dr hab. inż. Michał K. Urbański, prof. nzw. październik 2016murba/elektronika_2016WYKL.pdf ·...

47
Podstawy elektroniki dr hab. inż. Michal K. Urbański, prof. nzw. Wydzial Fizyki Politechniki Warszawskiej Zaklad V ”Badań strukturalnych„ Gmach Fizyki pok 18 GF i 713 Gmach Mechatroniki, [email protected], strona http: //www.if.pw.edu.pl/ ˜murba/ strona wydzialu pracownicy link do strony przy nazwisku październik 2016 Podstawy elektroniki ODD

Transcript of dr hab. inż. Michał K. Urbański, prof. nzw. październik 2016murba/elektronika_2016WYKL.pdf ·...

Page 1: dr hab. inż. Michał K. Urbański, prof. nzw. październik 2016murba/elektronika_2016WYKL.pdf · J.Osiowski, J.Szabatin Podstawy teorii obwodów, WNT Warszawa 1998. książki z teorii

Podstawy elektroniki

dr hab. inż. Michał K. Urbański, prof. nzw.

Wydział Fizyki Politechniki WarszawskiejZakład V ”Badań strukturalnych„

Gmach Fizyki pok 18 GF i 713 Gmach Mechatroniki,[email protected],strona http:

//www.if.pw.edu.pl/ ˜murba/strona wydziału ⇒ pracownicy ⇒ link do strony przy nazwisku

październik 2016

Podstawy elektroniki ODD

Page 2: dr hab. inż. Michał K. Urbański, prof. nzw. październik 2016murba/elektronika_2016WYKL.pdf · J.Osiowski, J.Szabatin Podstawy teorii obwodów, WNT Warszawa 1998. książki z teorii

ZASADY ZALICZANIA:

4 kolokwia na wykładzie trwające 45min. obejmującemateriał, z wykładów i ćwiczeń, będą zadania, kolokwia będąoceniane systemem punktowym, (kol do 12p.).

Laboratorium 9 ćwiczeń po 5p + kol lab 5p

całkowita liczba punktów do uzyskania 48+50=98

Trzeba mieć zaliczone trzy kolokwia (każde od 7 punktów) i 8laboratoriów

zaliczenie od 50p oceny wg systemu:(50-58) - 3,0 (59-68) - 3,5 (69-78) - 4,0 (79-88) - 4,5 (89-98) - 5,0terminy kolokwiów:27 paźdź, 24 listop, 15 grud. 2016, stycz. 2017 (ostatni wykład)będą dwa dodatkowe terminy poprawy: w grudniu i w końcustycznia (w sesji).

Podstawy elektroniki ODD

Page 3: dr hab. inż. Michał K. Urbański, prof. nzw. październik 2016murba/elektronika_2016WYKL.pdf · J.Osiowski, J.Szabatin Podstawy teorii obwodów, WNT Warszawa 1998. książki z teorii

TREŚĆ

ELEMENTY TEORII OBWODÓW:sygnały elementy obwodów obwody, prawa Kirchffa, superpozycja,

układy zastępcze prą1d zmienny, opis zespolony prądówsinusoidalnych, układy liniowe, filtry RC i RL, moc, praca.

ELEMENTY CZYNNE i NIELINIOWEdioda, tranzystor, układ scalony. fizyczne podstawy działania

tranzystora i diody podstawowe układy wzmacniające filtry dolno- igórno-przepustowy

Podstawy elektroniki ODD

Page 4: dr hab. inż. Michał K. Urbański, prof. nzw. październik 2016murba/elektronika_2016WYKL.pdf · J.Osiowski, J.Szabatin Podstawy teorii obwodów, WNT Warszawa 1998. książki z teorii

OBWODY

Sygnały, klasyfikacja, parametry sygnałów. Elementy obwodów:rezystor, kondensator, indukcyjność, źródło napięciowe i prądowe.Obwody liniowe: prawa Kirchoffa, metody rozwiązywania układówliniowych. Dwójniki i czwórniki. Matematyczny opis czwórników.Układy równoważne, twierdzenia o źródłach zastępczych.Zasada superpozycji, wyznaczanie parametrów układówrównoważnych.Opis i analiza obwodów prądu zmiennego: rachunek symboliczny(opis zespolony), wskazy.Dwójniki i czwórniki przy pobudzeniach harmonicznych.Filtry RC i RL.Zależności energetyczne w obwodach prądu zmiennego,dopasowanie źródła i obciążenia.

Podstawy elektroniki ODD

Page 5: dr hab. inż. Michał K. Urbański, prof. nzw. październik 2016murba/elektronika_2016WYKL.pdf · J.Osiowski, J.Szabatin Podstawy teorii obwodów, WNT Warszawa 1998. książki z teorii

Układy czynne

Fizyczne podstawy działania elementów półprzewodnikowych.Diody: charakterystyki, schematy zastępcze, układy z dużymi imałymi sygnałami. Tranzystory bipolarne i tranzystory polowe:zasady działania, charakterystyki. Parametry wielko- imałosygnałowe tranzystorów bipolarnych i polowych przy małych iwielkich częstotliwościach, parametry impulsowe.Zastosowania tranzystorów: liniowe (wzmacniacze) i nieliniowe(przełączniki, układy impulsowe).Wzmacniacze operacyjne idealne, opis ich działania. Zastosowaniaw układach liniowych i nieliniowych. Rzeczywiste wzmacniaczeoperacyjne, ich właściwości i ograniczenia.Zastosowania wzmacniaczy operacyjnych w układach pomiarowych.

Podstawy elektroniki ODD

Page 6: dr hab. inż. Michał K. Urbański, prof. nzw. październik 2016murba/elektronika_2016WYKL.pdf · J.Osiowski, J.Szabatin Podstawy teorii obwodów, WNT Warszawa 1998. książki z teorii

Literatura

J.Osiowski, J.Szabatin Podstawy teorii obwodów, WNT Warszawa1998.książki z teorii obwodów

Podstawy elektroniki ODD

Page 7: dr hab. inż. Michał K. Urbański, prof. nzw. październik 2016murba/elektronika_2016WYKL.pdf · J.Osiowski, J.Szabatin Podstawy teorii obwodów, WNT Warszawa 1998. książki z teorii

Wielkości podstawowe

Napięcie elektryczne U = Wq

gdzie q - ładunek elektryczny, W - praca ładunku w poluelektrycznym.natężenie prądu I = dq

dtNatężenie pola elektrycznego E = F

qgdzie: F siła pola działająca na ładunek q.Napięcie elektryczne pomiędzy punktem A i b: Ua,b = W

qW - praca wykonana przy przemieszczaniu ładunku z punktu a do

b, ponieważ praca W =b∫a

~Fd~l więc:

Ua,b =

b∫a

~Fd~l

q =b∫a

~Fq d~l =

b∫a

~Ed~l

Prawo Ohma I = UR co na poziomi mikroskopowym odpowiada

j = σE , gdzie σ przewodność właściwa, j - wektor gęstości prądu..

Podstawy elektroniki ODD

Page 8: dr hab. inż. Michał K. Urbański, prof. nzw. październik 2016murba/elektronika_2016WYKL.pdf · J.Osiowski, J.Szabatin Podstawy teorii obwodów, WNT Warszawa 1998. książki z teorii

SYGNAŁY

Wyróżniamy nośnik i treść sygnałuNośnik sygnału - wielkość fizyczna np. sygnał elektryczny,mechaniczny itdTreść sygnału - informacja zapisana w sygnale, matematyczniejest to funkcja czasu opisująca zależności wielkości będącejnośnikiem od czasu.

W obliczeniach i w modelach matematycznych zjawisk sygnałutożsamiamy z funkcją czasu. Funkcję tą opisujemy podającparametry sygnału.

Rysunek: Przykład sygnału, zależność temperatury od czasu grzanegokubka z wodą, przykład funkcji rosnącej

Podstawy elektroniki ODD

Page 9: dr hab. inż. Michał K. Urbański, prof. nzw. październik 2016murba/elektronika_2016WYKL.pdf · J.Osiowski, J.Szabatin Podstawy teorii obwodów, WNT Warszawa 1998. książki z teorii

Parametry sygnałów

wartość średnia AV - (average value): XAV = 1T

t0+T∫t0x(t)dt

Wartość średnie dla sygnałów okresowych nie zależy od wyborumomentu początkowego całkowania t0.xA - sygnał całkowity wielkości A,xa - składowa zmienna sygnału wielkości Asygnał rozkładamy na składową zmienną xa i stałą XAV :

xA(t) = xa(t) + XAV (1)

Rysunek: Rozkład sygnału na składową zmienną i stałą

Podstawy elektroniki ODD

Page 10: dr hab. inż. Michał K. Urbański, prof. nzw. październik 2016murba/elektronika_2016WYKL.pdf · J.Osiowski, J.Szabatin Podstawy teorii obwodów, WNT Warszawa 1998. książki z teorii

Rozkład sygnału na składowe zmienną i stałą

xA(t) = xa(t) + XAV (2)

Wartość średnia składowej zmiennej wynosi zero tj.: Xa(av) = 0,uzasadnienie:

Xa(av ) =

t0+T∫t0

xa(t)dt =1T

t0+T∫t0

(xA(t)− XAV )dt = (3)

=1T

t0+T∫t0

xA(t)dt − 1T

t0+T∫t0

XAV dt = (4)

= XAV − XAV = 0 (5)

Podstawy elektroniki ODD

Page 11: dr hab. inż. Michał K. Urbański, prof. nzw. październik 2016murba/elektronika_2016WYKL.pdf · J.Osiowski, J.Szabatin Podstawy teorii obwodów, WNT Warszawa 1998. książki z teorii

SYGNAŁY - oznaczenia

litera mała x - sygnał, czyli sygnał zależny od czasu x(t)litera wielka X - parametr sygnału,wskaźnik A przy znaku sygnału: xA - sygnał wielkości A.wskaźniki przy oznaczeniu sygnałuwielka duża odnosi się do całego sygnału, np xAlitera mała - odnosi się do składowej zmiennej, np xa oznaczaskładową zmienną sygnału xA.Przykład: IE - parametr całkowitej wartości prądu emitera iEIE(AV ) - wartość średnia całkowitego prądu emitera iEiE (t) - wartość chwilowa prądu emitera iEie(t) - wartość chwilowa składowej zmiennej prądu emitera iE .Ie(rms) - wartość skuteczna składowej zmiennej prądu emitera.

Podstawy elektroniki ODD

Page 12: dr hab. inż. Michał K. Urbański, prof. nzw. październik 2016murba/elektronika_2016WYKL.pdf · J.Osiowski, J.Szabatin Podstawy teorii obwodów, WNT Warszawa 1998. książki z teorii

wartość skuteczna RMS – Root Mean Square

Wartość skuteczna sygnału XA:

XA(RMS) =

√√√√√ 1T

t0+T∫t0

x2A(t)dt (6)

gdzie: t0 - początek całkowania, dla sygnałów okresowych nie mawpływu na wartość całki, T - okres sygnału.Wartość skuteczna opisuje średnia moc sygnałuJeśli zapiszemy sygnał jako sumę składowych zmiennej i stałej:

xA(t) = xa(t) + XAV (7)

to mamy:X 2A(RMS) = X 2a(rms) + X 2AV (8)

średnia moc sygnału równa jest sumie mocy składowej zmiennej iskładowej stałej.

Podstawy elektroniki ODD

Page 13: dr hab. inż. Michał K. Urbański, prof. nzw. październik 2016murba/elektronika_2016WYKL.pdf · J.Osiowski, J.Szabatin Podstawy teorii obwodów, WNT Warszawa 1998. książki z teorii

Wartość skuteczna - składowe

X 2A(RMS) =1T

t0+T∫t0

x2A(t)dt =1T

t0+T∫t0

(xa(t) + XAV )2dt =

=1T

t0+T∫t0

x2a (t)dt +1T

t0+T∫t0

2xa(t)XAV dt +1T

t0+T∫t0

(XAV )2dt =

= X 2a(rms) + 0 + X 2AV

Wykorzystano fakt, że wartość średnia składowej zmiennej jest

zerowa: 1Tt0+T∫t0

2xa(t)dt = 0

Podstawy elektroniki ODD

Page 14: dr hab. inż. Michał K. Urbański, prof. nzw. październik 2016murba/elektronika_2016WYKL.pdf · J.Osiowski, J.Szabatin Podstawy teorii obwodów, WNT Warszawa 1998. książki z teorii

Oznaczenia

Rysunek: Oznaczenia sygnału i jego parametrów

i wartość chwilowa, I - parametryPodstawy elektroniki ODD

Page 15: dr hab. inż. Michał K. Urbański, prof. nzw. październik 2016murba/elektronika_2016WYKL.pdf · J.Osiowski, J.Szabatin Podstawy teorii obwodów, WNT Warszawa 1998. książki z teorii

Moc prądu zmiennego

Napięcie - praca dW wykonana przy przesuwaniu ładunkudq:dW = Udq

W =

t2∫t1

u(t)dq =

t2∫t1

u(t)i(t)dt =

t2∫t1

u2(t)Rdt =

1R

t2∫t1

u2(t)dt

Moc średnia w okresie T = t2 − t1:

PAV =WT

=1R

1T

t2∫t1

u2(t)dt

=U2RMSR

Podstawy elektroniki ODD

Page 16: dr hab. inż. Michał K. Urbański, prof. nzw. październik 2016murba/elektronika_2016WYKL.pdf · J.Osiowski, J.Szabatin Podstawy teorii obwodów, WNT Warszawa 1998. książki z teorii

Operacja uśredniania, różne oznaczenia

Wartość średnia sygnału x(t):

XAV = x = 〈x〉 =1T

t0+T∫t0

x(t)dt (9)

Korzystając z tego oznaczenia: X 2RMS = 〈x2〉operator uśredniania jest liniowy:

〈x + y〉 = 〈x〉+ 〈y〉〈αy〉 = α〈x〉 (10)

dla α ∈ R, R–liczby rzeczywiste.

Podstawy elektroniki ODD

Page 17: dr hab. inż. Michał K. Urbański, prof. nzw. październik 2016murba/elektronika_2016WYKL.pdf · J.Osiowski, J.Szabatin Podstawy teorii obwodów, WNT Warszawa 1998. książki z teorii

Woltomierz wartości skutecznej - uproszczony

Konstrukcja uproszczona: miernik średniej wyprostowanejwyskalowany w wartości skutecznej napięcia sinusoidalnego.

V ′ - napięcie średnie z sygnału wyprostowanego:

V ′ = |X |AV =1T

∫ T0|x(t)|dt (11)

Współczynnik przeskalowania k≈ tak dobrany aby miernikwskazywał wartość skuteczną dla sygnału sinusoidalnego.

Podstawy elektroniki ODD

Page 18: dr hab. inż. Michał K. Urbański, prof. nzw. październik 2016murba/elektronika_2016WYKL.pdf · J.Osiowski, J.Szabatin Podstawy teorii obwodów, WNT Warszawa 1998. książki z teorii

Woltomierz wartości skutecznej - uproszczony

obliczenia dla sygnału sinusoidalnego x(t) = A sin(ωt)

V ′ = |X |AV =1T

∫ T0|x(t)|dt =

=2T

∫ T0|A sin(ωt)dt = A

XRMS =

√1T

∫ T0

(A sin(ωt))2dt =

=A√

2

Współczynnik przeskalowania k≈jest tak dobrany aby V = XRMSdla sygnału sinusoidalnego.

V = k≈V ′ = XRMS (12)

podstawiając:

V = k≈|X |AV = XRMS czyli

k≈ =XRMS|X |AV

2√

2

Podstawy elektroniki ODD

Page 19: dr hab. inż. Michał K. Urbański, prof. nzw. październik 2016murba/elektronika_2016WYKL.pdf · J.Osiowski, J.Szabatin Podstawy teorii obwodów, WNT Warszawa 1998. książki z teorii

Woltomierz wartości skutecznej - uproszczony

obliczenia dla sygnału trójkątnego x(t) = at + b dla 0 < x < T ,gdzie a = 2a

T i b = −A.

V ′ = |X |AV =1T

∫ T0|x(t)|dt =

=2T

∫ T0|at + b|dt =

A2

XRMS =

√1T

∫ T0

(at + b)2dt =A√

3

współczynnik kształtu dla trójkąta :

k4 =XRMS|X |AV

=2√3

(13)

Wskazanie woltomierza:

V = k≈V ′ = k≈|X |AV =

k≈XRMSk

Podstawy elektroniki ODD

Page 20: dr hab. inż. Michał K. Urbański, prof. nzw. październik 2016murba/elektronika_2016WYKL.pdf · J.Osiowski, J.Szabatin Podstawy teorii obwodów, WNT Warszawa 1998. książki z teorii

Schemacik

Rysunek: Wzmacniacz mikrofonowy - do przemyślenia

Podstawy elektroniki ODD

Page 21: dr hab. inż. Michał K. Urbański, prof. nzw. październik 2016murba/elektronika_2016WYKL.pdf · J.Osiowski, J.Szabatin Podstawy teorii obwodów, WNT Warszawa 1998. książki z teorii

Prawa podstawowe - Prawa Kirchoffa

1 zasada zachowania energii.Dla każdego oczka:

Ku∑k=1

uk =N∑n=1

En (14)

gdzie Ku - składowych napięć w oczku,N- liczba sił elektromotorycznych (źródełnapięciowych).

2 zasada zachowania ładunku.Dla każdego węzła:

Ki∑k=1

ik = 0 (15)

gdzie: Ki - liczba ramion w węźle.

Rysunek: Schematyczneprzedstawienie węzłów ioczek

Podstawy elektroniki ODD

Page 22: dr hab. inż. Michał K. Urbański, prof. nzw. październik 2016murba/elektronika_2016WYKL.pdf · J.Osiowski, J.Szabatin Podstawy teorii obwodów, WNT Warszawa 1998. książki z teorii

Technologia pudełkowa

Rysunek: Schematy blokowe („czarne skrzynki”) dwójnika i czwórnika

Konwencja strzałek zazwyczaj zakłada się, że : w dwójniku – prądwchodzi do układu (strzałka skierowana do pudełka)w czwórniku – prąd wchodzi do wejścia i wychodzi z wyjścia.Czasami wygodniej jest założyć inną orientację strzałek i jedyniezmienia to znak prądu w równaniach.

Podstawy elektroniki ODD

Page 23: dr hab. inż. Michał K. Urbański, prof. nzw. październik 2016murba/elektronika_2016WYKL.pdf · J.Osiowski, J.Szabatin Podstawy teorii obwodów, WNT Warszawa 1998. książki z teorii

Zasady wskaźnikowania i ustalania znaków

Prąd płynie od plusa do minusa:

Rysunek: strzałkowanie napięć i prądów źródła napięciowego i rezystora(układu biernego). Prąd wypływa ze źródła i wpływa do opornika

dla źródła u = E0 − iRw dla rezystora u = iR (16)

Podstawy elektroniki ODD

Page 24: dr hab. inż. Michał K. Urbański, prof. nzw. październik 2016murba/elektronika_2016WYKL.pdf · J.Osiowski, J.Szabatin Podstawy teorii obwodów, WNT Warszawa 1998. książki z teorii

Źródło napięciowe

Rysunek: Charakterystyka prądowo napięciowa źródła napięciowego.Linia przerywana – zależność napięcia od natężenia prądu dla źródłanapięciowego o sile elektro-motorycznej E0 o rezystancji wewnętrznejRW : u = E0 − iRW , linia ciągła - równanie rezystora R: u = iR

Podstawy elektroniki ODD

Page 25: dr hab. inż. Michał K. Urbański, prof. nzw. październik 2016murba/elektronika_2016WYKL.pdf · J.Osiowski, J.Szabatin Podstawy teorii obwodów, WNT Warszawa 1998. książki z teorii

Dwójnik

Rysunek: Dwójnik - prąd wpływa dodwójnika, napięcie – strzałka odstrony +. Obok: Dwójnik aktywnyzastrzałkowany jak dwójnik bierny.Zależność napięcia od prądu dlastrzałkowania jak dla dwójnikabiernego. u = E + iRw

Podstawy elektroniki ODD

Page 26: dr hab. inż. Michał K. Urbański, prof. nzw. październik 2016murba/elektronika_2016WYKL.pdf · J.Osiowski, J.Szabatin Podstawy teorii obwodów, WNT Warszawa 1998. książki z teorii

Porównanie dwóch przypadków kierunków prądu

Rysunek: Różne rodzaje strzałek prądu i równania.

układ lewy E0 = iRw + u układ prawy E0 = −iRw + u (17)Podstawy elektroniki ODD

Page 27: dr hab. inż. Michał K. Urbański, prof. nzw. październik 2016murba/elektronika_2016WYKL.pdf · J.Osiowski, J.Szabatin Podstawy teorii obwodów, WNT Warszawa 1998. książki z teorii

Źródło prądowe

Rysunek: Źródło prądowe

równanie: J = I + IW i IW = URW

czyli I = J − URW

Rysunek: Charakterystykaprądowo-napięciowa źródła prądowego

Wyliczamy napięcie:

U = JRW − IRW (18)

Podstawy elektroniki ODD

Page 28: dr hab. inż. Michał K. Urbański, prof. nzw. październik 2016murba/elektronika_2016WYKL.pdf · J.Osiowski, J.Szabatin Podstawy teorii obwodów, WNT Warszawa 1998. książki z teorii

Źródło prądowe i napięciowe

Rysunek: Charakterystykaprądowo-napięciowa źródłanapięciowego

równanie opisujące źródłonapięciowe: U = E − IRW

Rysunek: Charakterystykaprądowo-napięciowa źródłaprądowego I = J − U

RW

Dla schematu napięciowegomamy U = JRW − IRW , czyli siłaelektromotoryczna napięciowegoukładu zastępczego dla źródłaprądowego wynosi: Ez = JRW

Podstawy elektroniki ODD

Page 29: dr hab. inż. Michał K. Urbański, prof. nzw. październik 2016murba/elektronika_2016WYKL.pdf · J.Osiowski, J.Szabatin Podstawy teorii obwodów, WNT Warszawa 1998. książki z teorii

Idealne źródła napięciowe i prądowe

Rysunek: Idealne źródło prądowe napięciowe

Rysunek: źródło napięciowe i prądowe na wykresie U=U(I)

Podstawy elektroniki ODD

Page 30: dr hab. inż. Michał K. Urbański, prof. nzw. październik 2016murba/elektronika_2016WYKL.pdf · J.Osiowski, J.Szabatin Podstawy teorii obwodów, WNT Warszawa 1998. książki z teorii

RÓWNOWAŻNOŚĆ SYSTEMÓW

kiedy dwa wielomiany W (x) i H(x) są równe: gdy mają jednakowewspółczynniki

W (x) = ax2 + bx + c (19)

H(x) = αx2 + βx + γ (20)

W (x) ≡ H(x)⇔

a = αb = βc = γ

(21)

Podstawy elektroniki ODD

Page 31: dr hab. inż. Michał K. Urbański, prof. nzw. październik 2016murba/elektronika_2016WYKL.pdf · J.Osiowski, J.Szabatin Podstawy teorii obwodów, WNT Warszawa 1998. książki z teorii

RÓWNOWAŻNOŚĆ DWÓJNIKÓW - układy zastępcze

Dwa dwójniki są równoważne jeśli równania są równoważne.

Rysunek: Dwa dwójniki opisane równaniami liniowymi W (i) i H(i). Wobu przypadkach prądy zostały zaznaczone jako wypływające.

W (i) = a+ b i oraz H(i) = E0 − Rw i (22)

W (i) ≡ H(i)⇔{a = E0b = −Rw

(23)

Podstawy elektroniki ODD

Page 32: dr hab. inż. Michał K. Urbański, prof. nzw. październik 2016murba/elektronika_2016WYKL.pdf · J.Osiowski, J.Szabatin Podstawy teorii obwodów, WNT Warszawa 1998. książki z teorii

Układ liniowy - dwa parametry

Układ liniowy opisany jest równaniem liniowym H(i) = ai + b, czyliokreślony jest dwoma parametrami a i b.

Rysunek: Układ opisany dwoma parametrami E0 i Rw jest równoważnyukładowi liniowemu złożonemu z dowolnej liczby elementów liniowych

Podstawy elektroniki ODD

Page 33: dr hab. inż. Michał K. Urbański, prof. nzw. październik 2016murba/elektronika_2016WYKL.pdf · J.Osiowski, J.Szabatin Podstawy teorii obwodów, WNT Warszawa 1998. książki z teorii

Przykład wyznaczania układu zastępczego

Wyznacz zastępczą wartość siły elektromotorycznej Ez i zastępcząrezystancję wewnętrzną Rz , czyli wyznacz parametry Ez i Rzmodelu liniowego: u = Ez − iRw poniższego układu:

Rysunek: Układ liniowyzłożony z trzech elementów

E1 = i1R1 + i2R2 (24)

i1 = i + i2 (25)

u = i2R2 (26)

E1 = (i + i2)R1 + i2R2 (27)

i2 =E1 − R1i1R1 + R2

(28)

u = E1R2

R1 + R2− i R1R2R1 + R2

(29)

parametry zastępcze: Ez = E1R2

R1 + R2i Rz =

R1R2R1 + R2

(30)

Podstawy elektroniki ODD

Page 34: dr hab. inż. Michał K. Urbański, prof. nzw. październik 2016murba/elektronika_2016WYKL.pdf · J.Osiowski, J.Szabatin Podstawy teorii obwodów, WNT Warszawa 1998. książki z teorii

INTERPRETACJA

Szukamy opisu układu liniowego przy pomocy równania u = H(i)dla H(i) = Ez − iRz .Rozwiązując równania Kirchoffa mamy u = E1 R2

R1+R2− i R1R2R1+R2

więc:

Ez = E1R2

R1 + R2i Rz =

R1R2R1 + R2

(31)

Ez - jest to napięcie na zaciskach układu AB gdy nie maobciążenia (gdy nie płynie prąd)

Ez = H(0) (32)

Rezystancja Rz jest rezystancją widziana z zacisków AB układu:

Rz = − ddiH(i) = −du

di=R1R2R1 + R2

(33)

lub Rz = −ui

gdy E1 = 0 (źródła są „wyzerowane”) (34)

Podstawy elektroniki ODD

Page 35: dr hab. inż. Michał K. Urbański, prof. nzw. październik 2016murba/elektronika_2016WYKL.pdf · J.Osiowski, J.Szabatin Podstawy teorii obwodów, WNT Warszawa 1998. książki z teorii

Zastępcza wartość siły elektromotorycznej i rezystancji

Rysunek: Zasada Thevenina: parametry napięciowego źródłazastępczego otrzymujemy – napięcie gdy prąd obciążenia dwójnika jestzerowy, rezystancja wewnętrzna gdy siły elektromotoryczne są zerowe.

Podstawy elektroniki ODD

Page 36: dr hab. inż. Michał K. Urbański, prof. nzw. październik 2016murba/elektronika_2016WYKL.pdf · J.Osiowski, J.Szabatin Podstawy teorii obwodów, WNT Warszawa 1998. książki z teorii

Dlaczego „-” we wzorze na rezystancję

Rezystancja Rz jest rezystancją widziana z zacisków AB układu:

Rz = − ddiH(i) = −du

di=R1R2R1 + R2

(35)

Rysunek: gdy u = E0 − iRw wtedy Rz = − dudi , gdy u = E0 + iRw wtedyRz = + dudi

Podstawy elektroniki ODD

Page 37: dr hab. inż. Michał K. Urbański, prof. nzw. październik 2016murba/elektronika_2016WYKL.pdf · J.Osiowski, J.Szabatin Podstawy teorii obwodów, WNT Warszawa 1998. książki z teorii

Rezystancja zastępcza - obliczenia dla składowej zmiennej

Rysunek: Układ liniowy dwarezystory ze źródłemnapięciowym, Rezystancjazastępcza równoległepołączenie R1 i R2

1Rz

=1R1

+1R2

(36)

1Rz

= −∆i∆u

i = i1 − i2 czyli ∆i = ∆i1 −∆i21Rz

= −∆i1∆u

+∆i2∆u

u = i2R2 czyli ∆u = ∆i2R2u = E1 − i1R1 czyli ∆u = −∆i1R1

−∆i1∆u

=1R1

∆i2∆u

=1R2

Podstawy elektroniki ODD

Page 38: dr hab. inż. Michał K. Urbański, prof. nzw. październik 2016murba/elektronika_2016WYKL.pdf · J.Osiowski, J.Szabatin Podstawy teorii obwodów, WNT Warszawa 1998. książki z teorii

Źródło zastępcze – twierdzenie Thevenin

Siła elektromotoryczna = napięcie dla prądu zerowegorezystancja = rezystancja układu dla zwartych siłelektromotorycznych i rozwartych źródeł prądowych

Rysunek: Zasada Thevenina

Podstawy elektroniki ODD

Page 39: dr hab. inż. Michał K. Urbański, prof. nzw. październik 2016murba/elektronika_2016WYKL.pdf · J.Osiowski, J.Szabatin Podstawy teorii obwodów, WNT Warszawa 1998. książki z teorii

Rezystancja i konduktancja układów szeregowych irównoległych

Układ szeregowy - napięcie jest suma napięć, układ równoległy -prąd jest sumą prądów.

Rysunek: Połączenie szeregowe irównoległe rezystorów

Układ szeregowy

R =UI

=U1 + U2 + . . .+ UN

I=

U1I

+U2I

+ . . .+UNI

= R1 + R2 + . . .RN

układ równoległy

1R

=I1 + I2 + . . .+ IN

U=

=1R1

+1R2

+ . . .+1RN

konduktancja G = G1 + G2 + . . .GN

Podstawy elektroniki ODD

Page 40: dr hab. inż. Michał K. Urbański, prof. nzw. październik 2016murba/elektronika_2016WYKL.pdf · J.Osiowski, J.Szabatin Podstawy teorii obwodów, WNT Warszawa 1998. książki z teorii

Źródło prądowe

Rysunek: transformacja źródło prądowe - źródło napięciowe

Podstawy elektroniki ODD

Page 41: dr hab. inż. Michał K. Urbański, prof. nzw. październik 2016murba/elektronika_2016WYKL.pdf · J.Osiowski, J.Szabatin Podstawy teorii obwodów, WNT Warszawa 1998. książki z teorii

Twierdzenie Nortona o prądowym źródle zastępczym

Każdy dwójnik liniowy może być zastąpiony źródłem prądowym owydajności Jz i rezystancji wewnętrznej Rz .

Rysunek: Układ zastępczy prądowy

Podstawy elektroniki ODD

Page 42: dr hab. inż. Michał K. Urbański, prof. nzw. październik 2016murba/elektronika_2016WYKL.pdf · J.Osiowski, J.Szabatin Podstawy teorii obwodów, WNT Warszawa 1998. książki z teorii

Dzielnik napięcia

Rysunek: Dzielnik napięcia, napięciejest proporcjonalne do rezystancji

i =u

R1 + R2(37)

u2 = iR2 (38)

u2 = uR2

R1 + R2(39)

Podstawy elektroniki ODD

Page 43: dr hab. inż. Michał K. Urbański, prof. nzw. październik 2016murba/elektronika_2016WYKL.pdf · J.Osiowski, J.Szabatin Podstawy teorii obwodów, WNT Warszawa 1998. książki z teorii

Dzielnik prądowy

Rysunek: Dzielnik prądowy

i = i1 + i2i1R1 = i2R2

}i = i2

R2R1

+ i2 (40)

i2 = iR1

R1 + R2= i

G2G1 + G2

(41)

Rezystancja: R =ui

, konduktancja G =iu

.

Podstawy elektroniki ODD

Page 44: dr hab. inż. Michał K. Urbański, prof. nzw. październik 2016murba/elektronika_2016WYKL.pdf · J.Osiowski, J.Szabatin Podstawy teorii obwodów, WNT Warszawa 1998. książki z teorii

Metody wyznaczania prądów w układach liniowych

1 rozwiązanie równań Kirchoffa2 metoda prądów oczkowych3 zasada superpozycji4 metoda źródła zastępczego

reguła Thevenina o napięciowym źródle zastępczymTwierdzenie Nortona o prądowym źródle zastępczymzasada superpozycjitransformacja źródło prądowe - napięciowe i składanie źródełprądowych i napięciowych

5 metoda potencjałów węzłowych

Podstawy elektroniki ODD

Page 45: dr hab. inż. Michał K. Urbański, prof. nzw. październik 2016murba/elektronika_2016WYKL.pdf · J.Osiowski, J.Szabatin Podstawy teorii obwodów, WNT Warszawa 1998. książki z teorii

Zasada superpozycji

Prąd = sumą prądów pochodzących od poszczególnych źródełskrót: „prąd” = natężenie prądu elektrycznego

Rysunek: Zasada superpozycji

Podstawy elektroniki ODD

Page 46: dr hab. inż. Michał K. Urbański, prof. nzw. październik 2016murba/elektronika_2016WYKL.pdf · J.Osiowski, J.Szabatin Podstawy teorii obwodów, WNT Warszawa 1998. książki z teorii

Zasada superpozycji

Rysunek: Zasadasuperpozycji, obliczenia

I ′3 =E2

R2 + R1R3R1+R3

R1R3 + R1

(42)

I ′′3 =E1

R1 + R2R3R2+R3

R2R3 + R2

(43)

I3 = I ′3 + I ′′3 (44)

Podstawy elektroniki ODD

Page 47: dr hab. inż. Michał K. Urbański, prof. nzw. październik 2016murba/elektronika_2016WYKL.pdf · J.Osiowski, J.Szabatin Podstawy teorii obwodów, WNT Warszawa 1998. książki z teorii

Łączenie źródeł prądowych i napięciowych

Rysunek: łączenie źródeł

Łączenie źródełprądowych:prądy wpływające dowęzła dodają się.

Łączenie źródełnapięciowych:napięcia w oczku dodająsię (prace dodają się)

Podstawy elektroniki ODD