取扱い方法

保証

廃棄方法

MCPアッセンブリMCP ASSEMBLY

1

マイクロチャンネルプレート（以下MCP）は、真空中において電子・イオン・真空紫外線・Ｘ線・γ線などを、2次元的に増倍し検出するセンサです。「質量分析」・「半導体検査装置」・「表面分析」をはじめ各種分析装置に幅広く使用されています。MCPアッセンブリには、用途に応じた2種類の信号読み出し系があります。シングルアノード（有効領域内の入力を電流として出力）・蛍光面（可視光として出力）から最適なものをお選びください。また、MCPは1～3段までお選びいただけます。必要に応じたゲインが得られ、アナログモード（直流電流として計測）・カウンティングモード（微弱信号をパルス計測）での使用が可能です。

右下に示すように、MCPの入力側・出力側2つの電極間に電圧VＤを供給すると、チャンネル方向に電位勾配が生まれます。ここで入射信号がチャンネル内壁に当たると、複数の二次電子が放出されます。これらの二次電子は電位勾配によって出力側に加速されるため、初速度によって決まる放物線軌道を描きます。そして反対側の内壁に衝突して再び二次電子を放出します。このようにして電子はチャンネルの内壁に何回も衝突しながら出力側へ進んでいき、結果として指数関数的に増倍された電子が取り出されます。

概要

MCPの厚さをチャンネルの長さとみなし、このチャンネル長Lとチャンネル径dの比をα (=L/d)と呼び、αと材料固有の二次電子放出係数がMCPのゲインを決定します。αは通常40～60で製作されますが、必要なチャンネル径とこのαの設計値により厚さが決まります。

構造模式図

TMCPC0002JG

厚さ

プレートの入射面に対する垂直軸を基準としたチャンネルの軸の傾きです。このバイアス角は検出効率や入力信号がチャンネル壁に衝突せず突き抜けてしまうことの防止、解像度などを考慮して適切な値が選ばれます。

バイアス角

有効面積に対するチャンネル開口部面積の比率です。開口率 (Open Area Ratio: OAR)

チャンネル径: d

チャンネル内壁

ストリップ電流

入射信号出射電子

VD

出力側電極

入力側電極

長さ: L

MCP

信号読み出し系シングルアノード蛍光面

検出対象

+/-イオン

電子

X線

真空紫外線

動作原理

2

特性MCPゲイン特性 パルス波高分布: PHD

0 1.0 2.0 3.0103

104

105

供給電圧 (kV)

ゲイン

106

107

108

MCP3段

MCP1段

MCP2段

TMCPB0005JB TMCPB0034JD

パルス波高 (チャンネル数)

カウント数

(s-

1 )

MCP2段 MCP3段

大気保管テスト

出力波形

TMCPB0102JA

日数

平坦度相対変化

(µm

)

温度湿度

: 25 °C: 45 %

-50

0

50

100

150

200

250

300

350

400

450

500

550

0 50 100 150 200 250 300 350 400

ロバスト MCP

一般的な MCP

耐環境性に優れたロバストMCPは、ソリや割れを生じにくく、形状の安定性に優れ、TOF-MSの質量分解能に影響を与えるタイムジッタを小さくすることが可能です。

応答時間(FWHM)450 psから1.5 nsまで、TOF用MCPアッセンブリがございます。用途に合わせお選びください。

-120-2 -1 0 1 2 3 4 5

-100

-80

-60

-40

-20

0

20

応答時間 (ns)

出力電圧

(m

V)

FWHM: 450 ps

FWHM: 1.5 ns

有効エリア 27 mm

F9890-31F12395-11

3

単位µm

mm

度mm

F1552-011FF1551-011F F1094-011F

20 27

F1217-011F

42 14.5

12

12

0.48

型名項目チャンネル径有効エリアバイアス角度厚さ

信号

チャンネル

信号

チャンネル

12 μm 12 μm

断面図 断面図

ファネルMCP：開口率 90 % 通常のMCP：開口率 60 %

▼ イオン検出実験 ▼

Ion: AngiotensinⅡ([M+H]+: 1046)

882

567

UP

出力強度

(a.

u.)

0-200 200 400 600-400-600300

400

500

600

700

800

900

1000

蛍光出力強度イメージ（疑似カラー画像）

蛍光出力強度分布

90 %以上の信号を検出!!

40 %の信号が検出されない

中央からの距離

チャンネルの入力側をファネル（Funnel）形状に拡げることによって、従来よりも多くの入射信号をチャンネルへと導き効果的に検出することが可能になりました。

高開口率 (OAR): ファネルタイプ

ラインアップ

4

TMCPA0056JA

MCPF0006

NOTE: 1MCP入力側を示します。形は製品により異なります。2ストリップ電流とは、MCP IN-OUT間に電圧をかけたときにチャンネル壁にそって流れる電流のことであり、電圧÷MCP抵抗で与えられます。3供給電圧1.0 kV、真空度1.3 × 10-4 Pa、動作周囲温度+25 °C4真空度1.3 × 10-4 Pa5F1551-01, F1094-01, F1552-01, F1208-01, F1217-01は、センターホール (φ6 mm)タイプもございます。

単位

mm

mm

mm

mm

μm

μm

度%

—

—

MΩpA·cm-2

—

kV

°C

F1552 -015 -011 -074

F1094 -015-074-011 -015 -011 -074

φ24.8

φ23.9

φ20

10～50

0.48

12

15

104

8

60

インコネル

15～200

0.5

ストリップ電流 2の7 %まで1.0

-50～+70

φ32.8

φ31.8

φ27

6.7～33.3

0.3

6

7.5

5×103

10～100

0.3

6

7.5

5×103

6.7～66

12 12

F1551

0.48

12

15

8

100～700

0.3

6

7.5

5×103

20～200

φ17.9

φ17

φ14.5

0.48

12

15

20～100

12 8

50～500

項目型名

外 形 寸 法　A

電極エリア　B

有効エリア　C

厚　　　さ　D

チャンネル径チャンネルピッチバイアス角度 θ開口率電極材料ゲイン (Min.) 3

抵抗 3

暗電流 (Max.) 3

最大直線性出力 3

供給電圧 4

動作周囲温度 4

0.48

12

15

104104

F1942-04

φ86.7

φ84.7

φ77

1

25

31

8

10～100

8

10～200

12

104

4～20

φ49.9

φ49

φ42

0.48

12

15

F1208-01 -015 -011

φ38.4

φ36.5

φ32

0.48

12

15

8

20～200

F1217

入力側表示 1

D

θ

出力側入力側

A B C

MCP単体 仕様と外形寸法図

5

小型F14844

P.8 P.9P.7 P.8 P.9

デマンタブル 小型F4655-14

スタンダードF2223-21SH

高速応答F4294-09

ページ

スタンダード

nsec レベルの高速応答が要求

されない一般的な信号検知で

使うことができます。

円形・小型タイプ等あります。

低真空用イオン検出

弊社独自のトライオード構造により、イオンフィードバックによるノイズを制御して1 Paという低真空環境下でもゲイン1×106という安定動作を実現します。大型の排気系の搭載が困難な卓上サイズの質量分析装置への搭載を可能にする画期的なイオン検出器です。

中央部に穴の開いた構造となっており、そこからイオン・X線などをサンプルに照射し、サンプルからの信号を高効率で検出できます。

イオン・X線、etc.

サンプル

● ミニチュア質量分析計● ポータブル装置● セキュリティ対策（爆発物検知）

● 微量なイオン検出● 電子検出● VUV光検出● 軟X線検出

● 走査電子顕微鏡（SEM）● マスクアナライザ● 表面分析

暗電流

(A

)

10-4-3.0

-2.5

-2.0

-1.5

-1.0

-0.5

0

0.5×10-7

10-3 10-2 10-1 1

真空度 (Pa)

F14844弊社従来品

MCPゲイン 105

出力波形（代表値）

センターホール（穴開き）

New

MCPアッセンブリ目的別セレクションガイド

動作原理動画

低真空 信号測定低真空下で測定 信号量を測定

6

P.11 P.13P.7P.11P.10 P.12P.10

アノードグラウンドF9890-13/-14F9892-13/-14

小型F4655-10

真空フランジ付F4655-11

フローティングF9890-31/-32F9892-31/-32

高速応答F12334-11F12395-11F12396-11F13446-11F13447-11

高速応答ハイブリッドタイプF14845

真空フランジ付F2225-21PGFF6959

MIGHTION™

MCPとAD (Avalanche Diode)を組み合わせたイオン検出器です。高速応答性、広ダイナミックレンジ、長寿命といったさまざまな特長を併せ持ち、ハイブリッド型検出器ならではの性能を有しております。

薄型

狭いスペースに設置可能です。配線接続が2ヶ所で済むためメンテナンスが簡単です。

MCPからの出力電子を、蛍光体の塗布されたガラス面板で可視光像に変換します。MCP1段で40µm～50µm、2段で 80µm～100µmの解像度を有しています。標準蛍光体はP43。（最高発光波長545 nm, 10 %残光時間1 ms）

高速信号の読み出し用に設計されたアノードです。“リンギング”と呼ばれる波形のうねりを無くし、きれいで高速な信号出力が得られます。

出力波形

蛍光面出力

TMCPC0104JA

● 質量分析 （TOF-MS, MALDI-TOF）● 高速現象観測

● 質量分析 （Q-TOF, イメージングMS）

● X線光電子分光（ESCA）● 加速ビームモニタ● Velocity map imaging （VMI）

1ns 以下 1ns以上

カタログ掲載品以外の仕様については、ご相談ください。

蛍光面MCP

イオン・電子

電子

高速応答New

動作原理動画

二次元検出TOF測定（Time of Flight）到達時間の差を測定 二次元で信号分布や入射位置を検出

・大電流の増倍

AD

電子 3 keV ～ 5 keV

（電子衝突ゲイン : 100～800）

（アバランシェゲイン : 1～102）

トータルゲイン

106以上

・イオン－電子変換・小電流の増倍　（ゲイン: 1～104）

イオン

電子

▲断面図

MCP

特許出願中

AD2

(6.0)

(13.5)

7

25.5

3.0

32

52.

2

14.

5有効エリア

18

3.5

6

60°60°

6.6

0.5シールド

(7.1)

2.5 アノード – 基板4.6 MCP-OUT – 基板6.1 MCP-IN – 基板

MCP

基板

最大電圧範囲MCP-IN – MCP-OUTMCP-OUT – アノードアノード – 基板

* シールド, MCP-IN, 基板内部接続

: 2.0 kV: 0.1 kV: 2.1 kV

MCP-INリード

アノードリード3 × 2.2

2 × 3.4

MCP-OUTリード

1st MCPBIAS

F14844

F14845-11

40 MΩ 20 MΩ1 kΩ

1 kΩ

信号(SMA)

MCP

MCP-IN(M4)

MCP-OUT(M3)

GND( 0.9)

アッセンブリ

結線例

AD

ADバイアス( 1.0)

25

有効エリア

90

バイアス

16

GND

15°

67.5°

120°

4 × M4 深さ 5.5P.C.D.* 41

3 × 4.5P.C.D.* 80

MCP-OUT

R31

8

(68.1) 10MCP-IN

1ピン

7.8

(6)

(43.7)

0.9ピン

141.

5

68

ADバイアス

信号SMA

* P.C.D. (Pitch Circle Diameter)

最大動作真空度

(Pa)

ゲイン(Min.)

有効エリア

(mm)

抵抗値

(MΩ)

ダークカウント(Max.)

(s-1·cm-2)

1 1 × 106 14.5 3300 ～ 600

TMCPA0089JA

TMCPA0088JA

有効エリア

(mm)

ゲイン(Min.)

応答時間(FWHM)

(ns)

DC出力(Max.)

(µA)

ダークカウント(Max.)

(V)

2 31

25 1 × 106 0.6 3200

NOTE: 1MCP-in: -6 kV, MCP: 600 V, AD: -350 V2±10 %350 Ω終端時、±10 %

MCPアッセンブリ 仕様と外形寸法図（単位: mm）

8

真空ベーキングは、装置を1.3 × 10-4 Pa以下の高真空に保ちながら、150 ℃以下の温度範囲で行ってください。

アノード種類 MCP段数シングルアノード蛍光面 (P43)

1～3段1～2段

記号 説明 単位A

B

C

D

E

F

G

H

外形寸法固定用ネジ穴ピッチ径インシュレータ外径MCP有効エリア読み出し系有効エリア最大高基板底からインシュレータ表面までの距離MCP入力面からインシュレータ表面までの距離

mm

mm

mm

mm

mm

mm

mm

mm

F2226

123

115

103

77

75

17

12.9

14.4

15.9

3.8

4.3

4.8

F2225

86

78

66

42

40

15

F2224

75

67

55

32

30

15

F2223

69

61

49

27

24

15

10.9

11.9

11.9

2.8

3.3

2.9

F2222

61

53

41

20

17

15

F2221

54

46

34

14.5

10

15

1段2段3段1段2段3段

MCP

MCP

型名によって形状が異なることがあります。

TMCPA0026JIF2226はリード取り出しが60°毎

デマンタブル

真空ベーキングは、装置を1.3 × 10-4 Pa以下の高真空に保ちながら、150 ℃以下の温度範囲で行ってください。

F4655-14

20

3.5

4 × 4.5

4 × 3.5

3 × 3.5

MCP-OUTリード

E

1.0

G

F

3

0.3 t

読み出し系

ガス抜き用間隙

基板

チャンネルバイアス方向

MCP

インシュレータPEEK*

ナベネジM2PEEK*

電極リード

アノードまたは蛍光面リード

6

45°MCP-INリード

D C B A

H

* PEEK: ポリエーテルエーテルケトン

シリーズ チャンネル径

(µm)

MCP段数

(段)

ゲイン(Min.)

ダークカウント(Max.)

(s-1·cm-2)

MCP供給電圧

(kV)

MCP-OUT−アノード間供給電圧

(kV)

パルス波高分解能(Max.)

(%)

1 1 2 21

F2221F2222F2223F2224F2225F2226

12

25

下記「アノード種類」

参照

MCP1段: 1 × 104

MCP2段: 1 × 106

MCP3段: 1 × 107

MCP2段: 120MCP3段: 80

MCP1段: 1.0MCP2段: 2.0MCP3段: 3.0

シングルアノード: 0.5蛍光面: 3.0 ～ 4.0

3（MCP2段および3段）

NOTE: 1供給電圧1.0 kV/MCP, 真空度1.3 × 10-4 Pa, 周囲温度+25 °C2真空度1.3 × 10-4 Pa

チャンネル径

(µm)

MCP段数

(段)

ゲイン(Min.)

ダークカウント(Max.)

(s-1·cm-2)

MCP供給電圧

(kV)

MCP-OUT−アノード間供給電圧

(kV)

パルス波高分解能(Max.)

(%)

1 1 2 21

12 2 5 × 107 50 2.5 0.53

NOTE: 1供給電圧1.0 kV/MCP, 真空度1.3 × 10-4 Pa, 周囲温度+25 °C2真空度1.3 × 10-4 Pa

* P.C.D. (Pitch Circle Diameter)

TMCPA0086JC

60°

120°

3

3.5

14.

5有効エリア

18

63.

5

アノードリード

3 × 2.2 P.C.D.* 25.6MCP-INリード

3 × M1.6 長さ12 P.C.D.* 21.5

0.5tSUS

2

7.5 (4.5)

(8)

シールド板（基板と同電位）

アノード

基板

固定用 (M1.6)

MCP-OUTリード

9

TMCPA0002JI

真空ベーキングは、装置を1.3 × 10-4 Pa以下の高真空に保ちながら、150 ℃以下の温度範囲で行ってください。

* P.C.D. (Pitch Circle Diameter)

* P.C.D. (Pitch Circle Diameter)

TMCPA0042JH

41

10

27

有効エリア

8

不感部

4 × 2.6P.C.D.* 50.8

45°

6 31 2 3 4

8.6

1.6

56

.5

センターパイプ（内径

: 4）

センターパイプ（外径

: 5）

MC

Pセンターホール

6

1メッシュリード2MCP-IN リード3MCP-OUT リード4アノードリード

4 × 1

基板

メッシュ

9.5SMA コネクタ

アノード

基板

インシュレータPEEK*

* PEEK: ポリエーテルエーテルケトン

6

4 × 3.5P.C.D.* 61

27

有効エリア

49

69

20

12

不感部

3

14.617 (8.5)

5.3

センターパイプ（内径

: 6）

センターパイプ（外径

: 7）

MC

Pセンターホール

10

MCP-IN リードMCP-OUT リード

45° 3.

5

1st1stMCPMCPバイアスバイアス1stMCPバイアス

型名 チャンネル径

(µm)

MCP段数

(段)

ゲイン(Min.)

ダークカウント(Max.)

(s-1·cm-2)

MCP供給電圧

(kV)

MCP-OUT−アノード間供給電圧

(kV)

パルス波高分解能(Max.)

(%)

1 1 2 21

F2223-21SHF4294-09

12 2 1 × 106 —

MCPセンター不感部分

(mm)

8 12

2.0 0.53

NOTE: 1供給電圧1.0 kV/MCP, 真空度1.3 × 10-4 Pa, 周囲温度+25 °C2真空度1.3 × 10-4 Pa

F2223-21SH

F4294-09

MCPアッセンブリ 仕様と外形寸法図（単位: mm）

10

TMCPA0082JE

TMCPA0075JC

ABCDEFG

F9890-13

1210

27 81 63

72 52

F9890-14

11.69.6

F9892-13

1210

42 92 75

84 64

F9892-14

11.69.6

CA有効エリア

B

1.6

5

21.3DE

3 45°

信号BNC1

MCP-OUTリード

MCP-INリード4 × 4.5

1SMAコネクタタイプも対応可能

24 GF

ABCDE

F

GHI

MCP-INリードMCP-OUTリードアノードリード

F9890-31

20.218.213.5

27 81 63

15.219.4 35 72 52

F9890-32

19.917.913.9

F9892-31

20.218.213.5

42 92 75

15.219.4 40 84 64

F9892-32

19.917.913.9

結線例

アンプ

アノードメッシュ

信号出力(SMA) 50 Ω

入力

（500 V動作を推奨）

アッセンブリ

+500 VMax.

+2 kVMax.

-10 kV ～ +10 kV

OUTIN

MCP（2段）基板

1 MΩ

140 pF(40 kV)

150 pF × 4 (15 kV)

フローティング動作可能な電源

フローティング動作可能な電源

アノード

(3 W)

2 MΩ

(1 W)

0.5 MΩ

+2.5 kVMax.

-10 kV ～ +10 kV

OUTIN

フローティング動作可能な電源

デバイダ回路を用いた場合

結線例

アッセンブリ 基板

（500 V動作を推奨）

-500 VMax.

-2 kVMax.

OUTIN

フローティング動作可能な電源

アンプ

信号出力(BNC) 50 Ω

入力

(3 W)

2 MΩ

(1 W)

0.5 MΩ

-2.5 kVMax.

OUTIN

デバイダ回路を用いた場合

MCP（2段） 150 pF × 4 (3 kV)

* P.C.D. (Pitch Circle Diameter)

4 × 4.5PCD* 84

IHA有効エリア

CB G 1

.65

44.5D

35E

3 F

アノードリード

信号SMA

MCP-OUTリード

MCP-INリードPCD* 6445°

型名 チャンネル径

(µm)

MCP段数

(段)

ゲイン(Min.)

ダークカウント(Max.)

(s-1·cm-2)

MCP供給電圧

(kV)

MCP-OUT−アノード間供給電圧

(kV)

パルス波高分解能(Max.)

(%)

1 1 2 21

F9890-13F9890-14F9890-31F9890-32F9892-13F9892-14F9892-31F9892-32

126126126126

2 1 × 106 150

応答時間(FWHM)

(ps)

900

450

1200

700

2.0 0.53

NOTE: 1供給電圧1.0 kV/MCP, 真空度1.3 × 10-4 Pa, 周囲温度+25 °C2真空度1.3 × 10-4 Pa

F9890-13/-14, F9892-13/-14

F9890-31/-32, F9892-31/-32

11

* P.C.D. (Pitch Circle Diameter)

TMCPA0021JH

TMCPA0085JC

120°

40°

14.

5有効エリア

33

70

真空フランジ(ICF 70)

(35.6)7.5

アノード

MCP-OUT端子(SHV)

アノード端子(BNC)

MCP-IN端子(SHV)

18.1

(31.9)

310.3

2

0.5

基板

アノード

アノード端子(BNC)

14

.5有効エリア

18

63.

5

38

32 × 2.2P.C.D.* 25.6

MCP-INリード

30°

30°

MCP-OUTリード3 × 3.5P.C.D.* 32

シールド板(基板と同電位)

型名 チャンネル径

(µm)

MCP段数

(段)

ゲイン(Min.)

ダークカウント(Max.)

(s-1·cm-2)

MCP

供給電圧(kV)

MCP-OUT−アノード間供給電圧

(kV)

パルス波高分解能(Max.)

(%)

1 1 2 21

F4655-10F4655-11

12 2 5 × 107 50

応答時間(FWHM)

(ps)

600 2.5 0.53

NOTE: 1供給電圧1.0 kV/MCP, 真空度1.3 × 10-4 Pa, 周囲温度+25 °C2真空度1.3 × 10-4 Pa

F4655-10

F4655-11

MCPアッセンブリ 仕様と外形寸法図（単位: mm）

12

TMCPA0084JE

TMCPA0087JB

結線例

+2.1 kVMax.

R1

R1

R2

C1

C2

R3

-5 kVMax.

HVリード バイアス

リード

50 Ω入力

アッセンブリ

基板

信号出力 (SMA)アノード

HV

MCP（2段）

C1: 150 pF/ 10 kVC2: 560 pF/ 10 kVR1: 7.5 MΩR2: 0.2 MΩR3: 1 MΩフローティング動作

可能な電源

C1

C2

R1 R1

R3

R2

B

A有効エリア

B C

D

(6.5) 1.6

(18.1)

E

F

バイアスリード

HVリード

信号出力SMA （メス）

1st MCP BIAS

2 × M3

4 × 3.2

ABCDEF

27 30 50 45 14 14

F13446-11 42 46 70 65 16 18

F13447-11

B

有効エリアA

C

D

2

(6.0)

(13.5)

E GF

C1

C1

C1 R2

R1

R1

2 × M3

4 × 3.5

R2

信号出力 (SMA)

結線例

3 × C1

MCP（2段） 基板

アノード

信号出力 (SMA)

アッセンブリ

R1

R1

-2.1 kVMax.

HV

R2R1R2C1

: 7.5 MΩ: 0.2 MΩ: 150 pF (3 kV)

50 Ω入力

ABCDEFG

20364654303638

F12334-11 27405161304041

F12395-11 42516272405152

F12396-11HV

基板

型名 チャンネル径

(µm)

MCP段数

(段)

ゲイン(Min.)

ダークカウント(Max.)

(s-1·cm-2)

応答時間(FWHM)

(ns)

MCP供給電圧

(kV)

MCP-OUT−アノード間供給電圧

(kV)

パルス波高分解能(Max.)

(%)

1 1 2 21

F12334-11F12395-11F12396-11F13446-11F13447-11

12 2 1 × 106

1.5

1.3

— — 3 0.53 3

NOTE: 1供給電圧1.0 kV/MCP, 真空度1.3 × 10-4 Pa, 周囲温度+25 °C2真空度1.3 × 10-4 Pa3ブリーダー抵抗内蔵によりHV電極に最大-2.1 kV

F12334-11, F12395-11, F12396-11

F13446-11, F13447-11

13

真空ベーキングは、装置を1.3 × 10-4 Pa以下の高真空に保ちながら、150 ℃以下の温度範囲で行ってください。

* P.C.D. (Pitch Circle Diameter)

TMCPA0081JE

TMCPA0038JH

42

66

150

(21

) (

21)

40

有効エリア

114

20 1910.9

(46)(12.9)

(58.9)

ビューイングポート(ICF114)

MCP-OUT端子 (SHV)

蛍光面端子(SHV)

真空フランジ(ICF152)

MCP-IN端子 (SHV)

55

真空フランジ(ICF152)

MCP-IN端子(SHV)

4 × M3 深さ 5P.C.D.* 90

MCP-OUT端子 (SHV)

28

97.

8

28

有効エリア

150

2121

蛍光面端子(SHV)

5.6 20 9.3

(34.9)

O-リング

FOP

F2225-21PGF

F6959

型名 チャンネル径

(µm)

MCP段数

(段)

ゲイン(Min.)

ダークカウント(Max.)

(s-1·cm-2)

MCP供給電圧

(kV)

MCP-OUT−アノード間供給電圧

(kV)

パルス波高分解能(Max.)

(%)

1 1 2 21

F2225-21PGFF6959

12 2 1 × 106 — 2.04.03.0

3

NOTE: 1供給電圧1.0 kV/MCP, 真空度1.3 × 10-4 Pa, 周囲温度+25 °C2真空度1.3 × 10-4 Pa

MCPアッセンブリ 仕様と外形寸法図（単位: mm）

14

信号測定 二次元検出

TMCPC0007JFTMCPC0005JI

+イオン検出（MCP-OUT: GND）

+イオン検出（蛍光面: GND）

電子または–イオン検出（MCP-IN: GND）

+イオン検出（アノードグラウンド）

電子または–イオン検出（アノードフローティング (MCP-IN: GND)）

+イオン検出（アノードフローティング (MCP-OUT: GND)）

複数の高圧電源を使用する場合はMCPのゲインを独立して調整できるメリットがあります。1台の高圧電源でデバイダ回路を用いる場合は安価に構成できますが、電源電圧を変えると連動してMCPのゲインも変わるデメリットがあります。測定方法によっては上述にあてはまらない場合もあります。

アンプ

アノード

アッセンブリ

-2.0 kV Max.

フローティング動作可能な電源

-0.5 kV Max.

0.5 MΩ

-2.5 kV Max.

(1 W)

2 MΩ

(3 W)

OUTIN

MCP（2段）基板

デバイダ回路を用いた場合

フローティング動作可能な電源

基板

アンプ

アノード

アノード

信号出力

アッセンブリ カップリング回路

1 MΩ

150 pF/3 kV

+2.0 kVMax.

+0.5 kV Max.

0.5 MΩ

+2.5 kV Max.

(1 W)

2 MΩ

(3 W)

OUTIN

MCP（2段）

デバイダ回路を用いた場合

基板

アンプ

アノード

アノード

信号出力

アッセンブリ カップリング回路

1 MΩ

150 pF/1 kV

-2.0 kVMax.

+0.5 kVMax.

OUTIN

MCP（2段）

+4 kVMax.

-2 kVMax.

OUT PHOSIN

MCP（2段） 蛍光面アッセンブリ 基板

フローティング動作可能な電源

+2 kVMax.

デバイダ回路を用いた場合

+4 kV Max.

OUT PHOSIN

MCP（2段） 蛍光面

4 MΩ

+6 kV Max.

2 MΩ

(5 W)(3 W)

アッセンブリ 基板

デバイダ回路を用いた場合

MCP（2段） 蛍光面

フローティング動作可能な電源

-2 kVMax.

-4 kVMax.

4 MΩ

-6 kV Max.

2 MΩ

(5 W)(3 W)

OUT PHOSIN

アッセンブリ 基板

MCPアッセンブリ 結線例

TMCP0003J01MAR. 2020 IP

●本資料の記載内容は2020年3月現在のものです。製品の仕様は、改良等のため予告なく変更することがあります。

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取扱い方法取扱い方法

納入後１年以内に製造上の原因と認められる不具合が発生した場合は、無償修理または交換をいたします。保証の範囲は、製品の代替納入を限度とさせていただきます。また、保証期間内でも天災、製品の寿命及び使用上の不注意による損傷については保証対象外とさせていただきます。

本製品には鉛及びその化合物が含まれています。本製品を廃棄する場合は廃棄物処理法に則り、自ら適正に処理して頂くか、もしくは許認可を受けた適正な産業廃棄物処理業者へ委託して処理してくださるようお願いします。国外で使用し、その国で廃棄する場合は、それぞれの国・州の廃棄物処理に関する法令に従って適正に処理をしてくださるようお願いします。

保証保証

１．保管方法真空包装または乾燥窒素ガスを封入した状態で納入いたしますが、輸送用包装ですので長期の保管には適しません。保管する場合、梱包容器から取り出し、清浄な容器内にて次の a）, b）どちらかの方法で保管してください。a）真空度13 Pa以下で、オイル拡散を極力避けた清浄な容器内。b）0.45 µｍ以下のフィルターにより濾過された乾燥窒素が常に流れている清浄な容器内。（湿度20 %以下）

２．取扱い絶対に素手で直接触れないでください。油脂や塩分等の付着により、暗電流の増大、ゲイン低下、放電等の原因になることがあります。取扱う場合には、清浄なビニールやポリエチレン手袋を着用してください。手袋を使用した場合でも有効部には絶対に触れないでください。

３．取扱い環境MCP表面は電子的に活性になっており、アッセンブリに使用の部品類も高真空用に処理されています。極力油気や湿気及び塵の少ない防塵室に準じた環境にてお取扱いください。尚、塵等が付着した場合、乾燥した清浄な空気や窒素ガスを吹き付け、除去してください。吹き付けに際しては、環境及び吹き付け圧力に注意してください。また、呼気の吹き付けは絶対に行わないでください。

４．使用前の真空排気初めて使用する場合や、保管後再度使用する場合は、ガス吸着が起こっているため、使用（電圧供給）前に1.3×10-4 Pa以下の高真空で24時間以上排気してください。

５．真空ベーキング超高真空にて使用する場合は、真空ベーキングが効果的です。装置を1.3×10-4 Pa以下の高真空に保ちながら、150℃以下の温度範囲で行ってください。MCPアッセンブリについては、真空ベーキングできない製品がありますので、詳細は弊社までお問い合わせください。

６．電圧供給使用中も1.3×10-4 Pa以下の高真空を必ず保ってください。（F14844シリーズは1 Pa以下）MCP及びMCPアッセンブリ、出力信号読み出し素子（アノード、蛍光面）への電圧供給は、100 Vステップ（約5秒/100 V）でゆっくりと昇圧してください。

７．MCPの抵抗値測定MCPは鉛を含んだガラスで作られているため、湿度の影響を受けるので大気中で抵抗値を測定しようとすると、正確な値が測定できません。MCP

が真空中に置かれた状況で、MCPの電極と確実な接触が取られている場合のみ、正しい値が測定できます。また、MCPは負性抵抗（温度が上昇すると抵抗値が低下する）ですので、抵抗値が安定するまで数分かかる事があります。

廃棄方法廃棄方法