy sytuację, gdy ustala się prąd kolektora na poziomie zbliżonym do

maksymalnej wartości prądu kolektora:

CCCCC RUII /max a napięcie UCE osiąga minimalną wartość

określaną jako „napięcie nasycenia”:

)(satCECE UU

TRANZYSTOR BIPOLARNY - KLUCZ

PRZEŁĄCZANIE TRANZYSTORA

PRACA TRANZYSTORA BIPOLARNEGO W CHARAKTERZE

„KLUCZA”

TRANZYSTOR BIPOLARNY – KLUCZ

odcięcie

TRANZYSTOR BIPOLARNY – ODCIĘCIE (CUTOFF)

PRACA TRANZYSTORA W OBSZARZE ODCIĘCIA

(CUTOFF)

RB UCC

UCE= UCC

1. Jeżeli wartość prądu bazy IB=0 – tranzystor jest w obszarze (w stanie) odcięcia (cutoff)

2. W tym stanie pracy oba złącza (B-E i B-C) są spolaryzowane zaporowo

3. Przez strukturę płynie niewielki prąd ICE0 (na skutek generacji termicznej nośników), który może być pominięty

4. W rezultacie napięcie UCE=UCC

UCE= UCC

niskiewysokie

we wyUCE=UCC

IB=0IC=0

TRANZYSTOR BIPOLARNY – NASYCENIE (SATURATION)

PRACA TRANZYSTORA W OBSZARZE NASYCENIA

(SATURATION)

UCE= UCC - ICRC

1. Złącze BAZA-EMITER jest polaryzowane w kierunku przewodzenia

2. Rośnie prąd bazy IB

3. Wzrost prądu bazy wywołuje prąd kolektora IC=βIB

4. Wzrost prądu kolektora powoduje spadek napięcia UCE=UCC-ICRC

TRANZYSTOR BIPOLARNY – NASYCENIA (SATURATION)

5. Spadek napięcia UCE doprowadza do sytuacji przełączenia złącza BAZA-KOLEKTOR w kierunku przewodzenia. Ma to miejsce wówczas gdy UCE=UCE(sat).

Tranzystor wchodzi w stan nasycenia6. W stanie nasycenia prąd kolektora nie

wzrasta osiągając maksymalną wartość: IC=(UCC-UCE(sat))/RC=UCC/RC

5. Jeżeli tranzystor znajduje się w stanie nasycenia, wówczas dalsze zwiększanie prądu bazy IB nie powoduje już wzrostu prądu kolektora – ponieważ w obszarze nasycenia nie obowiązuje zależność

IC=βIB

RCIC=UCC/RCRC

UCE= 0B

wewy 0

1niskie

wysokie

we wyUCE=0

odcięcie

Klucz otwarty

Klucz zamknięty

TRANZYSTOR BIPOLARNY – CZWÓRNIK LINIOWY

CZWÓRNIK LINIOWY

Analiza pracy tranzystora bipolarnego dla prądu zmiennego

jest złożona

Przyjęto, że dla małych amplitud prądu zmiennego parametry

tranzystora nie zależą od amplitudy tego prądu

Tranzystor bipolarny – czwórnik liniowy

CZWÓRNIK LINIOWYu1 u2

i1, i2, u1, u2 – chwilowe wartości prądów i napięć małych sygnałów zmiennych

CZWÓRNIK LINIOWY

Równania impedancyjne

2221212

2121111

izizuizizu

CZWÓRNIK LINIOWY

Równania admitancyjne

2221212

2121111

uyuyiuyuyi

CZWÓRNIK LINIOWYu1 u2

Równania mieszane (hybrydowe)

2221212

2121111

uhihiuhihu

Równania mieszane (hybrydowe)

uhihiuhihu

iBCZWÓRNIK LINIOWY

uB uCB

TRANZYSTOR BIPOLARNY – PARAMETRY hij

OKREŚLANIE PARAMETRÓW TYPU hij

TRANZYSTOR BIPOLARNY – PARAMETR h11e (WE)

PARAMETR h11e

IMPEDANCJA WEJŚCIOWA(UKŁAD WE)

TRANZYSTOR BIPOLARNY – PARAMETR h11e

uhihiuhihu

Sposób wyznaczania impedancji wejściowej z charakterystyk wejściowych tranzystora UBE=f(IB) dla UCE=const

-IB [µA]120

0.3 0.6 UBE [V]

UCE>0UCE=0WEJŚCIOWA

constUB

BEe CEI

h11e – kilka kiloomów

PARAMETR h12e

WSPÓŁCZYNNIK SPRZĘŻENIA ZWROTNEGO

(UKŁAD WE)

uhihiuhihu

iB=0uB

UBE [V]

Sposób wyznaczania współczynnika sprzężenia zwrotnego z charakterystyk sprzężenia zwrotnego UBE=f(UCE) dla IB=const

8 10 -UCE [V]

IB=120μASPRZĘŻENIA ZWROTNEGO

IB=40μA

ΔUCE ΔUBE

constICE

BEe BU

h12e – (0.1÷8) 10-4

PARAMETR h21e

ZWARCIOWY WSPÓŁCZYNNIK WZMOCNIENIA PRĄDOWEGO

(UKŁAD WE)

uhihiuhihu

Sposób wyznaczania zwarciowego współczynnika wzmocnienia prądowego z charakterystyk przejściowych tranzystora IC=f(IB)

dla UCE=const

-IC [mA]

IB [μA]

PRZEJŚCIOWA

|-UCE|>0V

UCE=0V3

constUB

Ce CEI

h21e – 20÷200

TRANZYSTOR BIPOLARNY –PARAMETR h22e (WE)

PARAMETR h22e

ADMITANCJA WYJŚCIOWA(UKŁAD WE)

uhihiuhihu

iB=0uC

Sposób wyznaczania admitancji wyjściowej z charakterystyk wyjściowych tranzystora IC=f(UCE) dla IB=const

-IC [mA]

-UCE [V]

WYJŚCIOWA

IB=60 [μA]

IB=20 [μA]

ΔUCE ΔIC

constICE

h22e – (10÷100) μS

PARAMETRY TYPU hij

SymbolSymbol SymbolSymbol OpisOpis

hh1111 hhii Impedancja wejściowa Impedancja wejściowa ((iinput impedancenput impedance))

hh1212 hhrr Wsp. sprzężenia zwrot. Wsp. sprzężenia zwrot. ((voltage voltage rratioatio))

hh2121 hhff Wsp. wzmocnienia prąd. Wsp. wzmocnienia prąd. ((fforward current gainorward current gain))

hh2222 hhoo Admitancja wyjściowa Admitancja wyjściowa ((ooutput admitanceutput admitance))

PARAMETRY TYPU hij

WEWE eeWBWB bbWCWC cc

układ pracyukład pracy parametry hparametry hwspólny emiterwspólny emiter hhieie, , hhrere, , hhfefe, , hhoeoe,,

wspólna bazawspólna baza hhibib, , hhrbrb, , hhfbfb, , hhobob,,

wspólny kolektorwspólny kolektor hhicic, , hhrcrc, , hhfcfc, , hhococ,,

PARAMETRY TYPU hij

iihuuhiuh

Wspólny emiter Wspólna baza Wspólny kolektor

TRANZYSTOR BIPOLARNY – PARAMETRY

PORÓWNANIE PARAMETRÓW βDC I βac

Q (IC, IB)

BCDC II / BCac II /

TRANZYSTOR BIPOLARNY – SCHEMAT ZASTĘPCZY

SCHEMAT ZASTĘPCZY TRANZYSTORA BIPOLARNEGO

WYKORZYSTUJĄCY PARAMETRY TYPU h

SCHEMAT ZASTĘPCZY - OGÓLNY

hruwy hf iwe ho uwy

SCHEMAT ZASTĘPCZY – UKŁAD WE

hreuC hfe iB hoe uC

baza kolektor

emiter

SCHEMAT ZASTĘPCZY – UKŁAD WB

hrbuC hfb iE hob uC

kolektoremiter

TRANZYSTOR BIPOLARNY PARAMETRY TYPU „r”

parametrparametr opisopis

ααacac Parametr alfa (ac) (iParametr alfa (ac) (iCC/i/iEE))

ββacac Parametr beta (ac) (iParametr beta (ac) (iCC/i/iBB))

r`r`ee Rezystancja emitera (ac)Rezystancja emitera (ac)

r`r`bb Rezystancja bazy (ac)Rezystancja bazy (ac)

r`r`cc Rezystancja kolektora (ac)Rezystancja kolektora (ac)

SCHEMAT ZASTĘPCZY TRANZYSTORA BIPOLARNEGO

WYKORZYSTUJĄCY PARAMETRY TYPU „r”

Elementy ElektroniczneElementy ElektroniczneDr inż. Krzysztof Waczyński, Instytut Elektroniki, Politechnika Śląska, Akademicka 16, 44-100 Gliwice (email: Krzysztof.Waczynski@polsl.pl)r

Kolektorre`

rb`ie ib

αac ieEmiter

Uproszczenie schematu zastępczego:

1. Ze względu na niewielkie wartości rezystancji bazy, można „rezystor bazowy” w schemacie zastępczym pominąć (zwarcie)

2. Ze względu na duże, rzędu setek kiloomów wartości rezystancji kolektora, można „rezystor kolektorowy” pominąć (rozwarcie)

Kolektorre`αac ie=βac ib

Emiter

rb` - zwarcie, rc` - rozwarcie

Rezystancja emitera re`

O wartości tej rezystancji decyduje rezystancja (różniczkowa) złącza p-n spolaryzowanego w

kierunku przewodzenia, dla określonego punktu pracy IE (T=300K)

Ee ImVr /8,25,

βac ib

Elementy Elektroniczne

Documents

Transcript of Elementy Elektroniczne

Elektroniczne Układy i Systemy Zasilania

Elektroniczne Metody Platnosci

Elektroniczne Zamawianie

Program przedmiotu „Miernictwo elektroniczne”atol.am.gdynia.pl/~gorecki/dla_taty_pliki/miernictwo_2011_skrot.pdf · Program przedmiotu „Miernictwo elektroniczne” Dr hab. in.

Zasady dofinansowania przez Narodowe Centrum Badań i ......elementy elektroniczne i komputerowe, inżynieri ęelektromechaniczną, transport i produkcj samochodów, w tym przeznaczonych

Elektroniczne Zarządzanie Dokumentacją - Directory ...sarnaki1.home.pl/EZD.pdf · Strona 1 z 289 Elektroniczne Zarządzanie Dokumentacją UMWM Dokumentacja Użytkownika Wydatek

Stanley - narzedzia laserowe i elektroniczne 2009

EUROTOOL® Zaproszenie elektroniczne

Elektroniczne instrumenty płatnicze

Elektroniczne zarządzanie dokumentacjąw nowej instrukcji ... · Elektroniczne zarządzanie dokumentacjąw nowej instrukcji kancelaryjnej (na dzień4.10.2010 r.) dr Ewa Perłakowska

Obudowa plastikowa, Obudowy elektroniczne, hermetyczne ...

Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji Katedra Elektroniki … · 2019. 12. 18. · 2019-12-18 1 ELEMENTY ELEKTRONICZNE AKADEMIA GÓRNIZO-HUTNICZA IM.STANISŁAWA STASZICA

PROGRAM NAUCZANIA DLA ZAWODU MECHANIK-MONTER MASZYN · 1 Podstawy elektrotechniki i elektroniki 1.1. Obwody elektryczne i układy elektroniczne 1.2. Elementy automatyki i sterowania

Elektroniczne rozruszniki silników i napędy

Stanisław Dinter - Elektroniczne modyfikatory dźwięku

Doręczenia elektroniczne Automatyczne systemy orzekania

Folder ogólny - Elektroniczne Wagi Przemysłowe, Gdańsk

Blue Line Gen2 Poczwórna czujka ruchu PIRresource.boschsecurity.com/documents/Data_sheet_plPL_2603527307.… · elektroniczne Komora optyczna i układy elektroniczne są hermetycznie

Elektroniczne Zarządzanie Dokumentacją

ELEKTRONICZNE SYSTEMY ODCZYTU ENERGII …image.schrack.com/.../w_elektronicznesystemyenergii2007_pl.pdf · ELEKTRONICZNE SYSTEMY ODCZYTU ENERGII W PRAWNE ASPEKTY SPRZEDA˚Y LICZNIKÓW